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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具
  • 1+

    ¥7.6665 ¥8.07
  • 10+

    ¥6.384 ¥6.72
  • 30+

    ¥5.681 ¥5.98
  • 100+

    ¥4.883 ¥5.14
  • 500+

    ¥4.5315 ¥4.77
  • 800+

    ¥4.37 ¥4.6
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷Qg,驱动要求简单。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完整的电容、雪崩电压和电流特性。 规定了有效Css。应用:开关模式电源 (SMPS)。 不间断电源
    • 1+

      ¥12.68
    • 10+

      ¥10.68
    • 30+

      ¥9.43
    • 100+

      ¥8.14
    • 500+

      ¥7.56
  • 有货
  • SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装(高 1mm),体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源,可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.12
    • 10+

      ¥11.89
    • 30+

      ¥10.5
    • 100+

      ¥9.07
    • 500+

      ¥8.42
    • 1000+

      ¥8.14
  • 有货
  • 这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET,显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术,减少了栅极驱动要求,提高了开关速度,并提升了整个系统的经济性。这些改进与功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性相结合,为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准
    数据手册
    • 1+

      ¥14.22
    • 10+

      ¥12.25
    • 25+

      ¥11.02
    • 100+

      ¥9.76
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0552
    • 200+

      ¥0.048
    • 600+

      ¥0.044
    • 3000+

      ¥0.0406
    • 9000+

      ¥0.0385
    • 21000+

      ¥0.0374
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.088
    • 100+

      ¥0.0638
    • 300+

      ¥0.0503
    • 3000+

      ¥0.0487
    • 6000+

      ¥0.0417
    • 9000+

      ¥0.0379
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0899
    • 100+

      ¥0.0657
    • 300+

      ¥0.0522
    • 3000+

      ¥0.0487
    • 6000+

      ¥0.0417
    • 9000+

      ¥0.0379
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。电压控制小信号开关。应用:小型伺服电机控制。功率MOSFET栅极驱动
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0988 ¥0.1235
    • 500+

      ¥0.07808 ¥0.0976
    • 3000+

      ¥0.06656 ¥0.0832
    • 6000+

      ¥0.05968 ¥0.0746
    • 24000+

      ¥0.05368 ¥0.0671
    • 51000+

      ¥0.0504 ¥0.063
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 10V。 无铅产品。 表面贴装封装。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1033
    • 500+

      ¥0.0839
    • 3000+

      ¥0.0578
    • 6000+

      ¥0.0513
    • 24000+

      ¥0.0457
    • 51000+

      ¥0.0426
  • 有货
  • N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1124
    • 200+

      ¥0.0876
    • 600+

      ¥0.0738
    • 3000+

      ¥0.0655
    • 9000+

      ¥0.0583
    • 21000+

      ¥0.0545
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
    • 50+

      ¥0.1183
    • 500+

      ¥0.0913
    • 3000+

      ¥0.0764
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。
    • 50+

      ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.0982
    • 1500+

      ¥0.0832
    • 10000+

      ¥0.0712
    • 20000+

      ¥0.0634
    • 50000+

      ¥0.0592
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω,@VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω,@VGS = 10V。 ESD 等级:HBM 2000V。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
    • 645+

      ¥0.120474
    • 2000+

      ¥0.09522
    带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1484
    • 200+

      ¥0.116
    • 600+

      ¥0.098
    • 3000+

      ¥0.0853
    • 9000+

      ¥0.0759
    • 21000+

      ¥0.0708
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1537
    • 200+

      ¥0.1213
    • 600+

      ¥0.1033
    • 2000+

      ¥0.0925
    • 8000+

      ¥0.0799
    • 16000+

      ¥0.0748
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.5Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1551
    • 200+

      ¥0.1349
    • 600+

      ¥0.1236
    • 3000+

      ¥0.1077
    • 9000+

      ¥0.1018
    • 21000+

      ¥0.0987
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.1627
    • 50+

      ¥0.1276
    • 150+

      ¥0.1081
    • 500+

      ¥0.0964
    • 2500+

      ¥0.0863
    • 5000+

      ¥0.0808
  • 有货
  • 此款消费级P沟道MOSFET采用DFN1006-3封装,表面贴装封装,尺寸紧凑且具有良好的热性能,适用于高密度PCB布局,应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。
    • 20+

      ¥0.17595 ¥0.1955
    • 200+

      ¥0.13707 ¥0.1523
    • 600+

      ¥0.11547 ¥0.1283
    • 2000+

      ¥0.10251 ¥0.1139
    • 10000+

      ¥0.09126 ¥0.1014
    • 20000+

      ¥0.08523 ¥0.0947
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1763
    • 200+

      ¥0.1331
    • 600+

      ¥0.1091
    • 2000+

      ¥0.0947
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.178
    • 200+

      ¥0.1402
    • 600+

      ¥0.1192
    • 3000+

      ¥0.1066
    • 9000+

      ¥0.0956
    • 21000+

      ¥0.0898
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的N沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 静电放电保护栅极。 与CJAA3139K互补。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1786
    • 200+

      ¥0.1391
    • 600+

      ¥0.1172
    • 2000+

      ¥0.104
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2013
    • 200+

      ¥0.1614
    • 600+

      ¥0.1392
    • 3000+

      ¥0.1172
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2116
    • 50+

      ¥0.161
    • 150+

      ¥0.133
    • 500+

      ¥0.1161
    • 3000+

      ¥0.1015
    • 6000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2116
    • 50+

      ¥0.161
    • 150+

      ¥0.133
    • 500+

      ¥0.1161
    • 3000+

      ¥0.1015
    • 6000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的N沟道开关。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2392
    • 200+

      ¥0.1912
    • 600+

      ¥0.1672
    • 2000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 宽栅极驱动电压范围:2.5V-12V。 适用于作为负载开关。 漏源击穿电压(V(BR)DS):60V。 连续漏极电流(ID):2.1A。 导通电阻(RDS(ON)): -VGS = 10V时,小于105mΩ。应用:沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 便携式设备负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2676
    • 200+

      ¥0.2039
    • 600+

      ¥0.1685
    • 3000+

      ¥0.1384
    • 9000+

      ¥0.12
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • 特性:低导通电阻(RDS(on)),在VGS = 10V时。 3.3V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 无铅,符合RoHS标准。应用:DC-DC转换器。 电池驱动便携式设备的电源管理
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2979
    • 100+

      ¥0.2355
    • 300+

      ¥0.2043
    • 3000+

      ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1528
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小封装 (VMT3)。 低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。应用:开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3845
    • 100+

      ¥0.3093
    • 300+

      ¥0.2717
    • 1000+

      ¥0.2435
    • 5000+

      ¥0.221
    • 8000+

      ¥0.2097
  • 有货
  • 特性:导通电阻:在VSS = 4.5V时为1.5Ω。 驱动电压:2.5V。 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    • 10+

      ¥0.3889
    • 100+

      ¥0.3028
    • 300+

      ¥0.2597
    • 3000+

      ¥0.2274
    • 6000+

      ¥0.2015
    • 9000+

      ¥0.1886
  • 有货
  • 应用:电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动
    • 10+

      ¥0.4353
    • 100+

      ¥0.3393
    • 300+

      ¥0.2913
    • 3000+

      ¥0.2553
    • 6000+

      ¥0.2265
    • 9000+

      ¥0.212
  • 有货
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