美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI3134K-TP 编号：C669002

封装：SOT-723

品牌：MCC(美微科)

特性：低逻辑电平栅极驱动。 N沟道开关，低导通电阻RDS(on)。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

数据手册

5+
￥0.5614
50+
￥0.5014
150+
￥0.4714
500+
￥0.4489
2500+
￥0.4309
5000+
￥0.4219

有货

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型号：MS30N06NF 编号：C22399564

封装：DFN5X6-8L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN5X6，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=24MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理

5+
￥0.6188
50+
￥0.5348
150+
￥0.4988
500+
￥0.4538
2500+
￥0.4338
5000+
￥0.4218

有货

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型号：NTJD4401NT1G 编号：C2923388

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.6654
50+
￥0.531
150+
￥0.4638
500+
￥0.4134
3000+
￥0.3338
6000+
￥0.3136

有货

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型号：SSM6N43FU,LF 编号：C17287625

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω（最大值）（@ VGS = 1.5V）。RDS(ON) = 1.14Ω（最大值）（@ VGS = 1.8V）。RDS(ON) = 0.85Ω（最大值）（@ VGS = 2.5V）。RDS(ON) = 0.66Ω（最大值）（@ VGS = 4.5V）。RDS(ON) = 0.63Ω（最大值）（@ VGS = 5.0V）

5+
￥0.7225
50+
￥0.628
150+
￥0.5875
500+
￥0.5369
3000+
￥0.5144
6000+
￥0.5009

有货

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型号：AO4406AL 编号：C5224299

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，20A，10mΩ@10V,15A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.8892
50+
￥0.6646
150+
￥0.5523
500+
￥0.468

有货

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型号：PGQ04N070 编号：C49384056

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：快速开关能力。稳健设计，具有更好的EAS性能。超低导通电阻。应用：电池管理系统。电机驱动器

5+
￥0.944395 ￥0.9941
50+
￥0.748125 ￥0.7875
150+
￥0.663955 ￥0.6989
500+
￥0.55898 ￥0.5884
2500+
￥0.51224 ￥0.5392
5000+
￥0.484215 ￥0.5097

有货

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型号：IRLML5103PBF-HXY 编号：C22367265

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLML5103PbF 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。

5+
￥0.99684 ￥1.278
50+
￥0.780624 ￥1.0008
150+
￥0.68796 ￥0.882
500+
￥0.572364 ￥0.7338
3000+
￥0.520884 ￥0.6678
6000+
￥0.489996 ￥0.6282

有货

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型号：RS60N80UHG 编号：C51904706

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

5+
￥1.262265 ￥1.3287
50+
￥0.999875 ￥1.0525
150+
￥0.887395 ￥0.9341
500+
￥0.74708 ￥0.7864
2500+
￥0.684665 ￥0.7207
5000+
￥0.64714 ￥0.6812

有货

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型号：AO4805 编号：C5224317

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个P沟道，-30V，-10.0A，15mΩ@-10V,-8.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.2932
10+
￥0.9656
30+
￥0.8252
100+
￥0.65

有货

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型号：IRF7807ATRPBF-VB 编号：C6705275

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.298375 ￥1.5275
50+
￥1.13951 ￥1.3406
150+
￥1.071425 ￥1.2605
500+
￥0.98651 ￥1.1606
2500+
￥0.87754 ￥1.0324
4000+
￥0.854845 ￥1.0057

有货

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型号：BRCS080N04ZC 编号：C22448996

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品高频开关和同步整流，DC 电机驱动器 40V 52A

5+
￥1.303
50+
￥1.0107
150+
￥0.8854
500+
￥0.7291
2500+
￥0.6595

有货

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型号：P0903BDG-VB 编号：C2680757

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.581 ￥1.86
10+
￥1.394 ￥1.64
30+
￥1.3175 ￥1.55
100+
￥1.2155 ￥1.43
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：SI9430DY-T1-E3-VB 编号：C5878848

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥1.6835
50+
￥1.4819
150+
￥1.3955
500+
￥1.2877
2500+
￥1.2397
4000+
￥1.2109

有货

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型号：SI4850DY-T1-E3-VB 编号：C6705319

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥1.7255 ￥2.03
10+
￥1.513 ￥1.78
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.309 ￥1.54
500+
￥1.1645 ￥1.37
1000+
￥1.1305 ￥1.33

有货

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型号：NTTFS4C10NTAG 编号：C352878

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。功率负载开关

数据手册

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.45
100+
￥1.33
500+
￥1.24
1500+
￥1.2

有货

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.8252
50+
￥1.422
150+
￥1.2492
500+
￥1.0336
3000+
￥0.9376
6000+
￥0.88

有货

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型号：AO4813-VB 编号：C709893

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.768 ￥2.08
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.445 ￥1.7
1000+
￥1.411 ￥1.66

有货

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型号：SKD502T 编号：C467184

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.1527
50+
￥1.7348
150+
￥1.5361
500+
￥1.288
2500+
￥1.1776
5000+
￥1.1113

有货

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型号：SI1032X-T1-GE3 编号：C727316

封装：SC-89-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。低侧开关。低欧姆电阻：5 Ω。低阈值：0.9 V（典型值）。快速开关速度：35 ns。 TrenchFET 功率 MOSFET，额定 1.5 V。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统

数据手册

1+
￥2.22
10+
￥1.94
30+
￥1.82
100+
￥1.6366 ￥1.67
500+
￥1.3622 ￥1.39
1000+
￥1.3328 ￥1.36

有货

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型号：AOD2610-VB 编号：C724968

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.312 ￥2.72
10+
￥2.057 ￥2.42
30+
￥1.9295 ￥2.27
100+
￥1.802 ￥2.12
500+
￥1.5215 ￥1.79
1000+
￥1.479 ￥1.74

有货

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型号：SI7848BDP-T1-E3-HXY 编号：C22366797

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7848BDP-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封装，专为高效能、低损耗的电源转换和电机驱动应用设计。该器件具有40V的最大工作电压VDSS，能够处理高达60A的连续电流，且导通电阻低至6.9mR，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效表现。

1+
￥2.7556 ￥3.32
10+
￥2.6975 ￥3.25
30+
￥2.6477 ￥3.19
100+
￥2.6062 ￥3.14

有货

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型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.25
30+
￥2.02
100+
￥1.73
500+
￥1.6
1000+
￥1.52

有货

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型号：FDS9945 编号：C94891

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.46
30+
￥2.16
100+
￥1.8
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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型号：VBZA9945 编号：C700609

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.196 ￥3.76
10+
￥2.601 ￥3.06
30+
￥2.3035 ￥2.71
100+
￥2.006 ￥2.36
500+
￥1.564 ￥1.84
1000+
￥1.479 ￥1.74

有货

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型号：RD3P050SNTL1 编号：C525601

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.69
30+
￥2.41
100+
￥2.07
500+
￥1.64
1000+
￥1.55

有货

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型号：RSU12N65D 编号：C5371940

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.73
30+
￥2.43
100+
￥2.13
500+
￥1.95
1000+
￥1.86

有货

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型号：AON6512-ES 编号：C19725103

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥3.41
10+
￥2.62
30+
￥2.28
100+
￥1.86
500+
￥1.68
1000+
￥1.56

有货

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型号：SSM3K341R,LXHF 编号：C5908551

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 36mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 43mΩ（典型值）(@ VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器