美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：RD3L220SNTL1 编号：C5846727

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关

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￥4.48
10+
￥3.57
30+
￥3.11
100+
￥2.66
500+
￥2.39
1000+
￥2.25

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型号：SIRA01DP-T1-GE3-HXY 编号：C22367088

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SIRA01DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，集高效散热与小型化于一体。该器件特色鲜明具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达90A的连续工作电流，且导通电阻(RD(on))低至3.6mΩ，显著提高了功率转换效率并降低了能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等对电流需求大的领域，是提升系统性能、实现节能目标的优选半导体器件。

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￥4.6275 ￥6.17
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￥3.7275 ￥4.97
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￥2.5575 ￥3.41
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￥2.4225 ￥3.23

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型号：RD3L140SPTL1 编号：C509776

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关

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￥4.74
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￥3.95
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￥3.55
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￥3.16
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￥2.58
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￥2.46

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型号：SI7336ADP-T1-E3-MS 编号：C51928007

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

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￥5.0065 ￥5.27
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￥4.0565 ￥4.27
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￥3.591 ￥3.78
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￥3.1255 ￥3.29
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￥2.8405 ￥2.99
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￥2.698 ￥2.84

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型号：FDMS6681Z-MS 编号：C51927958

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款FDMS6681Z-MS是一款P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼具出色散热性能与高集成度。器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)，可承载高达110A的连续电流，而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升，降低功耗损失。广泛应用于高压大电流领域，如电源转换、电机驱动等，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。

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￥5.225 ￥5.5
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￥4.237 ￥4.46
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￥3.743 ￥3.94
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￥2.812 ￥2.96

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型号：SI7415DN-T1-E3 编号：C5263738

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。快速开关。应用：负载开关。半桥电机驱动器

数据手册

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￥5.36
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￥4.44
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￥3.87
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￥3.28
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￥3.02
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￥2.9

有货

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型号：BSC072N08NS5-MS 编号：C51927961

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC072N08NS5-MS是一款采用DFN5X6-8L封装的高效N沟道MOSFET，专注于提供卓越的电源管理解决方案。器件具备100V的额定电压VDSS，能可靠处理高达85A的连续电流，满足严苛的电流传输需求。其核心技术亮点是4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，大幅提升能效。无论应用于电源转换、电机驱动、或者新能源领域，BSC072N08NS5 凭借出色的电气性能和紧凑尺寸，成为您的理想半导体元件之选。

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￥5.6525 ￥5.95
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￥3.0495 ￥3.21

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型号：BSC066N06NS-MS 编号：C51927960

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC066N06NS-MS是一款N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。

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￥6.2035 ￥6.53
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￥5.035 ￥5.3
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￥3.8665 ￥4.07
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￥3.344 ￥3.52

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型号：CRTT029N06N 编号：C841350

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

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￥6.58
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￥6.01
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￥5.7
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￥5.34
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￥4.18
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￥4.1

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型号：ZXMHC6A07N8TC 编号：C460274

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。

数据手册

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￥6.6
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￥5.52
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￥4.98
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￥4.44
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￥4.12
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￥3.95

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型号：BSC037N08NS5-MS 编号：C51927966

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC037N08NS5-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。该器件支持高达100V的工作电压VDSS，可提供稳健的85A连续电流输出，尤其突出的是其低至4.3mR的导通电阻RD(on)，极大地提升了能源利用效率并降低了系统损耗。无论是电源转换、马达驱动抑或是新能源产业，BSC037N08NS5 都以其卓越的电气性能和紧凑体积成为理想的选择。

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￥6.7545 ￥7.11
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￥5.624 ￥5.92
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￥5.0065 ￥5.27
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￥4.3035 ￥4.53
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￥3.99 ￥4.2
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￥3.8475 ￥4.05

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型号：SVF18N50PN 编号：C2761790

封装：TO-3P

品牌：SILAN(士兰微)

SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

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