美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MPF9N90 编号：C49108792

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道漏源电压:900V 连续漏极电流:9A 导通电阻:0.97Ω@10V,4.5A 描述：这是一款N沟道的超高压MOS，适用于工业开关电源，电源适配器、LED驱动等领域

1+
￥4.58
10+
￥3.72
50+
￥3.29
100+
￥2.86
500+
￥2.6
1000+
￥2.47

有货

立即购买

型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥6.86
10+
￥5.69
30+
￥5.05
100+
￥4.33
500+
￥3.81

有货

立即购买

型号：STB55NF06T4 编号：C472532

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这些功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.81
30+
￥5.21
100+
￥4.53
500+
￥4.22

有货

立即购买

型号：RSE80R250S 编号：C51904712

封装：TO-263

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

1+
￥7.6665 ￥8.07
10+
￥6.384 ￥6.72
30+
￥5.681 ￥5.98
100+
￥4.883 ￥5.14
500+
￥4.5315 ￥4.77
800+
￥4.37 ￥4.6

有货

立即购买

型号：IRLB3036PBF 编号：C538145

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥10
10+
￥8.39
50+
￥7.38
100+
￥6.35
500+
￥5.88

有货

立即购买

型号：IRFS11N50ATRLP 编号：C3281689

封装：TO-263AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容、雪崩电压和电流特性。规定了有效Css。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源

1+
￥12.68
10+
￥10.68
30+
￥9.43
100+
￥8.14
500+
￥7.56

有货

立即购买

型号：FCMT099N65S3 编号：C348533

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

数据手册

1+
￥14.12
10+
￥11.89
30+
￥10.5
100+
￥9.07
500+
￥8.42
1000+
￥8.14

有货

立即购买

型号：IRFP450LCPBF 编号：C2922670

封装：TO-247

品牌：VISHAY(威世)

这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术，减少了栅极驱动要求，提高了开关速度，并提升了整个系统的经济性。这些改进与功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性相结合，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准

数据手册

1+
￥14.22
10+
￥12.25
25+
￥11.02
100+
￥9.76

有货

立即购买

型号：2N7002BK 编号：C5224220

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0552
200+
￥0.048
600+
￥0.044
3000+
￥0.0406
9000+
￥0.0385
21000+
￥0.0374

有货

立即购买

型号：BSS138LT3G-ES 编号：C5224268

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.088
100+
￥0.0638
300+
￥0.0503
3000+
￥0.0487
6000+
￥0.0417
9000+
￥0.0379

有货

立即购买

型号：2N7002ET1G-ES 编号：C5224224

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0899
100+
￥0.0657
300+
￥0.0522
3000+
￥0.0487
6000+
￥0.0417
9000+
￥0.0379

有货

立即购买

型号：BSS123 编号：C784617

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。电压控制小信号开关。应用：小型伺服电机控制。功率MOSFET栅极驱动器

数据手册

50+
￥0.0988 ￥0.1235
500+
￥0.07808 ￥0.0976
3000+
￥0.06656 ￥0.0832
6000+
￥0.05968 ￥0.0746
24000+
￥0.05368 ￥0.0671
51000+
￥0.0504 ￥0.063

有货

立即购买

型号：2N7002X 编号：C5307993

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 10V。无铅产品。表面贴装封装。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

数据手册

50+
￥0.1033
500+
￥0.0839
3000+
￥0.0578
6000+
￥0.0513
24000+
￥0.0457
51000+
￥0.0426

有货

立即购买

型号：SI2302DS-T1-GE3-ES 编号：C5224184

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

20+
￥0.1124
200+
￥0.0876
600+
￥0.0738
3000+
￥0.0655
9000+
￥0.0583
21000+
￥0.0545

有货

立即购买

型号：NX138BKWX 编号：C51886152

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。 ESD 保护栅极高达 2kV HBM。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：N 沟道增强型效应晶体管。开关应用

50+
￥0.1169
500+
￥0.0901
3000+
￥0.0753
6000+
￥0.0664
24000+
￥0.0587
51000+
￥0.0545

订货

我要订货

型号：NX7002BKWX 编号：C51886153

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。开关应用

50+
￥0.1183
500+
￥0.0913
3000+
￥0.0764

有货

立即购买

型号：SI3134KLA-TP-ES 编号：C7528000

封装：DFN1006-3

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832
10000+
￥0.0712
20000+
￥0.0634
50000+
￥0.0592

有货

立即购买

型号：BSS138PW 编号：C5224278

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1484
200+
￥0.116
600+
￥0.098
3000+
￥0.0853
9000+
￥0.0759
21000+
￥0.0708

有货

立即购买

型号：2SK3541 编号：C22363751

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1537
200+
￥0.1213
600+
￥0.1033
2000+
￥0.0925
8000+
￥0.0799
16000+
￥0.0748

有货

立即购买

型号：BSS138DW-7-F-ES 编号：C5224288

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1551
200+
￥0.1349
600+
￥0.1236
3000+
￥0.1077
9000+
￥0.1018
21000+
￥0.0987

有货

立即购买

型号：ES2N7002M3T5G 编号：C5224235

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.1627
50+
￥0.1276
150+
￥0.1081
500+
￥0.0964
2500+
￥0.0863
5000+
￥0.0808

有货

立即购买

型号：MS3139KDFN 编号：C22365398

封装：DFN1006-3

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款消费级P沟道MOSFET采用DFN1006-3封装，表面贴装封装，尺寸紧凑且具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局，应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。

20+
￥0.17595 ￥0.1955
200+
￥0.13707 ￥0.1523
600+
￥0.11547 ￥0.1283
2000+
￥0.10251 ￥0.1139
10000+
￥0.09126 ￥0.1014
20000+
￥0.08523 ￥0.0947

有货

立即购买

型号：2SK3541T2L-ES 编号：C22464626

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1763
200+
￥0.1331
600+
￥0.1091
2000+
￥0.0947

有货

立即购买

型号：WNM6002-3/TR-ES 编号：C22379640

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.178
200+
￥0.1402
600+
￥0.1192
3000+
￥0.1066
9000+
￥0.0956
21000+
￥0.0898

有货

立即购买

型号：CJAA3134K 编号：C504060

封装：WBFBP-03E

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的N沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。静电放电保护栅极。与CJAA3139K互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1786
200+
￥0.1391
600+
￥0.1172
2000+
￥0.104

有货

立即购买

型号：CJBA3134K 编号：C504098

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。低逻辑电平栅极驱动操作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1842
200+
￥0.1493
600+
￥0.1299
2000+
￥0.1183

有货

立即购买

型号：2N7002KD 编号：C5224250

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2116
50+
￥0.161
150+
￥0.133
500+
￥0.1161
3000+
￥0.1015
6000+
￥0.0936

有货

立即购买

型号：NX7002AKS-ES 编号：C5224257

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2116
50+
￥0.161
150+
￥0.133
500+
￥0.1161
3000+
￥0.1015
6000+
￥0.0936

有货

立即购买

型号：CJBA3541K 编号：C504100

封装：X1-DFN1006-3

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的N沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2392
200+
￥0.1912
600+
￥0.1672
2000+
￥0.1492

有货

立即购买

型号：AO3422A 编号：C2681222

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。宽栅极驱动电压范围：2.5V-12V。适用于作为负载开关。漏源击穿电压（V(BR)DS）：60V。连续漏极电流（ID）：2.1A。导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 10V时，小于105mΩ。应用：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关

数据手册

20+
￥0.2676
200+
￥0.2039
600+
￥0.1685
3000+
￥0.1384
9000+
￥0.12
21000+
￥0.1101

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示