美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOT4913J 编号：C7495161

封装：PDFN3X3-8L

品牌：MOT(仁懋)

特性：低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。无铅镀铅。无卤且符合ROHS标准。应用：电动工具中的电机驱动。电动汽车机器人

5+
￥1.7833
50+
￥1.4002
150+
￥1.2361
500+
￥1.0313
2500+
￥0.9401
5000+
￥0.8854

有货

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型号：IRLR7843TRPBF-ES 编号：C41365327

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，95A，2.9mΩ@10.0V,30A，1.5V@250μA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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型号：PGN10N052 编号：C49384064

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

1+
￥2.6125 ￥2.75
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.843 ￥1.94
100+
￥1.5485 ￥1.63
500+
￥1.4155 ￥1.49
1000+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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型号：IRFR3410TR-JSM 编号：C18190931

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

1+
￥2.632 ￥3.29
10+
￥2.104 ￥2.63
30+
￥1.84 ￥2.3
100+
￥1.576 ￥1.97
500+
￥1.416 ￥1.77
1000+
￥1.336 ￥1.67

有货

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型号：IPD78CN10N G-VB 编号：C6705266

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；

1+
￥2.703 ￥3.18
10+
￥2.4055 ￥2.83
30+
￥2.261 ￥2.66
100+
￥2.1165 ￥2.49
500+
￥1.87 ￥2.2
1000+
￥1.819 ￥2.14

有货

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型号：HCJU30P10 编号：C20616301

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

笔记本电脑的电源管理便携式设备和电池供电系统过流保护照明控制系统电机驱动

1+
￥2.8796 ￥3.13
10+
￥2.2816 ￥2.48
30+
￥2.024 ￥2.2
100+
￥1.702 ￥1.85
500+
￥1.4812 ￥1.61
1000+
￥1.3984 ￥1.52

有货

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型号：IRFP064N 编号：C20607749

封装：TO-247S

品牌：OSEN(欧芯)

特性：开关速度快。高输入阻抗和低电平驱动。雪崩能量测试。提高 dv/dt 能力，高耐用性。应用：高效率开关电源。功率因数校正

1+
￥3.404 ￥3.7
10+
￥3.0084 ￥3.27
30+
￥2.806 ￥3.05
90+
￥2.6036 ￥2.83
450+
￥2.484 ￥2.7
900+
￥2.4288 ￥2.64

有货

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型号：AOSD62666E 编号：C541719

封装：SOIC-8

品牌：AOS

采用Trench Power AlphaSGT技术，具有低RDS(ON)、逻辑电平栅极驱动、ESD保护、出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM），符合RoHS和无卤标准。VDS为60V，Ip（在VGS = 10V时）为9.5A，RDS(ON)（在VGS = 10V时）<14.5mΩ，RDS(ON)（在VGS = 4.5V时）<19mΩ。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.06
30+
￥2.71
100+
￥2.35
500+
￥2.14
1000+
￥2.03

有货

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型号：RS65R250HF 编号：C51904671

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥4.5695 ￥4.81
10+
￥3.705 ￥3.9
50+
￥3.2775 ￥3.45
100+
￥2.85 ￥3
500+
￥2.5935 ￥2.73
1000+
￥2.4605 ￥2.59

有货

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型号：MOT8125T 编号：C39832749

封装：TOLL-8

品牌：MOT(仁懋)

特性：使用先进的双沟槽技术。低导通电阻（RDS(on) ≤ 3mΩ）。低栅极电荷。低反向传输电容。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。应用：电池管理。电机控制和驱动

1+
￥4.93
10+
￥4.45
30+
￥4.19
100+
￥3.89
500+
￥3.76
1000+
￥3.7

有货

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型号：STD25NF10T4 编号：C435948

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该功率MOSFET系列采用STripFET™工艺开发，此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.2
30+
￥4.6
100+
￥4.01
500+
￥3.65
1000+
￥3.47

有货

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型号：IRFS11N50ATRLP 编号：C3281689

封装：TO-263AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容、雪崩电压和电流特性。规定了有效Css。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源

1+
￥7.98
10+
￥7.25
30+
￥6.85
100+
￥6.016 ￥6.4
500+
￥5.828 ￥6.2
800+
￥5.7434 ￥6.11

有货

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型号：IPLK60R360PFD7 编号：C537054

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。

数据手册