美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-723

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

数据手册

5+
￥0.4759
50+
￥0.3751
150+
￥0.3247
500+
￥0.2869
2500+
￥0.2567
5000+
￥0.2289

有货

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型号：FDS4435-ES 编号：C21713854

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.5681
50+
￥0.4246
150+
￥0.3529
500+
￥0.299

有货

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型号：SIS412DN-T1-GE3-ES 编号：C21713860

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，26A，16.0mΩ@10V,20.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.6175
50+
￥0.4615
150+
￥0.3835
500+
￥0.325

有货

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型号：EM6K7T2CR 编号：C525569

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：MOSFET元件相互独立，消除相互干扰。可将安装成本和面积减半。低导通电阻。低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：开关

数据手册

5+
￥0.7213
50+
￥0.5821
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￥0.5125
500+
￥0.4603
2500+
￥0.3931
5000+
￥0.3722

有货

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型号：DMG1023UV 编号：C7472930

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.7561
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￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

有货

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型号：AON7534-ES 编号：C23083862

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.8151
50+
￥0.6092
150+
￥0.5063
500+
￥0.429

有货

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型号：PTQ45P02 编号：C49384062

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

5+
￥0.858325 ￥0.9035
50+
￥0.683715 ￥0.7197
150+
￥0.59641 ￥0.6278
500+
￥0.53086 ￥0.5588
2500+
￥0.478515 ￥0.5037
5000+
￥0.452295 ￥0.4761

有货

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型号：MDD4N65D 编号：C5299402

封装：TO-252

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路

5+
￥0.8932
50+
￥0.7213
150+
￥0.6353
500+
￥0.5708
2500+
￥0.4715
5000+
￥0.4457

有货

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型号：AO4616-HXY 编号：C22366929

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO4616 N+P沟道MOS管采用标准SOP-8封装，结构紧凑，适配多种应用场景。器件支持30V的最大工作电压，能承载高达7A的连续电流，具有极低的15mΩ导通电阻，确保高效能、低损耗电力传输。广泛应用于DC/DC转换、电机驱动、电源开关等电路设计，是工程师构建高性能、节能电子系统的核心元件。

5+
￥0.9021 ￥0.97
50+
￥0.707079 ￥0.7603
150+
￥0.623472 ￥0.6704
500+
￥0.519219 ￥0.5583
3000+
￥0.472812 ￥0.5084
6000+
￥0.444912 ￥0.4784

有货

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型号：IRF7416TRPBF(MS) 编号：C22399562

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款P沟道场效应管采用SOP-8封装、漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):10A,RDS:10V@8A=15MR,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、以及任何需要高效能量控制和管理的电路。它的高效能和低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择

5+
￥0.9116
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￥0.7961
150+
￥0.7466
500+
￥0.6848
2500+
￥0.6573
5000+
￥0.6408

有货

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型号：FDN8601-JSM 编号：C18194233

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

FDN8601 N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为高功率密度设计。该器件特性优良，支持高达100V的工作电压VDSS，连续电流能力达到5A，并具有竞争力的100mR导通电阻，以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合，凭借其卓越的性能与可靠性，是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。

5+
￥0.916
50+
￥0.7109
150+
￥0.6231
500+
￥0.5134

有货

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型号：PTQ3006 编号：C49384061

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

5+
￥0.92131 ￥0.9698
50+
￥0.72979 ￥0.7682
150+
￥0.64771 ￥0.6818
500+
￥0.5453 ￥0.574
2500+
￥0.4997 ￥0.526
5000+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

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型号：NTD4860NT4G(UMW) 编号：C18214406

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VCORE应用。 DC-DC转换器。高端/低端开关

5+
￥0.9857
50+
￥0.774
150+
￥0.6833
500+
￥0.5701
2500+
￥0.5196
5000+
￥0.4894

有货

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型号：SQ2308CES-T1_GE3-HXY 编号：C22366547

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SQ2308CES-T1_GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子设备的小型化设计打造。器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V，持续电流(ID)高达3A，且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ，确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景，以出色的效能和稳定性，为您提供电路设计的上乘之选。

5+
￥0.997305 ￥1.1733
50+
￥0.783105 ￥0.9213
150+
￥0.691305 ￥0.8133
500+
￥0.57681 ￥0.6786
3000+
￥0.52581 ￥0.6186
6000+
￥0.495125 ￥0.5825

有货

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型号：NTD4858NT4G(UMW) 编号：C7499395

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VCORE 应用。 DC-DC 转换器。高/低端开关

5+
￥1.0138
50+
￥0.7947
150+
￥0.7007
500+
￥0.5836
2500+
￥0.5314
5000+
￥0.5001

有货

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型号：HKTD90N03 编号：C5190213

封装：TO-252

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

数据手册

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.82821 ￥0.8718
150+
￥0.738815 ￥0.7777
500+
￥0.62738 ￥0.6604
2500+
￥0.511575 ￥0.5385
5000+
￥0.48184 ￥0.5072

有货

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型号：STN4828-HXY 编号：C22366494

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号STN4828 的N+N沟道MOS管采用标准SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件提供出色的电气性能，最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，适应高压大电流工作环境。其导通电阻RD(on)仅为32mR，确保在大电流操作时降低功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师设计高性能、低损耗电路的理想MOS管产品。

5+
￥1.05597 ￥1.1733
50+
￥0.82917 ￥0.9213
150+
￥0.73197 ￥0.8133
500+
￥0.61074 ￥0.6786
3000+
￥0.55674 ￥0.6186
6000+
￥0.52425 ￥0.5825

有货

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型号：NVD5C688NLT4G(UMW) 编号：C20754805

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 60V。 ID = 17A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗

5+
￥1.1152
50+
￥0.8741
150+
￥0.7708
500+
￥0.6419
2500+
￥0.5845
5000+
￥0.5501

有货

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型号：NTS036N03P5 编号：C41784118

封装：PDFN5x6-8

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。

5+
￥1.1351
50+
￥0.8882
150+
￥0.7823
500+
￥0.6503
2500+
￥0.6062

有货

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型号：IRFR220N(MS) 编号：C22365390

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

场效应管@@此款消费级MOSFET采用TO-252(DPAK)封装，拥有N沟道技术，额定电压高达200V，可承载5A连续电流，广泛应用于各种电源转换、电机驱动、开关电源、逆变器、电池管理系统以及其他高效率、低功耗的开关电路中。

5+
￥1.4617
50+
￥1.1593
150+
￥1.0297
500+
￥0.868
2500+
￥0.796
5000+
￥0.7528

有货

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型号：SSM6J507NU,LF 编号：C146318

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.4943
50+
￥1.1613
150+
￥1.0186
500+
￥0.8405
3000+
￥0.7612

有货

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型号：MDD7N65D 编号：C5299404

封装：TO-252

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路

5+
￥1.4969
50+
￥1.1834
150+
￥1.0491
500+
￥0.8814
2500+
￥0.7695
5000+
￥0.7247

有货

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型号：2SK3065T100 编号：C443889

封装：TO-243AA

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高速开关。欠压驱动（2.5V驱动），适用于小型电源等。驱动电路简单。易于并联使用。抗静电放电能力强

数据手册

5+
￥1.5067
50+
￥1.1892
150+
￥1.0531
1000+
￥0.8833
2000+
￥0.8077

有货

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型号：SSM3J351R,LF 编号：C150147

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）(VGS = -10V)；RDS(ON) = 122mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)；RDS(ON) = 129mΩ（典型值）(VGS = -4.0V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.5096
50+
￥1.1702
150+
￥1.0247
500+
￥0.8432

有货

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型号：AOD603A-MS 编号：C22462611

封装：TO-252-4L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道，采用TO-252-4L封装，他具备漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):13A,强大的性能，被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。

5+
￥1.671905 ￥1.7599
50+
￥1.312805 ￥1.3819
150+
￥1.158905 ￥1.2199
500+
￥0.96691 ￥1.0178
2500+
￥0.88141 ￥0.9278
5000+
￥0.83011 ￥0.8738

有货

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型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.7037
50+
￥1.3257
150+
￥1.1637
500+
￥0.9616
3000+
￥0.8716

有货

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型号：AO4430-VB 编号：C557952

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.9125 ￥2.25
10+
￥1.6915 ￥1.99
30+
￥1.5895 ￥1.87
100+
￥1.4705 ￥1.73
500+
￥1.2495 ￥1.47
1000+
￥1.2155 ￥1.43

有货

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型号：MGP089N10N 编号：C49242758

封装：TO-220-3L

品牌：Megain(美佳音)

特性：快速开关速度。可靠耐用。符合ROHS标准且无卤。 100%经过UIS测试。应用：电机驱动器。 DC-DC转换器

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636
500+
￥1.148
2500+
￥1.052

有货

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型号：MGC031N06L 编号：C49242752

封装：PDFN5x6-8

品牌：Megain(美佳音)

特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电机驱动。电动工具

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915
2500+
￥1.1835

有货

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型号：IRF7103TRPBF-VB 编号：C6705269

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.193 ￥2.58
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.819 ￥2.14
100+
￥1.7 ￥2
500+
￥1.4875 ￥1.75
1000+
￥1.445 ￥1.7

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