美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MPF9N90 编号：C49108792

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道漏源电压:900V 连续漏极电流:9A 导通电阻:0.97Ω@10V,4.5A 描述：这是一款N沟道的超高压MOS，适用于工业开关电源，电源适配器、LED驱动等领域

1+
￥4.58
10+
￥3.72
50+
￥3.29
100+
￥2.86
500+
￥2.6

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型号：SVF18N50PN 编号：C2761790

封装：TO-3P

品牌：SILAN(士兰微)

SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

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1+
￥5.13
10+
￥4.14
30+
￥3.77
90+
￥3.28
510+
￥2.99
1200+
￥2.84

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型号：SI7336ADP-T1-E3-MS 编号：C51928007

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

1+
￥5.27
10+
￥4.27
30+
￥3.78
100+
￥3.29

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型号：SFS15R10GNF 编号：C5175401

封装：PDFN5x6-8

品牌：ORIENTAL SEMI(东微)

FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。高电压系列专为驱动电压超过10V的电源系统而设计。

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1+
￥5.71
10+
￥4.58
30+
￥4.01
100+
￥3.45
500+
￥2.96
1000+
￥2.78

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型号：RS65R190BD 编号：C49317662

封装：PTO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥5.73
10+
￥4.65
30+
￥4.11
100+
￥3.57
500+
￥3.25
1000+
￥3.08

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型号：CRTT029N06N 编号：C841350

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

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1+
￥6.24
10+
￥5.67
50+
￥5.36
100+
￥5.01
500+
￥3.84
1000+
￥3.77

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型号：RS65R190T 编号：C7465268

封装：TO-220

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥7.01
10+
￥5.95
50+
￥5.36
100+
￥4.7

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型号：BSC037N08NS5-MS 编号：C51927966

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC037N08NS5-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。该器件支持高达100V的工作电压VDSS，可提供稳健的85A连续电流输出，尤其突出的是其低至4.3mR的导通电阻RD(on)，极大地提升了能源利用效率并降低了系统损耗。无论是电源转换、马达驱动抑或是新能源产业，BSC037N08NS5 都以其卓越的电气性能和紧凑体积成为理想的选择。

1+
￥7.11
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￥5.92
30+
￥5.27
100+
￥4.53

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型号：RSF65T110F 编号：C51904666

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥7.21
10+
￥6.01
50+
￥5.34
100+
￥4.6

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型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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1+
￥7.45
10+
￥6.28
30+
￥5.64
100+
￥4.92
500+
￥4.4

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型号：PSMN2R0-25MLDX 编号：C553243

封装：SOT-1210

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK33 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现有问题的高泄漏电流。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。

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