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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1619
  • 200+

    ¥0.1295
  • 600+

    ¥0.1115
  • 3000+

    ¥0.1007
  • 9000+

    ¥0.0913
  • 21000+

    ¥0.0862
  • 有货
  • N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 20+

      ¥0.1754
    • 200+

      ¥0.1376
    • 600+

      ¥0.1166
    • 3000+

      ¥0.0997
    • 9000+

      ¥0.0887
    • 21000+

      ¥0.0829
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1867
    • 200+

      ¥0.1458
    • 600+

      ¥0.1231
    • 2000+

      ¥0.1095
    • 8000+

      ¥0.0866
    • 16000+

      ¥0.0803
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.1977
    • 200+

      ¥0.1545
    • 600+

      ¥0.1305
    • 3000+

      ¥0.1101
    • 9000+

      ¥0.0976
    • 21000+

      ¥0.0909
  • 有货
  • N沟道,30V,6.2A,17mΩ@10V,5.0A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2325
    • 100+

      ¥0.1858
    • 300+

      ¥0.1599
    • 3000+

      ¥0.1443
    • 6000+

      ¥0.1308
    • 9000+

      ¥0.1235
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3.8A,46mΩ@-10V,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2707
    • 100+

      ¥0.2158
    • 300+

      ¥0.1884
    • 3000+

      ¥0.1678
    • 6000+

      ¥0.1513
    • 9000+

      ¥0.143
  • 有货
  • 特性:低导通电阻(RDS(on)),在VGS = 10V时。 3.3V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 无铅,符合RoHS标准。应用:DC-DC转换器。 电池驱动便携式设备的电源管理
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2979
    • 100+

      ¥0.2355
    • 300+

      ¥0.2043
    • 3000+

      ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1528
  • 有货
  • 应用:电话机中的线路电流断路器。高速和线路变压器驱动
    • 10+

      ¥0.4425
    • 100+

      ¥0.3465
    • 300+

      ¥0.2985
    • 3000+

      ¥0.2625
    • 6000+

      ¥0.2337
    • 9000+

      ¥0.2193
  • 有货
  • 应用:电话机中的线路电流断路器。高速和线路变压器驱动
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
    • 3000+

      ¥0.2783
    • 6000+

      ¥0.2495
    • 9000+

      ¥0.235
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.5681
    • 50+

      ¥0.4246
    • 150+

      ¥0.3529
    • 500+

      ¥0.299
  • 有货
  • 此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN5X6,具备漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):30A,RDS:10V@10A=24MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
    • 5+

      ¥0.58786 ¥0.6188
    • 50+

      ¥0.50806 ¥0.5348
    • 150+

      ¥0.47386 ¥0.4988
    • 500+

      ¥0.43111 ¥0.4538
    • 2500+

      ¥0.41211 ¥0.4338
    • 5000+

      ¥0.40071 ¥0.4218
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 400mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V),RDS(ON) = 300mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6648
    • 50+

      ¥0.5208
    • 150+

      ¥0.4488
    • 500+

      ¥0.3948
    • 3000+

      ¥0.3516
    • 6000+

      ¥0.33
  • 有货
  • 特性:MOSFET元件相互独立,消除相互干扰。 可将安装成本和面积减半。 低导通电阻。 低电压驱动(1.8V),适用于便携式设备。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7213
    • 50+

      ¥0.5821
    • 150+

      ¥0.5125
    • 500+

      ¥0.4603
    • 2500+

      ¥0.3931
    • 5000+

      ¥0.3722
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω(最大值)(@ VGS = 1.5V)。RDS(ON) = 1.14Ω(最大值)(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 0.85Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 0.66Ω(最大值)(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 0.63Ω(最大值)(@ VGS = 5.0V)
    • 5+

      ¥0.7225
    • 50+

      ¥0.628
    • 150+

      ¥0.5875
    • 500+

      ¥0.5369
    • 3000+

      ¥0.5144
    • 6000+

      ¥0.5009
  • 有货
  • 此P沟道MOSFET针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V-25V)的电源管理应用进行了优化。
    • 5+

      ¥0.7582
    • 50+

      ¥0.5963
    • 150+

      ¥0.5153
    • 500+

      ¥0.4546
    • 2500+

      ¥0.4061
    • 5000+

      ¥0.3818
  • 有货
  • N沟道,30V,45A,4.0mΩ@10V,20A,1.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.8522
    • 10+

      ¥0.7576
    • 30+

      ¥0.7171
    • 100+

      ¥0.6665
    • 500+

      ¥0.644
    • 1000+

      ¥0.5359
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联
    数据手册
    • 5+

      ¥0.89262 ¥0.9396
    • 50+

      ¥0.71117 ¥0.7486
    • 150+

      ¥0.620445 ¥0.6531
    • 500+

      ¥0.552425 ¥0.5815
    • 2500+

      ¥0.475285 ¥0.5003
    • 5000+

      ¥0.44802 ¥0.4716
  • 有货
  • SI4936ADY-T1-E3 是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用小型化SOP-8封装,专为现代电子设备设计提供高效能电流控制解决方案。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V,可承载6A连续漏极电流,确保强大电力传输;25mΩ的超低导通电阻RD(on),有效降低功率损耗,提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您构建高集成度与节能电子产品的理想MOS管选择。
    • 5+

      ¥1.025728 ¥1.1656
    • 50+

      ¥0.795168 ¥0.9036
    • 150+

      ¥0.696256 ¥0.7912
    • 500+

      ¥0.572968 ¥0.6511
    • 3000+

      ¥0.518056 ¥0.5887
    • 6000+

      ¥0.485056 ¥0.5512
  • 有货
  • P沟道,-30V,-14A,6.8mΩ@-10V,-12A,-1.7V@-250uA;用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥1.0336
    • 50+

      ¥0.7718
    • 150+

      ¥0.6595
    • 500+

      ¥0.5195
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,82mΩ@10V,4.0A,1.8V@250uA;应用领域:断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2256
    • 50+

      ¥0.9151
    • 150+

      ¥0.7821
    • 500+

      ¥0.616
  • 有货
  • 应用于电源转换、电机驱动等领域,提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.232925 ¥1.4505
    • 50+

      ¥0.954465 ¥1.1229
    • 150+

      ¥0.835125 ¥0.9825
    • 500+

      ¥0.68629 ¥0.8074
    • 3000+

      ¥0.61999 ¥0.7294
    • 6000+

      ¥0.580125 ¥0.6825
  • 有货
  • 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。
    • 5+

      ¥1.3526
    • 50+

      ¥1.0401
    • 150+

      ¥0.9062
    • 500+

      ¥0.7391
    • 2500+

      ¥0.6647
  • 有货
  • LED无级调光驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4086
    • 10+

      ¥1.1263
    • 30+

      ¥1.0054
    • 100+

      ¥0.8545
    • 500+

      ¥0.7873
    • 1000+

      ¥0.6573
  • 有货
  • P沟道,-30V,-31.0A,13.0mΩ@-10V,-20A,-1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.418
    • 10+

      ¥1.0904
    • 30+

      ¥0.95
    • 100+

      ¥0.7749
    • 500+

      ¥0.6969
    • 1000+

      ¥0.65
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单路功率型沟道型MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8;P—Channel沟道,-20V;-13A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-1.2V;
    数据手册
    • 5+

      ¥1.42205 ¥1.673
    • 50+

      ¥1.250775 ¥1.4715
    • 150+

      ¥1.17742 ¥1.3852
    • 500+

      ¥0.986595 ¥1.1607
    • 2500+

      ¥0.945795 ¥1.1127
    • 4000+

      ¥0.9214 ¥1.084
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单路N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,30V;18A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
    • 1+

      ¥1.7 ¥2
    • 10+

      ¥1.479 ¥1.74
    • 30+

      ¥1.3855 ¥1.63
    • 100+

      ¥1.2665 ¥1.49
    • 500+

      ¥1.2325 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.207 ¥1.42
  • 有货
  • 特性:快速开关。 提供绿色环保产品。 适用于4.5V栅极驱动应用。应用:DC风扇。 电机驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9095
    • 50+

      ¥1.4913
    • 150+

      ¥1.3121
    • 500+

      ¥1.0886
    • 2500+

      ¥0.9392
    • 5000+

      ¥0.8795
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,60V;12A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    • 1+

      ¥2.0145 ¥2.37
    • 10+

      ¥1.751 ¥2.06
    • 30+

      ¥1.6405 ¥1.93
    • 100+

      ¥1.496 ¥1.76
    • 500+

      ¥1.4365 ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.394 ¥1.64
  • 有货
  • 应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
    • 1+

      ¥2.048 ¥2.56
    • 10+

      ¥1.832 ¥2.29
    • 30+

      ¥1.72 ¥2.15
    • 100+

      ¥1.608 ¥2.01
    • 500+

      ¥1.544 ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.512 ¥1.89
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    数据手册
    • 1+

      ¥2.142 ¥2.52
    • 10+

      ¥1.887 ¥2.22
    • 30+

      ¥1.768 ¥2.08
    • 100+

      ¥1.632 ¥1.92
    • 500+

      ¥1.445 ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.411 ¥1.66
  • 有货
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