美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.1763

有货

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型号：RZM002P02T2L 编号：C253531

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装 (VMT3)。低电压驱动(1.2V)，适用于便携式设备。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3505
100+
￥0.2785
300+
￥0.2425
1000+
￥0.2155
5000+
￥0.1939

有货

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型号：SI2300DS-T1-GE3-VB 编号：C558241

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.394155 ￥0.4149
100+
￥0.312075 ￥0.3285
300+
￥0.271035 ￥0.2853
3000+
￥0.231705 ￥0.2439
6000+
￥0.207005 ￥0.2179
9000+
￥0.19475 ￥0.205

有货

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型号：30N03A 编号：C7495276

封装：TO-252-2L

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流高达100A，专为高功率、大电流应用设计，如电源转换和电机驱动，提供卓越的开关性能及低损耗表现。

5+
￥0.4312 ￥0.49
50+
￥0.421872 ￥0.4794
150+
￥0.415712 ￥0.4724
500+
￥0.409552 ￥0.4654

有货

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型号：TP0610K 编号：C7472875

封装：SOT-23(TO-236)

应用：电话机中的线路电流断路器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4373
100+
￥0.3413
300+
￥0.2933
3000+
￥0.2573
6000+
￥0.2285
9000+
￥0.2141

有货

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型号：IRLML2502TRPBF-VB 编号：C558174

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.452295 ￥0.4761
50+
￥0.356535 ￥0.3753
150+
￥0.308655 ￥0.3249
500+
￥0.272745 ￥0.2871
3000+
￥0.248805 ￥0.2619
6000+
￥0.23446 ￥0.2468

有货

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型号：NTR5105PT1G 编号：C7472871

封装：SOT-23

应用：电话机中的线路电流断路器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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型号：ESS8810 编号：C41365198

封装：TSSOP8

带ESD保护，2个N沟道，20V，9.5A，11mΩ@4.5V,5A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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型号：AO4842 编号：C5224314

封装：SOP8

2个N沟道，30V，7.7A，16.0mΩ@10V,7.7A，1.5V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.474
50+
￥0.3665
150+
￥0.3128
500+
￥0.2724
3000+
￥0.2402
6000+
￥0.224

有货

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型号：RUM003N02T2L 编号：C510348

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关

数据手册

5+
￥0.4835
50+
￥0.3827
150+
￥0.3323
500+
￥0.2945
2500+
￥0.2643
5000+
￥0.2491

有货

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型号：RYM002N05T2CL 编号：C122626

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（VMT3）。超低电压驱动（0.9V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.5531
100+
￥0.4311
300+
￥0.3702
1000+
￥0.3244
5000+
￥0.2878

有货

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型号：AOD480-HXY 编号：C4748749

封装：TO-252-2L

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流20A，适用于高效电源转换、电机驱动等应用，提供低导通电阻、快速开关性能及卓越的功率管理解决方案。

数据手册

5+
￥0.601431 ￥0.6467
50+
￥0.488901 ￥0.5257
150+
￥0.432636 ￥0.4652
500+
￥0.390507 ￥0.4199
2500+
￥0.322896 ￥0.3472
5000+
￥0.306063 ￥0.3291

有货

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型号：NTD4805NT4G(UMW) 编号：C18295975

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻 (RDS(ON))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VDS(V) = 30V。 ID = 88A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 7.4mΩ (VGS = 4.5V)。 CPU 电源传输。 DC-DC 转换器。低端开关

5+
￥0.6897
50+
￥0.6015
150+
￥0.5637
500+
￥0.5165
2500+
￥0.4955
5000+
￥0.4829

有货

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型号：SI4435DY-ES 编号：C22363746

封装：SOP-8

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.741
50+
￥0.5538
150+
￥0.4602
500+
￥0.39

有货

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型号：TPM2299EX6 编号：C7472926

封装：SOT-563

特性：快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

有货

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型号：TPNTZD3154NT1G 编号：C2940615

封装：SOT-563

特性：快速开关。有环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.7741
50+
￥0.6153
150+
￥0.5358
500+
￥0.4763
2500+
￥0.3747
4000+
￥0.3508

有货

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型号：TPNTJD4152PT1G 编号：C2928714

封装：SOT-363

特性：快速开关。有绿色环保器件。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.7921
50+
￥0.6337
150+
￥0.5545
500+
￥0.4951
3000+
￥0.3934
6000+
￥0.3696

有货

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型号：NTS170N06S 编号：C41784119

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。

5+
￥0.8249
50+
￥0.6617
150+
￥0.5801
500+
￥0.5189
2500+
￥0.4767

有货

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型号：AON7407-ES 编号：C19725104

封装：PDFN3x3-8L

P沟道，-20V，-42A，8mΩ@-4.5V,-14A，-0.65V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.8398
50+
￥0.6277
150+
￥0.5216
500+
￥0.442

有货

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型号：Si2308BDS-T1-GE3-HXY 编号：C22366420

封装：SOT-23-3L

Si2308BDS-T1-GE3 型号MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封装，适应各类微小空间内集成应用。这款高性能N沟道MOSFET支持高达60V的工作电压，并能在稳定状态下承载4.5A的漏极电流，确保在多种高压大电流条件下可靠运行。其导通电阻低至70mΩ，有效提高了能源转化效率并减少了系统内部能耗。广泛运用于电源管理、马达驱动、负载切换等多种场景，是打造高效节能电子设备的关键组件。

5+
￥0.8676
50+
￥0.6814
150+
￥0.5883
500+
￥0.5184
3000+
￥0.4626
6000+
￥0.4346

有货

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型号：FDD5680(UMW) 编号：C20754807

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 38A (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 21mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 25mΩ (VGS = 6V)。低栅极电荷（典型值33nC）。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

5+
￥0.8965
50+
￥0.7087
150+
￥0.6148
500+
￥0.5444
2500+
￥0.488
5000+
￥0.4598

有货

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型号：AON6362-HXY 编号：C5148674

封装：DFN5X6-8L

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。专为高功率密度和高效能应用设计，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供卓越的散热性能与空间利用率。

数据手册

5+
￥0.93043 ￥0.9794
50+
￥0.742995 ￥0.7821
150+
￥0.662625 ￥0.6975
500+
￥0.5624 ￥0.592
2500+
￥0.492955 ￥0.5189
5000+
￥0.466165 ￥0.4907

有货

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型号：AO6800 编号：C49011433

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：低导通电阻高密度超低电阻设计。 2.5V栅极驱动。低驱动电流。封装形式：SOT-23-6

5+
￥0.9444
50+
￥0.7394
150+
￥0.6515
500+
￥0.5419

有货

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型号：HXY70N03NF 编号：C3033453

封装：DFN5X6-8L

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。适用于高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，凭借其卓越的功率密度与散热性能，满足现代电子设备对高电流处理能力的需求。

数据手册

5+
￥0.952108 ￥1.0349
50+
￥0.752652 ￥0.8181
150+
￥0.667276 ￥0.7253
500+
￥0.560648 ￥0.6094
2500+
￥0.48944 ￥0.532
5000+
￥0.46092 ￥0.501

有货

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型号：HAONR21321 编号：C22449550

封装：DFN3X3-8L

此款MOS管设计针对低电压应用，拥有30V的耐压值，确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。内阻仅13毫欧最大，优化了信号传输速度与能效。50安培的电流驱动能力，适合驱动中等电流需求的电路，是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。

5+
￥0.98208 ￥1.056
50+
￥0.771156 ￥0.8292
150+
￥0.68076 ￥0.732
500+
￥0.567951 ￥0.6107
2500+
￥0.517731 ￥0.5567
5000+
￥0.487599 ￥0.5243

有货

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型号：DMN2009LSS-13-JSM 编号：C18191907

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

5+
￥1.0277
50+
￥1.0037
150+
￥0.9877
500+
￥0.9717

有货

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型号：AP30P30Q-ES 编号：C19725093

封装：PDFN3x3-8L