美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SuperSOT-6

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

数据手册

5+
￥2.3644
50+
￥1.8352
150+
￥1.6084
500+
￥1.1653
3000+
￥1.0393
6000+
￥0.9637

有货

立即购买

型号：RSU7N65D 编号：C5371939

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

数据手册

1+
￥2.37
10+
￥1.92
30+
￥1.72
100+
￥1.48
500+
￥1.37
1000+
￥1.31

有货

立即购买

型号：JMSL0606AG 编号：C2890434

封装：PDFN-8(5x5.8)

品牌：JJW(捷捷微)

特性：超低RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。 100% UIS测试。 100% Rg测试。应用：电信、工业自动化、消费电子的电源管理。电动工具、电动车、机器人的电机驱动

数据手册

5+
￥2.431
50+
￥1.9366
150+
￥1.7247
500+
￥1.3014
2500+
￥1.1837

有货

立即购买

型号：TPC8107&9-VB 编号：C6705332

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.53
10+
￥2.22
30+
￥2.09
100+
￥1.92
500+
￥1.7
1000+
￥1.66

有货

立即购买

型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.03
30+
￥1.77
100+
￥1.46

有货

立即购买

型号：MDD20N65F 编号：C5299409

封装：TO-220F

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路

1+
￥3.743 ￥3.94
10+
￥3.1255 ￥3.29
50+
￥2.451 ￥2.58
100+
￥2.1375 ￥2.25
500+
￥1.957 ￥2.06
1000+
￥1.862 ￥1.96

有货

立即购买

型号：12N65 编号：C7473294

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及12A大电流承载能力，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

1+
￥3.77
10+
￥3.12
50+
￥2.37
100+
￥2.04
500+
￥1.85
1000+
￥1.75

有货

立即购买

型号：BSC0702LS-MS 编号：C51908845

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET，采用DFN5X6-8L紧凑型封装，在节省空间的同时保障散热效率，专为高电压、大电流应用场景设计；60V额定电压搭配 125A 连续电流能力，可稳定承载大功率需求，尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能，成为现代高效电子设备的核心功率组件，为系统高效运行提供可靠支撑。

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21

有货

立即购买

型号：RD3L220SNTL1 编号：C5846727

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关

1+
￥4.78
10+
￥3.86
30+
￥3.41
100+
￥2.95
500+
￥2.68
1000+
￥2.54

有货

立即购买

型号：FDMS6681Z-MS 编号：C51927958

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款FDMS6681Z-MS是一款P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼具出色散热性能与高集成度。器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)，可承载高达110A的连续电流，而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升，降低功耗损失。广泛应用于高压大电流领域，如电源转换、电机驱动等，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。

1+
￥5.5
10+
￥4.46
30+
￥3.94
100+
￥3.43

有货

立即购买

型号：PGT10N018H 编号：C49384081

封装：TOLL-8L

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理。不间断电源 (UPS)

1+
￥6.441 ￥6.78
10+
￥5.358 ￥5.64
30+
￥4.769 ￥5.02
100+
￥4.104 ￥4.32
500+
￥3.8095 ￥4.01
1500+
￥3.667 ￥3.86

有货

立即购买

型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

数据手册

1+
￥9.04
10+
￥7.41
30+
￥6.52
100+
￥5.51
500+
￥5.06
1000+
￥4.86

有货

立即购买

型号：IPB180P04P403ATMA2 编号：C21547651

封装：TO-263-7L

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：先进的沟槽单元设计。低热阻。应用：电机驱动器。 DC-DC转换器

1+
￥10.25
10+
￥8.52
30+
￥7.57
100+
￥6.25
500+
￥5.77
1000+
￥5.55

有货

立即购买

型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥10.8071 ￥16.13
10+
￥8.7609 ￥15.37
30+
￥7.0124 ￥14.92
100+
￥6.8009 ￥14.47
500+
￥6.7022 ￥14.26
800+
￥6.6552 ￥14.16

有货

立即购买

型号：FDBL0150N80 编号：C512891

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on)=1.1 mΩ，VGS = 10V，ID = 80 A。典型Qg(tot)=172 nC，VGS = 10V，ΔD = 80 A。 UIS能力。 RoHS合规。应用：工业电机驱动。工业电源

数据手册

1+
￥16.34
10+
￥13.88
30+
￥12.19
100+
￥10.61
500+
￥9.9
1000+
￥9.59

有货

立即购买

型号：2N7002BK 编号：C5224220

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0552
200+
￥0.048
600+
￥0.044
3000+
￥0.0406
9000+
￥0.0385
21000+
￥0.0374

有货

立即购买

型号：2N7002LT1G-ES 编号：C5224213

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0681
500+
￥0.0552
3000+
￥0.048
6000+
￥0.0437
24000+
￥0.0399
51000+
￥0.0379

有货

立即购买

型号：T2N7002AK-MS 编号：C5449075

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

50+
￥0.07659 ￥0.0851
500+
￥0.05958 ￥0.0662
3000+
￥0.05013 ￥0.0557
6000+
￥0.04446 ￥0.0494
24000+
￥0.03951 ￥0.0439
51000+
￥0.03681 ￥0.0409

有货

立即购买

型号：2N7002E-T1-E3-ES 编号：C5224228

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.0782
50+
￥0.0609
150+
￥0.0513
500+
￥0.0456
3000+
￥0.0406
6000+
￥0.0379

有货

立即购买

型号：AO3401CI-ES 编号：C21713833

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2.3A，90mΩ@-4.5V,-2.3A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

50+
￥0.0804
500+
￥0.0696
3000+
￥0.0636
6000+
￥0.06
24000+
￥0.0569
51000+
￥0.0552

有货

立即购买

型号：2N7002-7-MS 编号：C5277949

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：60V, 0.3A, RDS(ON) = 2.2Ω@VGS = 10V。改善的dv/dt能力。快速开关。有绿色器件。内置G-S ESD保护二极管。ESD防护高达2KV。应用：电机驱动。电动工具

数据手册

50+
￥0.08325 ￥0.0925
500+
￥0.06534 ￥0.0726
3000+
￥0.05337 ￥0.0593
6000+
￥0.04734 ￥0.0526
24000+
￥0.04221 ￥0.0469
51000+
￥0.03942 ￥0.0438

有货

立即购买

型号：BSS138LT3G-ES 编号：C5224268

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.088
100+
￥0.0638
300+
￥0.0503
3000+
￥0.0487
6000+
￥0.0417
9000+
￥0.0379

有货

立即购买

型号：2N7002X 编号：C5307993

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 10V。无铅产品。表面贴装封装。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

数据手册

50+
￥0.096069 ￥0.1033
500+
￥0.078027 ￥0.0839
3000+
￥0.053754 ￥0.0578
6000+
￥0.047709 ￥0.0513
24000+
￥0.042501 ￥0.0457
51000+
￥0.039618 ￥0.0426

有货

立即购买

型号：BSS123 编号：C784617

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。电压控制小信号开关。应用：小型伺服电机控制。功率MOSFET栅极驱动器

数据手册

50+
￥0.09616 ￥0.1202
500+
￥0.07536 ￥0.0942
3000+
￥0.06384 ￥0.0798
6000+
￥0.05696 ￥0.0712
24000+
￥0.05096 ￥0.0637
51000+
￥0.04776 ￥0.0597

有货

立即购买

型号：2N7002LT1G-MS 编号：C5331137

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

有货

立即购买

型号：SN7002W 编号：C51886150

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。开关应用

50+
￥0.1174
500+
￥0.0906
3000+
￥0.0758

有货

立即购买

型号：2SK3018WT 编号：C2879716

封装：SOT-523

品牌：CBI(创基)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

数据手册

50+
￥0.12
500+
￥0.0948
3000+
￥0.0719
6000+
￥0.0635
24000+
￥0.0562
51000+
￥0.0523

有货

立即购买

型号：SI3134KLA-TP-ES 编号：C7528000

封装：DFN1006-3

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832
10000+
￥0.0712
20000+
￥0.0634
50000+
￥0.0592

有货

立即购买

型号：ES3139KE 编号：C7527987

封装：DFN1006-3

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，P沟道，-20V，0.65A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832
10000+
￥0.0712
20000+
￥0.0634
50000+
￥0.0592

有货

立即购买

型号：TP2N7002ET1G 编号：C7603345

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating : HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.1281
500+
￥0.1011
3000+
￥0.0861
6000+
￥0.0771
24000+
￥0.0693
51000+
￥0.065

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示