美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.541 ￥4.78
10+
￥3.6955 ￥3.89
50+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.641 ￥2.78
500+
￥2.394 ￥2.52
1000+
￥2.261 ￥2.38

有货

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型号：ESP10N10 编号：C5224294

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，7.0A，90.0mΩ@10V,3.5A，1.65V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥0.7614
10+
￥0.5732
30+
￥0.4791
100+
￥0.4086

有货

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型号：MDD4N65D 编号：C5299402

封装：TO-252

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路

5+
￥0.857472 ￥0.8932
50+
￥0.692448 ￥0.7213
150+
￥0.609888 ￥0.6353
500+
￥0.547968 ￥0.5708
2500+
￥0.45264 ￥0.4715
5000+
￥0.427872 ￥0.4457

有货

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型号：AO4406AL 编号：C5224299

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，20A，10mΩ@10V,15A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.8892
50+
￥0.6646
150+
￥0.5523
500+
￥0.468

有货

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型号：PGQ04N070 编号：C49384056

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：快速开关能力。稳健设计，具有更好的EAS性能。超低导通电阻。应用：电池管理系统。电机驱动器

5+
￥0.944395 ￥0.9941
50+
￥0.748125 ￥0.7875
150+
￥0.663955 ￥0.6989
500+
￥0.55898 ￥0.5884
2500+
￥0.51224 ￥0.5392
5000+
￥0.484215 ￥0.5097

有货

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型号：IRLML5103PBF-HXY 编号：C22367265

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLML5103PbF 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。

5+
￥1.006668 ￥1.2906
50+
￥0.790452 ￥1.0134
150+
￥0.697788 ￥0.8946
500+
￥0.582192 ￥0.7464
3000+
￥0.530712 ￥0.6804
6000+
￥0.499824 ￥0.6408

有货

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型号：NTD4858NT4G(UMW) 编号：C7499395

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VCORE 应用。 DC-DC 转换器。高/低端开关

5+
￥1.0201
50+
￥0.801
150+
￥0.7071
500+
￥0.5899
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5065

有货

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型号：NTGS4141NT1G-MS 编号：C52287368

封装：TSOP-6

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款NTGS4141NT1G-MS是一款高性能N沟道MOSFET管，采用小型TSOP-6封装，其核心参数表现突出：最大漏源电压VDSS：60V，连续漏极电流ID：3.6A，导通电阻低，能在中低压场景下实现高效电流控制。适用于低压电源转换（如5V/12VDC-DC模块）、小型电机驱动（如玩具电机、风扇驱动）及消费电子电源管理，尤其适合对体积敏感的便携式设备（如智能穿戴、小型家电）选型需求

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
3000+
￥0.56221 ￥0.5918
6000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：STN4828-HXY 编号：C22366494

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号STN4828 的N+N沟道MOS管采用标准SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件提供出色的电气性能，最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，适应高压大电流工作环境。其导通电阻RD(on)仅为32mR，确保在大电流操作时降低功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师设计高性能、低损耗电路的理想MOS管产品。

5+
￥1.05597 ￥1.1733
50+
￥0.82917 ￥0.9213
150+
￥0.73197 ￥0.8133
500+
￥0.61074 ￥0.6786
3000+
￥0.55674 ￥0.6186
6000+
￥0.52425 ￥0.5825

有货

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型号：NTD4860NT4G(UMW) 编号：C18214406

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VCORE应用。 DC-DC转换器。高端/低端开关

5+
￥1.0603
50+
￥0.8311
150+
￥0.7329
500+
￥0.6103
2500+
￥0.5558
5000+
￥0.523

有货

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型号：IRFR5505PBF-HXY 编号：C22366487

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备高效散热性能。该器件工作电压VDSS高达60V，连续电流ID可承载15A，满足大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为70mR，有效减少功率损耗，提高能源利用效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高功率、低损耗电路的理想选择。

5+
￥1.069314 ￥1.1498
50+
￥0.839697 ￥0.9029
150+
￥0.74121 ￥0.797
500+
￥0.61845 ￥0.665
2500+
￥0.563766 ￥0.6062
5000+
￥0.530937 ￥0.5709

有货

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型号：SE30P12D 编号：C238703

封装：DFN-8(3x3)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.0967
50+
￥0.8548
150+
￥0.7511
500+
￥0.6217
2500+
￥0.5641
5000+
￥0.5295

有货

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型号：RFD16N05LSM9A(UMW) 编号：C7499400

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)。 UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)。为5V栅极驱动优化设计。 SOA受功率耗散限制。纳秒级开关速度。线性传输特性。高输入阻抗。多数载流子器件。可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动

5+
￥1.2227
50+
￥0.9564
150+
￥0.8422
500+
￥0.6998
2500+
￥0.6364
5000+
￥0.5983

有货

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型号：RS60N80UHG 编号：C51904706

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

5+
￥1.262265 ￥1.3287
50+
￥0.999875 ￥1.0525
150+
￥0.887395 ￥0.9341
500+
￥0.74708 ￥0.7864
2500+
￥0.684665 ￥0.7207
5000+
￥0.64714 ￥0.6812

有货

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型号：AM20N06-90D-T1-PF-JSM 编号：C7462821

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

5+
￥1.29608 ￥1.5248
50+
￥1.13186 ￥1.3316
150+
￥1.06148 ￥1.2488
500+
￥0.97359 ￥1.1454
2500+
￥0.93449 ￥1.0994
5000+
￥0.91103 ￥1.0718

有货

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型号：SSM6K217FE,LF 编号：C6685680

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 165 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.363
50+
￥1.0606
150+
￥0.931
500+
￥0.7693
2500+
￥0.6973
4000+
￥0.654

有货

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型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.7037
50+
￥1.3257
150+
￥1.1637
500+
￥0.9616
3000+
￥0.8716

有货

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型号：NTTFS4C10NTAG 编号：C352878

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。功率负载开关

数据手册

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.45
100+
￥1.33
500+
￥1.24
1500+
￥1.2

有货

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型号：SI9945BDY-T1-E3-VB 编号：C6705322

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.0995 ￥2.47
10+
￥1.853 ￥2.18
30+
￥1.7255 ￥2.03
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.598 ￥1.88
1000+
￥1.564 ￥1.84

有货

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型号：MGC031N06L 编号：C49242752

封装：PDFN5x6-8

品牌：Megain(美佳音)

特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电机驱动。电动工具

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915
2500+
￥1.1835

有货

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型号：RSU7N65D 编号：C5371939

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

数据手册

1+
￥2.2515 ￥2.37
10+
￥1.824 ￥1.92
30+
￥1.634 ￥1.72
100+
￥1.406 ￥1.48
500+
￥1.3015 ￥1.37
1000+
￥1.2445 ￥1.31

有货

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型号：AOD2610-VB 编号：C724968

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册