美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.445 ￥1.7
1000+
￥1.411 ￥1.66

有货

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型号：TP0610K-T1-E3 编号：C74714

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。高端开关。低导通电阻：6Ω。低阈值：-2V（典型值）。快速开关速度：20ns（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。电池供电系统

数据手册

5+
￥2.3257
50+
￥1.8435
150+
￥1.6369
500+
￥1.3791
3000+
￥1.2643

有货

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型号：DMP4025LSD-VB 编号：C725015

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.346 ￥2.76
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.972 ￥2.32
100+
￥1.8275 ￥2.15
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.4195 ￥1.67

有货

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型号：FDS9945-NL-VB 编号：C558131

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.3545 ￥2.77
10+
￥2.0995 ￥2.47
30+
￥1.9805 ￥2.33
100+
￥1.853 ￥2.18
500+
￥1.7765 ￥2.09
1000+
￥1.7425 ￥2.05

有货

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型号：PGN10N052 编号：C49384064

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

1+
￥2.6125 ￥2.75
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.843 ￥1.94
100+
￥1.5485 ￥1.63
500+
￥1.4155 ￥1.49
1000+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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型号：NTP6413ANG-VB 编号：C693332

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.9495 ￥5.21
10+
￥4.047 ￥4.26
50+
￥3.591 ￥3.78
100+
￥3.1445 ￥3.31
500+
￥2.869 ￥3.02
1000+
￥2.736 ￥2.88

有货

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型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.77
50+
￥3.56
100+
￥3.15
500+
￥2.9

有货

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型号：PGT12N028H 编号：C49384078

封装：TOLL-8L

品牌：HT(金誉)

特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。电机控制和驱动

1+
￥7.5525 ￥7.95
10+
￥6.289 ￥6.62
30+
￥5.5955 ￥5.89
100+
￥4.807 ￥5.06
500+
￥4.465 ￥4.7
1500+
￥4.3035 ￥4.53

有货

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型号：IRFP450-HXY 编号：C7469135

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款工业级N沟道MOSFET采用TO-247S封装，具有500V高耐压及14A大电流承载能力，适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。

1+
￥8.316 ￥9.45
10+
￥7.0752 ￥8.04
30+
￥5.9664 ￥6.78
90+
￥5.2008 ￥5.91
510+
￥4.8576 ￥5.52
990+
￥4.6992 ￥5.34

有货

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型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

数据手册

1+
￥10.55
10+
￥8.68
30+
￥7.65
100+
￥6.49
500+
￥5.97
1000+
￥5.74

有货

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型号：SUP70101EL-GE3 编号：C5932059

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻封装，符合RoHS标准。最高175℃结温，无卤。低RDS(on)，可最大限度降低传导损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIS测试。应用：电池保护。电机驱动控制

1+
￥19.65
10+
￥16.65
50+
￥14.87
100+
￥13.07
500+
￥12.24

有货

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型号：SN7002NH6327-ES 编号：C5224227

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0794
500+
￥0.0586
3000+
￥0.0511
6000+
￥0.0442
24000+
￥0.0382
51000+
￥0.035

有货

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型号：NDS331N-ES 编号：C21713832

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

50+
￥0.1056
500+
￥0.0824
3000+
￥0.0695
6000+
￥0.0617
24000+
￥0.055
51000+
￥0.0514

有货

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型号：2N7002BK 编号：C7603346

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等