美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI7415DN-T1-E3 编号：C5263738

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。快速开关。应用：负载开关。半桥电机驱动器

数据手册

1+
￥5.36
10+
￥4.44
30+
￥3.87
100+
￥3.28
500+
￥3.02
1000+
￥2.9

有货

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型号：IRFP450-HXY 编号：C7469135

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款工业级N沟道MOSFET采用TO-247S封装，具有500V高耐压及14A大电流承载能力，适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。

1+
￥7.5768 ￥8.61
10+
￥6.336 ￥7.2
30+
￥5.2272 ￥5.94
90+
￥4.4616 ￥5.07
510+
￥4.1184 ￥4.68
990+
￥3.9688 ￥4.51

有货

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型号：RSE80R250S 编号：C51904712

封装：TO-263

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

1+
￥7.6665 ￥8.07
10+
￥6.384 ￥6.72
30+
￥5.681 ￥5.98
100+
￥4.883 ￥5.14
500+
￥4.5315 ￥4.77
800+
￥4.37 ￥4.6

有货

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型号：PSMNR70-40SSHJ 编号：C553353

封装：SOT-1235

品牌：Nexperia(安世)

425 Amp连续电流,标准电平栅极驱动,采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用独特的“SchottkyPlus”技术,可实现高效和低尖峰性能,通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关,但无高泄漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用,以及高负载电流下的安全可靠开关。

数据手册

1+
￥35.65
10+
￥30.78
30+
￥27.81
100+
￥24.5604 ￥25.32

有货

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型号：ESBSS138LT1G 编号：C5224262

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0591
200+
￥0.049
600+
￥0.0434
3000+
￥0.0419
9000+
￥0.039
21000+
￥0.0374

有货

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型号：NX7002AK-ES 编号：C5224212

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0736
100+
￥0.0574
300+
￥0.0483
3000+
￥0.0429
6000+
￥0.0382
9000+
￥0.0357

有货

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型号：BSS138 编号：C3040446

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。坚固可靠。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

数据手册

20+
￥0.1012
200+
￥0.0796
600+
￥0.0676
3000+
￥0.057
9000+
￥0.0507
21000+
￥0.0474

有货

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型号：NDS331N-ES 编号：C21713832

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

50+
￥0.1051
500+
￥0.0819
3000+
￥0.069
6000+
￥0.0612
24000+
￥0.0545
51000+
￥0.0509

有货

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型号：Si2302CDS-T1-GE3-ES 编号：C5224182

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.8V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

5+
￥0.1093
50+
￥0.0869
150+
￥0.0745
500+
￥0.067
3000+
￥0.0606
6000+
￥0.0571

有货

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型号：SI2302DS-T1-GE3-ES 编号：C5224184

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

20+
￥0.1124
200+
￥0.0876
600+
￥0.0738
3000+
￥0.0655
9000+
￥0.0583
21000+
￥0.0545

有货

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型号：MMBF170 编号：C19829421

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0697
21000+
￥0.0651

有货

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型号：ES3139KW 编号：C7527984

封装：SOT-523

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，P沟道，-20V，0.5A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1368
200+
￥0.1076
600+
￥0.0914
3000+
￥0.0817
9000+
￥0.0733
21000+
￥0.0687

有货

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型号：2N7002W 编号：C5174639

封装：SOT-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-323封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

20+
￥0.1422 ￥0.158
200+
￥0.11304 ￥0.1256
600+
￥0.09684 ￥0.1076
3000+
￥0.07938 ￥0.0882
9000+
￥0.07092 ￥0.0788
21000+
￥0.06633 ￥0.0737

有货

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型号：FDN302P(UMW) 编号：C5346819

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。漏源击穿电压VDS(V) = 20V。漏极电流ID = -2.4A。静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）；80mΩ（VGS = -2.5V）

数据手册

20+
￥0.1495
200+
￥0.1157
600+
￥0.0969
3000+
￥0.0856
9000+
￥0.0758
21000+
￥0.0705

有货

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型号：ES2N7002M3T5G 编号：C5224235

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.1627
50+
￥0.1276
150+
￥0.1081
500+
￥0.0964
2500+
￥0.0863
5000+
￥0.0808

有货

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型号：IRLML2502TRPBF-ES 编号：C21713837

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

20+
￥0.1754
200+
￥0.1376
600+
￥0.1166
3000+
￥0.0997
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0829

有货

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型号：WNM6002-3/TR-ES 编号：C22379640

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.178
200+
￥0.1402
600+
￥0.1192
3000+
￥0.1066
9000+
￥0.0956
21000+
￥0.0898

有货

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型号：CJAA3134K 编号：C504060

封装：WBFBP-03E

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的N沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。静电放电保护栅极。与CJAA3139K互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1904
200+
￥0.151
600+
￥0.1291
2000+
￥0.1159

有货

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型号：MS3139KDFN 编号：C22365398

封装：DFN1006-3

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款消费级P沟道MOSFET采用DFN1006-3封装，表面贴装封装，尺寸紧凑且具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局，应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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型号：NTK3134NT1G-ES 编号：C7527994

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.2085
200+
￥0.1666
600+
￥0.1433
2000+
￥0.1294
8000+
￥0.1059
16000+
￥0.0994

有货

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型号：NX7002AKS-ES 编号：C5224257

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2116
50+
￥0.161
150+
￥0.133
500+
￥0.1161
3000+
￥0.1015
6000+
￥0.0936

有货

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型号：CJAA3139K 编号：C504061

封装：WBFBP-03E

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。与CJAA3134K互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2162
200+
￥0.1703
600+
￥0.1448
2000+
￥0.1295

有货

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型号：Si2304DDS-T1-GE3-HXY 编号：C22367339

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2304DDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合空间有限的电路设计。该器件提供了30V的最大漏源电压(VDSS)，并可支持4A连续漏极电流(ID)，确保出色的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减小功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种场景，是您的高集成度、节能型半导体解决方案的理想选择。

10+
￥0.235705 ￥0.2773
100+
￥0.18632 ￥0.2192
300+
￥0.161585 ￥0.1901
3000+
￥0.14314 ￥0.1684
6000+
￥0.128265 ￥0.1509
9000+
￥0.12087 ￥0.1422

有货

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型号：SI2392ADS-T1-GE3 编号：C41365194

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.1763

有货

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型号：FDV304P 编号：C10884

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。

数据手册

10+
￥0.4166
100+
￥0.3331
300+
￥0.2914
3000+
￥0.2462
6000+
￥0.2212

有货

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型号：BSH201 编号：C7472874

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4473
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

有货

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型号：SSM3J35AMFV,L3F 编号：C5274156

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

数据手册