美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

此款P沟道场效应管采用SOP-8封装、漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):10A,RDS:10V@8A=15MR,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、以及任何需要高效能量控制和管理的电路。它的高效能和低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择

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￥0.82044 ￥0.9116
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￥0.71649 ￥0.7961
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￥0.67194 ￥0.7466
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￥0.61632 ￥0.6848
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￥0.59157 ￥0.6573
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￥0.57672 ￥0.6408

有货

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型号：NTS170N06S 编号：C41784119

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。

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￥0.8249
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￥0.6617
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￥0.5801
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￥0.5189
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￥0.4767

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型号：FDD5680(UMW) 编号：C20754807

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 38A (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 21mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 25mΩ (VGS = 6V)。低栅极电荷（典型值33nC）。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

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￥0.8568
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￥0.7003
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￥0.6417
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￥0.6157
5000+
￥0.6

有货

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型号：AO4410 编号：C5183838

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

数据手册

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￥0.91272 ￥1.1409
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￥0.73128 ￥0.9141
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￥0.65352 ￥0.8169
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￥0.55656 ￥0.6957
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￥0.51336 ￥0.6417
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￥0.48736 ￥0.6092

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型号：HAONR21321 编号：C22449550

封装：DFN3X3-8L

此款MOS管设计针对低电压应用，拥有30V的耐压值，确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。内阻仅13毫欧最大，优化了信号传输速度与能效。50安培的电流驱动能力，适合驱动中等电流需求的电路，是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。

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￥0.98208 ￥1.056
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￥0.771156 ￥0.8292
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￥0.68076 ￥0.732
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￥0.567951 ￥0.6107
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￥0.517731 ￥0.5567
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￥0.487599 ￥0.5243

有货

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型号：HXY4882S 编号：C5148650

封装：SOP-8

高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。

数据手册

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￥1.025145 ￥1.0791
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￥0.80503 ￥0.8474
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￥0.71079 ￥0.7482
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￥0.593085 ￥0.6243
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￥0.50141 ￥0.5278
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￥0.469965 ￥0.4947

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型号：HXY30N06NF 编号：C3033450

封装：DFN5x6-8L

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，连续电流30A。适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供高效能与紧凑设计，是现代电子设备实现高功率密度的理想半导体器件选择。

数据手册

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￥1.077
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￥0.8729
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￥0.7854
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￥0.6762
2500+
￥0.6278
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￥0.5987

有货

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型号：HXY100N03D 编号：C3033435

封装：TO-252-2L

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计，提供低损耗、高效能的开关控制性能。

数据手册

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￥1.1437
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￥0.8917
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￥0.7837
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￥0.649
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￥0.589
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￥0.53

有货

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型号：AP30P30Q-ES 编号：C19725093

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道,-30V,-39A,8.0mΩ@10V,-12A,-1.4V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥1.1912
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￥0.798
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￥0.6509
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￥0.5854
5000+
￥0.546

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型号：DMN2009LSS-13-JSM 编号：C18191907

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

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￥1.230205 ￥1.4473
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￥1.081285 ￥1.2721
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￥1.017535 ￥1.1971
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￥0.93789 ￥1.1034
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￥0.902445 ￥1.0617
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￥0.881195 ￥1.0367

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型号：IRF7807ATRPBF-VB 编号：C6705275

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.326595 ￥1.5607
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￥1.16773 ￥1.3738
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￥1.099645 ￥1.2937
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￥1.01473 ￥1.1938
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￥0.976905 ￥1.1493
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￥0.95421 ￥1.1226

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型号：CRTD063N04L 编号：C467178

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

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￥1.6027
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￥1.2499
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￥1.0987
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￥0.91
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￥0.826
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￥0.8155

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型号：MDV3605URH-HXY 编号：C22367084

封装：DFN3x3-8L

MDV3605URH P沟道MOSFET以其先进的DFN3X3-8L封装形式展现，实现小尺寸与优良散热性能的完美结合。器件核心参数优越支持高达30V的电压额定值(VDSS)，连续通过电流高达40A，且具有出色的13mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效的电力传输和极低的能量损耗。适用于电源转换、电机驱动等各种严苛环境下的高功率应用，是提升系统效能和节能方案的理想半导体组件。

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￥1.652024 ￥1.8773
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￥1.297208 ￥1.4741
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￥1.145144 ￥1.3013
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￥0.955416 ￥1.0857
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￥0.870936 ￥0.9897
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￥0.82016 ￥0.932

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型号：AOD603A-MS 编号：C22462611

封装：TO-252-4L

此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道，采用TO-252-4L封装，他具备漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):13A,强大的性能，被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。

5+
￥1.671905 ￥1.7599
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￥1.312805 ￥1.3819
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￥1.158905 ￥1.2199
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￥0.96691 ￥1.0178
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￥0.88141 ￥0.9278
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￥0.83011 ￥0.8738

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型号：HXY30N10D 编号：C5148652

封装：TO-252-2L

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电子设备需求。

数据手册

5+
￥1.689575 ￥1.7785
50+
￥1.354415 ￥1.4257
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￥1.210775 ￥1.2745
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￥1.031605 ￥1.0859
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￥0.91371 ￥0.9618
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￥0.865735 ￥0.9113

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型号：VBE1695 编号：C416259

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.1505 ￥2.53
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￥1.7085 ￥2.01
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￥1.5215 ￥1.79
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￥1.2835 ￥1.51
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￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.1135 ￥1.31

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型号：IRF7103TRPBF-VB 编号：C6705269

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.9635 ￥2.31
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.768 ￥2.08
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￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：NDS9407 编号：C236919

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥2.351
50+
￥1.9441
150+
￥1.7697
500+
￥1.552

有货

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型号：FDS9945 编号：C94891

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

数据手册

1+
￥2.55
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￥2
30+
￥1.76
100+
￥1.46
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

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型号：MDV3604URH-HXY 编号：C22366846

封装：DFN3x3-8L

MDV3604 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为高密度电路设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达32A的连续漏极电流(ID)，并展现出极其出色的10mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作条件下仍然保持高效能与低发热。这款MOS管广泛应用在电源转换、马达驱动、电池管理系统等场合，是实现高功率密度和节能设计的理想之选。

1+
￥2.975 ￥3.5
10+
￥2.363 ￥2.78
30+
￥2.0655 ￥2.43
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￥1.7595 ￥2.07
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￥1.581 ￥1.86
1000+
￥1.4875 ￥1.75

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型号：SE18NS65F 编号：C2920979

封装：TO-220F

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥3.04
50+
￥2.53
100+
￥2.36
500+
￥2.26
1000+
￥2.2

有货

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型号：IRFH7932PBF-MS 编号：C51908847

封装：DFN-8L(5x6)

此款IRFH7932PBF-MS场效应管N沟道设计，150A高电流承载能力搭配30V电压承受能力，双重保障高功率场景稳定运行；2mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，20V VGS 设计降低驱动难度、提升控制便捷性。器件广泛适配电源管理、马达控制、信号放大等高性能电子设备，为系统效率与可靠性升级提供有力支撑

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.01
500+
￥1.85
1000+
￥1.75

有货

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型号：SI7309DN-T1-E3-MS 编号：C51908773

封装：DFN-8L(3x3)

此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能；60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景，70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率，凭借优异电气性能与可靠品质，成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

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型号：SSM3K341R,LXHF 编号：C5908551

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 36mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 43mΩ（典型值）(@ VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

1+
￥3.52
10+
￥2.81
30+
￥2.45
100+
￥2.1
500+
￥1.89
1000+
￥1.78

有货

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型号：KCD3008A 编号：C2839422

封装：TO-252

品牌：KIA

电机驱动。同步整流 (SR)。DC/DC 转换器。通用应用

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3
30+
￥2.64
100+
￥2.29
500+
￥2.03
1000+
￥1.92

有货

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型号：RSU12N65F 编号：C5371970

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

数据手册

1+
￥3.7905 ￥3.99
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￥3.154 ￥3.32
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￥2.831 ￥2.98
100+
￥2.5175 ￥2.65
500+
￥2.3275 ￥2.45
1000+
￥2.223 ￥2.34

有货

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型号：AOD240-VB 编号：C557963

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥4.1895 ￥4.41
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￥3.458 ￥3.64
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￥3.097 ￥3.26
100+
￥2.736 ￥2.88
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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型号：CSD16403Q5A-MS 编号：C51927979

封装：DFN-8L(5x6)