美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-3L

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4475
100+
￥0.3613
300+
￥0.3182
3000+
￥0.2723
6000+
￥0.2465
9000+
￥0.2335

有货

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型号：FDN8601-JSM 编号：C18194233

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

FDN8601 N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为高功率密度设计。该器件特性优良，支持高达100V的工作电压VDSS，连续电流能力达到5A，并具有竞争力的100mR导通电阻，以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合，凭借其卓越的性能与可靠性，是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。

5+
￥0.662
50+
￥0.5766
150+
￥0.54
500+
￥0.4943

有货

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型号：HKTD90N03 编号：C5190213

封装：TO-252

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

数据手册

5+
￥0.69996 ￥0.7368
50+
￥0.614175 ￥0.6465
150+
￥0.577315 ￥0.6077
500+
￥0.53143 ￥0.5594
2500+
￥0.445645 ￥0.4691
5000+
￥0.43339 ￥0.4562

有货

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型号：FDS6685(UMW) 编号：C18214387

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET，针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)。低栅极电荷（典型值17nC）。快速开关速度

5+
￥0.7906
50+
￥0.6231
150+
￥0.5394
500+
￥0.4766
3000+
￥0.4264
6000+
￥0.4013

有货

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型号：AON7534-ES 编号：C23083862

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.8151
50+
￥0.6092
150+
￥0.5063
500+
￥0.429

有货

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型号：Si2304BDS-T1-E3-HXY 编号：C22367341

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2304BDS-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型电路设计提供高效能解决方案。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载4A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是理想的高集成度、低电阻半导体组件。

5+
￥0.84525 ￥1.127
50+
￥0.6543 ￥0.8724
150+
￥0.57255 ￥0.7634
500+
￥0.470475 ￥0.6273
3000+
￥0.425025 ￥0.5667
6000+
￥0.397725 ￥0.5303

有货

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型号：PTQ45P02 编号：C49384062

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

5+
￥0.858325 ￥0.9035
50+
￥0.683715 ￥0.7197
150+
￥0.59641 ￥0.6278
500+
￥0.53086 ￥0.5588
2500+
￥0.478515 ￥0.5037
5000+
￥0.452295 ￥0.4761

有货

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型号：AO4616-HXY 编号：C22366929

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO4616 N+P沟道MOS管采用标准SOP-8封装，结构紧凑，适配多种应用场景。器件支持30V的最大工作电压，能承载高达7A的连续电流，具有极低的15mΩ导通电阻，确保高效能、低损耗电力传输。广泛应用于DC/DC转换、电机驱动、电源开关等电路设计，是工程师构建高性能、节能电子系统的核心元件。

5+
￥0.907866 ￥0.9762
50+
￥0.712845 ￥0.7665
150+
￥0.629331 ￥0.6767
500+
￥0.525078 ￥0.5646
3000+
￥0.478578 ￥0.5146
6000+
￥0.450771 ￥0.4847

有货

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型号：PTQ3006 编号：C49384061

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

5+
￥0.92131 ￥0.9698
50+
￥0.72979 ￥0.7682
150+
￥0.64771 ￥0.6818
500+
￥0.5453 ￥0.574
2500+
￥0.4997 ￥0.526
5000+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

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型号：AO6800 编号：C49011433

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：低导通电阻高密度超低电阻设计。 2.5V栅极驱动。低驱动电流。封装形式：SOT-23-6

5+
￥0.9363
50+
￥0.7313
150+
￥0.6434
500+
￥0.5338

有货

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型号：SQ2308CES-T1_GE3-HXY 编号：C22366547

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SQ2308CES-T1_GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子设备的小型化设计打造。器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V，持续电流(ID)高达3A，且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ，确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景，以出色的效能和稳定性，为您提供电路设计的上乘之选。

5+
￥0.997305 ￥1.1733
50+
￥0.783105 ￥0.9213
150+
￥0.691305 ￥0.8133
500+
￥0.57681 ￥0.6786
3000+
￥0.52581 ￥0.6186
6000+
￥0.495125 ￥0.5825

有货

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型号：VBA1210 编号：C416222

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.103045 ￥1.2977
50+
￥0.970955 ￥1.1423
150+
￥0.914345 ￥1.0757
500+
￥0.84371 ￥0.9926
2500+
￥0.68561 ￥0.8066
4000+
￥0.66674 ￥0.7844

有货

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型号：NTS036N03P5 编号：C41784118

封装：PDFN5x6-8

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。

5+
￥1.1351
50+
￥0.8882
150+
￥0.7823
500+
￥0.6503
2500+
￥0.6062

有货

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型号：NTD4804NT4G(UMW) 编号：C5159786

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。CPU 电源传输。DC-DC 转换器。低端开关

数据手册

5+
￥1.2053
50+
￥1.0566
150+
￥0.9929
500+
￥0.9134
2500+
￥0.8355
5000+
￥0.8142

有货

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型号：IRFR220N(MS) 编号：C22365390

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

场效应管@@此款消费级MOSFET采用TO-252(DPAK)封装，拥有N沟道技术，额定电压高达200V，可承载5A连续电流，广泛应用于各种电源转换、电机驱动、开关电源、逆变器、电池管理系统以及其他高效率、低功耗的开关电路中。

5+
￥1.31553 ￥1.4617
50+
￥1.04337 ￥1.1593
150+
￥0.92673 ￥1.0297
500+
￥0.7812 ￥0.868
2500+
￥0.7164 ￥0.796
5000+
￥0.67752 ￥0.7528

有货

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型号：IRFR540ZTRPBF-MNS 编号：C49108794

封装：TO-252

品牌：minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道漏源电压:100V 连续漏极电流:30A 导通电阻:25mΩ@10V,12A 描述：适用于高电压大电流的电机驱动，逆变器，开关电源等领域

5+
￥1.3335
50+
￥1.0563
150+
￥0.9375
500+
￥0.7893
2500+
￥0.7233
5000+
￥0.6837

有货

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型号：BRCS080N04ZC 编号：C22448996

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品高频开关和同步整流，DC 电机驱动器 40V 52A

5+
￥1.361
50+
￥1.0687
150+
￥0.9434
500+
￥0.7871
2500+
￥0.7175

有货

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型号：IRFR5305TRPBF-ES 编号：C41365208

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-60V，-25A，：22mΩ@-10.0V,-10A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.5598
50+
￥1.1995
150+
￥1.045
500+
￥0.8523
2500+
￥0.7665
5000+
￥0.715

有货

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型号：P0903BDG-VB 编号：C2680757

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.581 ￥1.86
10+
￥1.394 ￥1.64
30+
￥1.3175 ￥1.55
100+
￥1.2155 ￥1.43
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：ESD409 编号：C5350982

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-60V，-28A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.6812
10+
￥1.2553
30+
￥1.0728
100+
￥0.845

有货

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型号：AO4430-VB 编号：C557952

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.87 ￥2.2
10+
￥1.649 ￥1.94
30+
￥1.547 ￥1.82
100+
￥1.428 ￥1.68
500+
￥1.377 ￥1.62
1000+
￥1.343 ￥1.58

有货

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型号：AON6312-ES 编号：C19725102

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，123A，1.7mΩ@10V,20.0A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：CRTM030N04L 编号：C467172

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。极低导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。根据JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。电池管理

5+
￥2.1589
50+
￥1.6749
150+
￥1.4675
500+
￥1.2462
2500+
￥1.131
4000+
￥1.0618

有货

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型号：SSM6J511NU,LF 编号：C146307

封装：PDFN-6-EP(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值，VGS = -2.5V），RDS(ON) = 10mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥2.1896
50+
￥1.711
150+
￥1.5058
500+
￥1.2499

有货

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型号：SKD502T 编号：C467184

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.251
50+
￥1.8332
150+
￥1.6344
500+
￥1.3864
2500+
￥1.2759
5000+
￥1.2096

有货

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型号：VBZA9945 编号：C700609

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：RS70R600D 编号：C51904714

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥2.375 ￥2.5
10+
￥1.881 ￥1.98
30+
￥1.672 ￥1.76
100+
￥1.406 ￥1.48
500+
￥1.292 ￥1.36
1000+
￥1.2255 ￥1.29

有货

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型号：SI1022R-T1-GE3 编号：C499479

封装：SOT-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。低导通电阻：1.25 Ω。低阈值：2.3 V。低输入电容：30 pF。快速开关速度：25 ns。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等。电池供电系统

数据手册

1+
￥2.48
10+
￥1.93
30+
￥1.69
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.18

有货

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型号：IRF7416TRPBF-VB 编号：C558152

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.6125 ￥2.75
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥1.8525 ￥1.95
100+
￥1.5675 ￥1.65
500+
￥1.4345 ￥1.51
1000+
￥1.3585 ￥1.43

有货

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型号：BSC0702LS-MS 编号：C51908845

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET，采用DFN5X6-8L紧凑型封装，在节省空间的同时保障散热效率，专为高电压、大电流应用场景设计；60V额定电压搭配 125A 连续电流能力，可稳定承载大功率需求，尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能，成为现代高效电子设备的核心功率组件，为系统高效运行提供可靠支撑。

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21
1000+
￥2.1

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