美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：RS4N65D 编号：C5371920

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源

数据手册

5+
￥0.980875 ￥1.0325
50+
￥0.77026 ￥0.8108
150+
￥0.679915 ￥0.7157
500+
￥0.567245 ￥0.5971
2500+
￥0.517085 ￥0.5443
5000+
￥0.48697 ￥0.5126

有货

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型号：ESN4838 编号：C5350984

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，30V，33A，7.5mΩ@10V,20A，1.4V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.0346
10+
￥0.7725
30+
￥0.6602
100+
￥0.52

有货

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型号：HXY4882S 编号：C5148650

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。

数据手册

5+
￥1.063905 ￥1.1199
50+
￥0.843885 ￥0.8883
150+
￥0.74955 ￥0.789
500+
￥0.631845 ￥0.6651
3000+
￥0.54017 ￥0.5686
6000+
￥0.508725 ￥0.5355

有货

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型号：IRFR5505PBF-HXY 编号：C22366487

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备高效散热性能。该器件工作电压VDSS高达60V，连续电流ID可承载15A，满足大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为70mR，有效减少功率损耗，提高能源利用效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高功率、低损耗电路的理想选择。

5+
￥1.069314 ￥1.1498
50+
￥0.839697 ￥0.9029
150+
￥0.74121 ￥0.797
500+
￥0.61845 ￥0.665
2500+
￥0.563766 ￥0.6062
5000+
￥0.530937 ￥0.5709

有货

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型号：NTGS4141NT1G-MS 编号：C52287368

封装：TSOP-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款NTGS4141NT1G-MS是一款高性能N沟道MOSFET管，采用小型TSOP-6封装，其核心参数表现突出：最大漏源电压VDSS：60V，连续漏极电流ID：3.6A，导通电阻低，能在中低压场景下实现高效电流控制。适用于低压电源转换（如5V/12VDC-DC模块）、小型电机驱动（如玩具电机、风扇驱动）及消费电子电源管理，尤其适合对体积敏感的便携式设备（如智能穿戴、小型家电）选型需求

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458
3000+
￥0.5918

有货

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型号：KPD7910A 编号：C2896661

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻Rps(on)。出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥1.1454
50+
￥0.9095
150+
￥0.8084
500+
￥0.6823
2500+
￥0.6261
5000+
￥0.5924

有货

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型号：ES4407 编号：C5140344

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.1639
10+
￥0.8691
30+
￥0.7427
100+
￥0.585

有货

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型号：HXY4884S 编号：C5148649

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，额定电压40V，可承载高达12A的连续电流。专为高效电源转换、电机驱动等应用打造，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是优化系统能效、提升设备运行表现的理想半导体器件选择。

数据手册

5+
￥1.16508 ￥1.2264
50+
￥0.94525 ￥0.995
150+
￥0.851105 ￥0.8959
500+
￥0.73359 ￥0.7722
3000+
￥0.613985 ￥0.6463
6000+
￥0.582635 ￥0.6133

有货

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型号：HXY100N03D 编号：C3033435

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计，提供低损耗、高效能的开关控制性能。

数据手册

1+
￥1.1962
10+
￥0.9442
30+
￥0.8362
100+
￥0.7015
500+
￥0.6415
1000+
￥0.5825

有货

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型号：AM20N06-90D-T1-PF-JSM 编号：C7462821

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

5+
￥1.29608 ￥1.5248
50+
￥1.13186 ￥1.3316
150+
￥1.06148 ￥1.2488
500+
￥0.97359 ￥1.1454
2500+
￥0.93449 ￥1.0994
5000+
￥0.91103 ￥1.0718

有货

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型号：APM4828KC-TRL-VB 编号：C558096

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.297355 ￥1.5263
50+
￥1.13832 ￥1.3392
150+
￥1.070235 ￥1.2591
500+
￥0.985235 ￥1.1591
2500+
￥0.825265 ￥0.9709
4000+
￥0.80257 ￥0.9442

有货

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型号：SE30P50B 编号：C238706

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计，实现超低导通电阻、完全表征的雪崩电压和电流、改进的直通 FOM、简单的驱动要求；小封装外形；表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.6497
50+
￥1.4502
150+
￥1.3647
500+
￥1.2581
3000+
￥1.1353
6000+
￥1.1068

有货

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型号：RT1A050ZPTR 编号：C308756

封装：TSST-8

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高功率封装。低电压驱动(1.5V)。应用：开关

数据手册

1+
￥1.9642 ￥3.22
10+
￥1.7995 ￥2.95
30+
￥1.7263 ￥2.83
100+
￥1.6409 ￥2.69
500+
￥1.5982 ￥2.62
1000+
￥1.5738 ￥2.58

有货

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型号：SSM6K513NU,LF 编号：C3008601

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 8.0mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

5+
￥2.1704
50+
￥1.691
150+
￥1.4855
500+
￥1.2291

有货

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型号：NTD3055L170T4G-VB 编号：C725131

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.3085 ￥2.43
10+
￥1.8145 ￥1.91
30+
￥1.6055 ￥1.69
100+
￥1.3395 ￥1.41
500+
￥1.1115 ￥1.17
1000+
￥1.045 ￥1.1

有货

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型号：NDS9407 编号：C236919

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥2.351
50+
￥1.9441
150+
￥1.7697
500+
￥1.552

有货

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型号：RS70R600D 编号：C51904714

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥2.375 ￥2.5
10+
￥1.881 ￥1.98
30+
￥1.672 ￥1.76
100+
￥1.406 ￥1.48
500+
￥1.292 ￥1.36
1000+
￥1.2255 ￥1.29

有货

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型号：HYG053N10NS1D 编号：C18236201

封装：TO-252-2L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/95A，导通电阻RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。电机控制与驱动

1+
￥2.43
10+
￥1.91
30+
￥1.68
100+
￥1.4
500+
￥1.28
1000+
￥1.18

有货

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型号：RD3H045SPFRATL 编号：C6936495

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。通过AEC-Q101认证。应用：开关

1+
￥2.47
10+
￥2.42
30+
￥2.38
100+
￥2.35

有货

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型号：SM409T9RL-HXY 编号：C48972137

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

P沟道场效应管（MOSFET），漏源电压（VDSS）为60V，持续漏极电流（ID）可达30A，适用于多种电源管理场景。导通电阻（RDON）仅为29mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件基于P沟道设计，常用于直流电机驱动、电池充放电控制及开关电源电路中。凭借其高可靠性与优异的热稳定性，可广泛适配于通信设备、智能家居装置以及便携式电子产品的电源系统。

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.052 ￥2.16
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.406 ￥1.48
1000+
￥1.33 ￥1.4

有货

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型号：NVT100N10C 编号：C41784121

封装：TO-220C

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。

1+
￥2.77
10+
￥2.16
30+
￥1.9
100+
￥1.65
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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型号：SI7336ADP-T1-GE3-HXY 编号：C22366654

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7336ADP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，适应现代电子产品的小型化设计需求。该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，可处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强大的电流承载能力。其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗，提高系统能效，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合，是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。

1+
￥2.9548 ￥3.56
10+
￥2.3987 ￥2.89
30+
￥2.1248 ￥2.56
100+
￥1.8509 ￥2.23
500+
￥1.6932 ￥2.04
1000+
￥1.6019 ￥1.93

有货

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型号：RS60R380BD 编号：C49317666

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS

1+
￥3.002 ￥3.16
10+
￥2.375 ￥2.5
30+
￥2.109 ￥2.22
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.539 ￥1.62

有货

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型号：SFS08R03GNF 编号：C5118908

封装：PDFN5x6-8

品牌：ORIENTAL SEMI(东微)

SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专门针对栅极驱动电压大于10V的高压系统进行了优化。

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.86
500+
￥1.56
1000+
￥1.46

有货

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型号：SE18NS65F 编号：C2920979

封装：TO-220F

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥3.04
50+
￥2.53
100+
￥2.36
500+
￥2.26
1000+
￥2.2

有货

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型号：IRFH7932PBF-MS 编号：C51908847

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款IRFH7932PBF-MS场效应管N沟道设计，150A高电流承载能力搭配30V电压承受能力，双重保障高功率场景稳定运行；2mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，20V VGS 设计降低驱动难度、提升控制便捷性。器件广泛适配电源管理、马达控制、信号放大等高性能电子设备，为系统效率与可靠性升级提供有力支撑

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.01
500+
￥1.85

有货

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型号：ECH8310-TL-H 编号：C890594

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：4V驱动。无卤合规。内置保护二极管

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3.33
30+
￥3.14
100+
￥2.95
500+
￥2.68
1000+
￥2.62

有货

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型号：FDN5632N-F085 编号：C891117

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。低米勒电荷。 UIS能力。符合AEC Q101标准。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

数据手册

1+
￥4.32
10+
￥3.49
30+
￥3.08
100+
￥2.68
500+
￥2.43
1000+
￥2.31

有货

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型号：CSD16403Q5A-MS 编号：C51927979

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，以其紧凑尺寸实现高性能集成。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流应用中的稳定运行。其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ，助力降低功耗、提升整体能效，广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是实现高效、节能电路设计的理想选择。

1+
￥4.47
10+
￥3.62
30+
￥3.2
100+
￥2.79

有货

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型号：IRL540NPBF-VB 编号：C5240567

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.541 ￥4.78
10+
￥3.6955 ￥3.89
50+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.641 ￥2.78
500+
￥2.394 ￥2.52
1000+
￥2.261 ￥2.38

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