美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating : HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.1375
500+
￥0.1105
3000+
￥0.0955
6000+
￥0.0865
24000+
￥0.0787
51000+
￥0.0744

有货

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型号：2N7002W 编号：C5224238

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1411
200+
￥0.1074
600+
￥0.0887
3000+
￥0.0774
9000+
￥0.0677
21000+
￥0.0624

有货

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型号：2N7002W 编号：C5174639

封装：SOT-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-323封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

20+
￥0.1623
200+
￥0.1299
600+
￥0.1119
3000+
￥0.0925
9000+
￥0.0831
21000+
￥0.078

有货

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型号：WNM2021-3/TR-ES 编号：C22363754

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1742
200+
￥0.1364
600+
￥0.1154
3000+
￥0.1028
9000+
￥0.0919
21000+
￥0.086

有货

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型号：MS3134KDFN 编号：C22365397

封装：DFN1006-3

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款消费级N沟道MOSFET采用DFN1006-3封装，表面贴装封装，尺寸紧凑且具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局，应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。

20+
￥0.17595 ￥0.1955
200+
￥0.13707 ￥0.1523
600+
￥0.11547 ￥0.1283
2000+
￥0.10251 ￥0.1139
10000+
￥0.09126 ￥0.1014
20000+
￥0.08523 ￥0.0947

有货

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型号：FDN302P(UMW) 编号：C5346819

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。漏源击穿电压VDS(V) = 20V。漏极电流ID = -2.4A。静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）；80mΩ（VGS = -2.5V）

数据手册

20+
￥0.1784
200+
￥0.1381
600+
￥0.1157
3000+
￥0.1023
9000+
￥0.0907
21000+
￥0.0844

有货

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型号：SSM3K15AMFV,L3F 编号：C516857

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@ VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@ VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

20+
￥0.1807
200+
￥0.1388
600+
￥0.1155
2000+
￥0.1015
8000+
￥0.0894

有货

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型号：ES3134KZ 编号：C7527980

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，两个N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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型号：CJAA3139K 编号：C504061

封装：WBFBP-03E

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。与CJAA3134K互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
￥0.1363
2000+
￥0.121

有货

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型号：2N7002DW 编号：C5224248

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.2116
200+
￥0.161
600+
￥0.133
3000+
￥0.1161
9000+
￥0.1015
21000+
￥0.0936

有货

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型号：XP151A13A0MR-HXY 编号：C22367246

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术，封装形式为SOT-23，小巧而高效。其核心参数出色，具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是，该器件拥有超低的导通电阻RD(on)，仅为48mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效，是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

10+
￥0.223392 ￥0.2864
100+
￥0.176592 ￥0.2264
300+
￥0.153192 ￥0.1964
3000+
￥0.135642 ￥0.1739
6000+
￥0.121602 ￥0.1559
9000+
￥0.114582 ￥0.1469

有货

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型号：SI2333-ES 编号：C22379634

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

20+
￥0.2498
200+
￥0.1901
600+
￥0.157
3000+
￥0.1371
9000+
￥0.1198
21000+
￥0.1105

有货

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型号：DMN3404L-7-ES 编号：C21713844

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，6.2A，17mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

20+
￥0.2532
200+
￥0.1976
600+
￥0.1668
3000+
￥0.1482
9000+
￥0.1322
21000+
￥0.1235

有货

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型号：SI3134KL3A-TP 编号：C3288245

封装：DFN1006-3

品牌：MCC(美微科)

特性：低逻辑电平栅极驱动操作。 N沟道开关，低导通电阻。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 ESD人体模型2000V。湿度敏感度等级1。无卤“绿色”器件。无铅涂层/符合RoHS标准

10+
￥0.2599
100+
￥0.2071
300+
￥0.1807
1000+
￥0.1609
5000+
￥0.1451
10000+
￥0.1371

有货

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型号：WST4041-ES 编号：C39832220

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，：-5A，68mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.34
100+
￥0.268
300+
￥0.232
3000+
￥0.205
6000+
￥0.1834
9000+
￥0.1725

有货

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型号：DMN10H220L-7 编号：C41365190

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.3405
100+
￥0.2685
300+
￥0.2325
3000+
￥0.2055
6000+
￥0.1839
9000+
￥0.1731

有货

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型号：SI2302DS-T1-GE3-VB 编号：C558245

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.38437 ￥0.4046
100+
￥0.30229 ￥0.3182
300+
￥0.26125 ￥0.275
3000+
￥0.218215 ￥0.2297
6000+
￥0.19361 ￥0.2038
9000+
￥0.18126 ￥0.1908

有货

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型号：SI2300DS-T1-GE3-VB 编号：C558241

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.397765 ￥0.4187
100+
￥0.315685 ￥0.3323
300+
￥0.274645 ￥0.2891
3000+
￥0.235315 ￥0.2477
6000+
￥0.21071 ￥0.2218
9000+
￥0.19836 ￥0.2088

有货

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型号：RUM002N05T2L 编号：C510347

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（EMT3）。超低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.4196
100+
￥0.338
300+
￥0.2972
1000+
￥0.2666
5000+
￥0.2421

有货

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型号：IRLML2502TRPBF-VB 编号：C558174

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.443555 ￥0.4669
50+
￥0.347795 ￥0.3661
150+
￥0.299915 ￥0.3157
500+
￥0.264005 ￥0.2779
3000+
￥0.240065 ￥0.2527
6000+
￥0.225625 ￥0.2375

有货

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型号：BSS123NH6433XTMA1 编号：C41365203

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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型号：AO4842 编号：C5224314

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，30V，7.7A，16.0mΩ@10V,7.7A，1.5V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.474
50+
￥0.3665
150+
￥0.3128
500+
￥0.2724
3000+
￥0.2402
6000+
￥0.224

有货

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型号：SSM3J35AMFV,L3F 编号：C5274156

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

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