电机驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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￥3.6
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92
1000+
￥1.81

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

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1+
￥2.76
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￥2.17
30+
￥1.92
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￥1.6
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：EG3114 编号：C20416244

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3
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￥2.32
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￥2.03
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￥1.67
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￥1.63
1000+
￥1.53

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型号：NSG10752 编号：C53463331

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥3.384 ￥3.76
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￥2.781 ￥3.09
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￥2.484 ￥2.76
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￥2.178 ￥2.42
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.908 ￥2.12

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型号：GC4931P 编号：C16197198

封装：QFN-28

品牌：SX(芯麦)

GC4931P是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。芯片可以驱动NMOS，可在4.7~36V电源电压，10A的持续电流下工作，芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 5mmx5mm的QFN28脚，底部有散热片。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流；堵转保护时间可调；内置霍尔元件；过温保护，过压监测，同步整流等等。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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￥3.61
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￥3.17
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￥2.96
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￥2.74
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￥2.61
1000+
￥2.55

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型号：UCC27323DR-JSM 编号：C18195045

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

1+
￥3.61
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￥2.85
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￥2.53
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￥2.12
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￥1.95
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￥1.84

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型号：JSM2000G 编号：C7498994

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

100%占空比，适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用，高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等

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￥4.22
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￥3.72
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￥3.46
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￥3.21
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￥3.06
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￥2.98

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型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

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￥4.27
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￥3.52
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￥3.27
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￥3.13
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￥3.05

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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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￥4.54
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￥3.67
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￥3.23
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￥2.46
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￥2.2
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￥2.07

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型号：DRV8212PDSGR 编号：C5208051

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8212P 具有 PWM 控制和低功耗睡眠模式的 12V、3A H 桥电机驱动器

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￥4.95
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￥4.2
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￥3.68
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￥3.24
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￥3.11
1000+
￥3.02

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型号：NSG2011 编号：C53436441

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.013 ￥5.57
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￥4.122 ￥4.58
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￥3.672 ￥4.08
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￥3.231 ￥3.59
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￥2.961 ￥3.29
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￥2.826 ￥3.14

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型号：TC4420VOA713 编号：C624916

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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1+
￥5.53
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￥3.91
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￥3.38
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￥3.06
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￥2.89

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型号：NSG2113N 编号：C54348597

封装：SOP-16

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.586 ￥5.88
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￥4.522 ￥4.76
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￥3.99 ￥4.2
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￥3.4675 ￥3.65
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￥2.9925 ￥3.15

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型号：A3901SEJTR-T 编号：C146403

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定二线制霍尔开关

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￥6.11
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￥4.95
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￥4.36
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￥3.46
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￥3.11
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￥2.94

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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥6.39
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￥5.19
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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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1+
￥6.67
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￥5.42
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￥4.8
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￥4.01
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￥3.45

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型号：DRV8824PWPR 编号：C86252

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、1.6A 双极步进电机驱动器

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1+
￥6.92
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￥5.77
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￥4.03
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￥3.88

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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.02
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￥5.81
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￥5.21
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￥4.61
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￥3.81

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型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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1+
￥7.1
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￥5.88
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￥4.45
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￥4.11
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￥3.96

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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1+
￥7.73
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￥6.62
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￥6.06
100+
￥5.51
500+
￥5.18
1000+
￥5

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥8.1795 ￥8.61
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￥6.745 ￥7.1
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￥5.9565 ￥6.27
100+
￥5.0635 ￥5.33
500+
￥4.788 ￥5.04
1000+
￥4.6075 ￥4.85

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

1+
￥8.73
10+
￥7.95
30+
￥7.46
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￥6.96
500+
￥6.74
1000+
￥6.64

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型号：DRV8874QPWPRQ1 编号：C22448174

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

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1+
￥9.01
10+
￥7.3
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￥6.36
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￥5.29
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￥4.82
1000+
￥4.61

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型号：DRV8801AQRMJRQ1 编号：C701788

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8801A-Q1 具有电流反馈功能并采用可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 40V、2.8A H 桥电机驱动器

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￥9.62
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￥8.15
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￥7.34
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￥6.43
500+
￥6.02
1000+
￥5.84

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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