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封装：SOIC-8

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥12.07
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￥11.09
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型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

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￥12.07
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型号：DRV8702DQRHBRQ1 编号：C1848377

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702D-Q1 汽车类 47V 半桥智能栅极驱动器

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￥12.5
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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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￥13.92
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￥12.04
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型号：FU6832N1 编号：C5126663

封装：QFN-32(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥14.95
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型号：SIP2100DY-T1-GE3 编号：C142541

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

SIP2100是一款集成式缓冲H桥，其输入与TTL和CMOS兼容，在5V VDD电源下能够提供高达1A的连续电流。 SIP2100有两个独立的逻辑输入，可设置四种不同的电机运行模式：正转、反转、停止（空转）和制动。内部的直通保护逻辑还可防止上下输出同时导通。 SiP2100具有极高的效率，工作电流极低。该器件还具备过温保护功能，关断迟滞为20°C。SIP2100采用SOIC8封装。

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￥15.06
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型号：L6205PD013TR 编号：C36543

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥19.22
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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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￥19.31
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型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

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￥20.18
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￥17.84
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￥16.38
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￥14.4
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型号：VNHD7008AYTR 编号：C2150455

封装：PWRSSOEP-36

品牌：ST(意法半导体)

用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器

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￥20.91
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￥13.03

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型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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￥21.38
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￥18.3
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型号：MCF8329A1IREER 编号：C22399784

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

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￥22.38
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￥19.93
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型号：DRV8305NPHPR 编号：C75602

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 45V 三相智能栅极驱动器

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￥24.64
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￥21.36
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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

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￥27.06
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￥23.36
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￥21.16
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￥18.94
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￥17.91

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型号：L6234PD013TR 编号：C77581

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

三相电机驱动器

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￥28.36
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￥25.36
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型号：DRV8316CTQRGFRQ1 编号：C20345370

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C-Q1集成了三个H桥，绝对最大耐压能力为40 V，导通电阻RDS(ON)极低，仅为95 mΩ（高端 + 低端），可为12 V汽车无刷直流电机提供高功率驱动能力。DRV8316C-Q1具备集成式电流感应功能，无需外部检测电阻。DRV8316C-Q1集成了电源管理电路，包括电压可调的降压稳压器（3.3 V / 5 V，200 mA）和低压差线性稳压器（LDO，3.3 V / 30 mA），可用于为外部电路供电。DRV8316C-Q1提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可配合外部微控制器实现有感或无感磁场定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8316C-Q1能够驱动高达200 kHz的PWM频率。DRV8316C-Q1可通过SPI（DRV8316CR-Q1）或引脚（DRV8316CT-Q1）进行高度配置，PWM模式、压摆率、过流保护（OCP）电平、电流感应增益等均为可配置特性。DRV8316C-Q1集成了多项保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、过温警告（OTW）和过温关断（OTSD），可保护器件、电机和系统免受故障影响。故障状态通过nFAULT引脚指示。

1+
￥38.89
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￥33.69
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￥30.61
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￥27.48
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￥26.04

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型号：DRV8432DKDR 编号：C79853

封装：HSSOP-36

品牌：TI(德州仪器)

DRV8432 12A 双路刷式直流或单路双极步进电机驱动器（PWM 控制器）

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￥88.21
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￥77.13
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￥66.87

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型号：FM116C 编号：C2802264

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

FM116C 是专为驱动小电流直流马达而设计的集成电路，该电路采用SOT23-6 微型封装，为对空间敏感的系统设计提供理想选择。电路采用H 桥结构，内置功率MOSFET 开关，可实现对负载直流电机正转、反转、刹车以及待机四个功能的控制，刹车功能能使负载电机快速停止转动，待机功能使电路静态功耗极低(小于1uA)。电路内置低阻功率MOSFET 开关，在300mA 负载电流条件下，电路产生的压降500mV，功耗为150mW，在SOT23-6 封装允许的范围之内，电路可长时间持续工作。

数据手册

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￥0.2864
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￥0.2249
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￥0.1942
3000+
￥0.1647
6000+
￥0.1462
9000+
￥0.137

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型号：BDR6120S 编号：C5455570

封装：SOT23-6

品牌：巴丁微

适用于电子锁、电动牙刷、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电运动控制产品.

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￥0.3461
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￥0.2763
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￥0.2413
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￥0.2152
6000+
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9000+
￥0.1837

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

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￥1.2123
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￥0.9398
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￥0.8229
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3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

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￥1.2164
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￥0.8408
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￥0.7002
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￥0.6376
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￥0.6

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型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.6093 ￥2.1175
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￥1.272164 ￥1.6739
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￥1.127764 ￥1.4839
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￥0.947492 ￥1.2467
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￥0.867236 ￥1.1411
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￥0.819052 ￥1.0777

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

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￥1.656 ￥2.07
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￥1.448 ￥1.81
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￥1.176 ￥1.47

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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￥1.8213
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￥1.4181
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￥1.0297
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￥0.9897
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￥0.932

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型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.86
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￥1.34
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￥1.3

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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￥2.3
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￥1.54
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￥1.26
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￥1.13
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型号：NSG2024 编号：C53436442

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.35 ￥1.5
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￥1.287 ￥1.43

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型号：UCC27518DBVR-TP 编号：C51939679

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥2.4168 ￥3.18
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￥1.9152 ￥2.52
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￥1.6948 ￥2.23
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￥1.4212 ￥1.87
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￥1.3072 ￥1.72
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￥1.2312 ￥1.62

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.457 ￥2.73
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￥2.178 ￥2.42
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￥2.043 ￥2.27
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￥1.899 ￥2.11
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￥1.818 ￥2.02
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￥1.782 ￥1.98

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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￥2.71
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