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封装：SOT-23-5

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

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型号：EG2184S 编号：C48580027

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

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型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

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型号：TPS2829DBVR 编号：C202321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器

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型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：ID7S625SBC-R1-JSM 编号：C7432832

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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型号：LM5108DRCR 编号：C2676946

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥6.552 ￥7.8
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型号：FT3216T 编号：C5126657

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FT3216 是一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机驱动器。由于其自适应特性和较宽的电源电压范围，该驱动器可适配多种电机特性，同时只需用户进行极少的调试。速度调节可通过直接 PWM 或模拟电压控制实现

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型号：SIC620ACD-T1-GE3 编号：C467917

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术，该技术提供了行业基准性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告（THWn）以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器，并支持三态PWM、3.3 V（SiC620A）/ 5 V（SiC620）PWM逻辑。

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￥5.72
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￥5.1

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型号：DRV8841PWPR 编号：C36542

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8841 具有电流调节和 PWM 控制功能的 45V、2.5A 双极步进或两路 H 桥电机驱动器 IC

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￥3.63

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型号：SIC641ACD-T1-GE3 编号：C3654920

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

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￥5.1156 ￥5.22

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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