美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω，@VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω，@VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.1296
500+
￥0.1026
3000+
￥0.0876
6000+
￥0.0786
24000+
￥0.0708
51000+
￥0.0665

有货

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型号：SN7002N 编号：C51886157

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

20+
￥0.1311
200+
￥0.1014
600+
￥0.0849

有货

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型号：IRLML6344TRPBF-ES 编号：C21713845

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
3000+
￥0.0854
9000+
￥0.0761
21000+
￥0.071

有货

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型号：BSS138PW 编号：C5224278

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1484
200+
￥0.116
600+
￥0.098
3000+
￥0.0853
9000+
￥0.0759
21000+
￥0.0708

有货

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型号：FDV301N-ES 编号：C22379629

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1493
200+
￥0.1169
600+
￥0.0989
3000+
￥0.0827
9000+
￥0.0733
21000+
￥0.0683

有货

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型号：AP2300-ES 编号：C5224178

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

1+
￥0.1526
10+
￥0.1162
30+
￥0.0959
100+
￥0.0838
500+
￥0.0732
1000+
￥0.0675

有货

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型号：2N7002M3T5G-ES 编号：C5224234

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.1653
50+
￥0.1302
150+
￥0.1107
500+
￥0.099
2500+
￥0.0888
5000+
￥0.0834

有货

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型号：AO3409-ES 编号：C19725086

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-3.8A，60mΩ@-10V,-3.0A，-2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

20+
￥0.1664
200+
￥0.1313
600+
￥0.1118
3000+
￥0.0952
9000+
￥0.0851
21000+
￥0.0796

有货

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型号：2SK3541T2L-ES 编号：C22464626

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1763
200+
￥0.1331
600+
￥0.1091
2000+
￥0.0947

有货

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型号：CJE3134K 编号：C504104

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高端开关。低导通电阻。低阈值。快速开关速度。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统

数据手册

20+
￥0.1846
200+
￥0.1489
600+
￥0.1291
3000+
￥0.1119

有货

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型号：ES3134KZ 编号：C7527980

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，两个N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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型号：TPNTA7002NT1G 编号：C5310976

封装：SOD-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

数据手册

20+
￥0.1905
200+
￥0.1489
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1048
9000+
￥0.0928
21000+
￥0.0863

有货

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型号：LSI1012N3T5G 编号：C383274

封装：SOT-883-3

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：Power MOSFET：1.8-V额定栅源ESD保护高侧开关。低导通电阻：0.7Ω。低阈值：0.8V（典型值）。快速开关速度：10 ns。产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统

数据手册

20+
￥0.1938
200+
￥0.1544
600+
￥0.1325
2000+
￥0.1193

有货

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型号：CJ3139K 编号：C2890149

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.1941
200+
￥0.1554
600+
￥0.1339
3000+
￥0.1211

有货

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型号：IRLML0100TRPBF-ES 编号：C21713855

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

20+
￥0.197
200+
￥0.1443
600+
￥0.1151
3000+
￥0.0975

有货

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型号：2N7002KD 编号：C5224250

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2116
50+
￥0.161
150+
￥0.133
500+
￥0.1161
3000+
￥0.1015
6000+
￥0.0936

有货

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型号：2N7002DW 编号：C5224248

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.2116
200+
￥0.161
600+
￥0.133
3000+
￥0.1161
9000+
￥0.1015
21000+
￥0.0936

有货

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型号：SL002N02K 编号：C3041284

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：小封装（SOT723）。超低电压驱动（1.2V驱动）。无铅镀铅；符合RoHS标准。无卤。应用：开关

数据手册

10+
￥0.2831
100+
￥0.2255
300+
￥0.1967
1000+
￥0.1751
5000+
￥0.1578
8000+
￥0.1492

有货

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型号：PMV213SN,215 编号：C41365207

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

10+
￥0.3398
100+
￥0.2678
300+
￥0.2318
3000+
￥0.2048
6000+
￥0.1832
9000+
￥0.1724

有货

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型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

数据手册

10+
￥0.3663
100+
￥0.289
300+
￥0.2504
1000+
￥0.2214
5000+
￥0.1886

有货

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型号：SI2302DS-T1-GE3-VB 编号：C558245

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.38437 ￥0.4046
100+
￥0.30229 ￥0.3182
300+
￥0.26125 ￥0.275
3000+
￥0.218215 ￥0.2297
6000+
￥0.19361 ￥0.2038
9000+
￥0.18126 ￥0.1908

有货

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型号：SI2309CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343293

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：60V, -1.8A, RDS(ON) = 200mΩ@VGS = -10V。改进的dv/dt能力。快速开关。有绿色环保器件可选。应用：电机驱动。电动工具

数据手册

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

有货

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型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4702
100+
￥0.3796
300+
￥0.3343
3000+
￥0.2861
6000+
￥0.259
9000+
￥0.2454

有货

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型号：FDS6685(UMW) 编号：C18214387

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET，针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)。低栅极电荷（典型值17nC）。快速开关速度

5+
￥0.6529
50+
￥0.5146
150+
￥0.4455
500+
￥0.3936
3000+
￥0.3521
6000+
￥0.3314

有货

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型号：SSM3J356R,LF 编号：C3034012

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400mΩ（最大值）(@VGS = -4.0V)，RDS(ON) = 300mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.6646
50+
￥0.5206
150+
￥0.4487
500+
￥0.3947
3000+
￥0.3515

有货

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型号：RS3N50C 编号：C22364771

封装：SOT-223

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控辅助电源

5+
￥0.69654 ￥0.7332
50+
￥0.55062 ￥0.5796
150+
￥0.47766 ￥0.5028
500+
￥0.42294 ￥0.4452
2500+
￥0.379145 ￥0.3991
4000+
￥0.3572 ￥0.376

有货

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型号：TPM2299EX6-1 编号：C7472927

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

有货

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型号：NTZD3152PT1G 编号：C7472928

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

有货

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型号：FQD13N06LTM(UMW) 编号：C7499402

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。低栅极电荷（典型值4.8nC）。低Crss（典型值17pF）。可由逻辑驱动器直接操作。低电平栅极驱动要求

5+
￥0.7884
50+
￥0.6214
150+
￥0.5379
500+
￥0.4753
2500+
￥0.4252
5000+
￥0.4001

有货

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型号：Si2304BDS-T1-E3-HXY 编号：C22367341

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2304BDS-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型电路设计提供高效能解决方案。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载4A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是理想的高集成度、低电阻半导体组件。

5+
￥0.878925 ￥1.1719
50+
￥0.687975 ￥0.9173
150+
￥0.606225 ￥0.8083
500+
￥0.50415 ￥0.6722
3000+
￥0.4587 ￥0.6116
6000+
￥0.4314 ￥0.5752

有货

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