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封装：SOIC-8

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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￥6.25
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￥3.49

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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥6.32
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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

数据手册

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

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￥7.84
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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：MS35776 编号：C5371384

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。

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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

数据手册

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￥9.9
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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

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型号：BD6230F-E2 编号：C84323

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

SingleChannelDualOutput32V0.5ASMTBrushMotorH-BridgeDriver-SOP-8

数据手册

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￥12.01
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￥7.06
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￥6.82

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

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￥13.04
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￥6.91

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型号：TLE94112EL 编号：C540161

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

刷式直流电动机驱动器

数据手册

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￥13.89

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

数据手册

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￥16.0251 ￥17.61
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￥15.5337 ￥17.07
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￥15.0332 ￥16.52
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￥14.6965 ￥16.15

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

数据手册

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￥17.17
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￥12.77
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￥11.03
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￥9.9

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

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￥17.28
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￥16.34
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￥15.79
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￥14.96
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￥14.84

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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥23.2
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￥20.66
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￥17.62
500+
￥17
1000+
￥16.73

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型号：VNH3SP30TR-E 编号：C2969756

封装：MultiPowerSO-30

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥53.62
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￥45.89
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￥41.17
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￥37.23

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥84.35
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￥80.66
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￥74.27
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￥68.7

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型号：GR6205 编号：C18164412

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片 5V，双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止

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￥0.2088
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￥0.1602
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￥0.1332
3000+
￥0.117
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￥0.103
21000+
￥0.0954

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型号：L9110S 编号：C5157607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动，步进电机驱动和开关功率管等电路上

数据手册

5+
￥0.92367 ￥1.0263
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￥0.73314 ￥0.8146
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￥0.65151 ￥0.7239
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￥0.54963 ￥0.6107
2500+
￥0.51183 ￥0.5687
4000+
￥0.48456 ￥0.5384

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型号：L9110S(XBLW) 编号：C18723580

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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￥0.95148 ￥1.0572
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￥0.76095 ￥0.8455
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￥0.67932 ￥0.7548
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￥0.57744 ￥0.6416
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￥0.53208 ￥0.5912
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￥0.50481 ￥0.5609

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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥1.2283
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￥0.9607
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￥0.846
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￥0.703
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￥0.6393
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￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。