美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR7446TRPBF 编号：C97243

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥2.71
10+
￥2.13
30+
￥1.88
100+
￥1.57
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

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型号：NTMD4840NR2G 编号：C97778

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。双SOIC-8表面贴装封装节省电路板空间。这是一个无铅器件。应用：磁盘驱动器。DC-DC转换器

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1+
￥3.28
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￥2.65
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￥2.38
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￥2.04
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￥1.89
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￥1.8

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型号：FQD50N06-VB 编号：C725048

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1+
￥3.7905 ￥3.99
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￥3.0685 ￥3.23
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￥2.698 ￥2.84
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￥2.337 ￥2.46
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￥1.9665 ￥2.07
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￥1.862 ￥1.96

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型号：IRFR430ATRPBF 编号：C727772

封装：DPAK

品牌：VISHAY(威世)

特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容、雪崩电压和电流。规定了有效Coss。应用：开关模式电源（SMPS）。不间断电源

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1+
￥4.45
10+
￥3.67
30+
￥3.29
100+
￥2.9
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￥2.38
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￥2.27

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型号：STL6P3LLH6-MS 编号：C51908850

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计,采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准匹配高集成度与节能设计需求；30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID），保障强大且稳定的电流处理能力，而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著降低系统损耗、提升整体能效。器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高效绿色电子产品的理想选择。

1+
￥4.58
10+
￥3.72
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￥3.29
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￥2.86
500+
￥2.6

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型号：IRFBC30APBF 编号：C506482

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容、雪崩电压和电流。指定有效的Cₒₛₛ。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：开关模式电源（SMPS）。不间断电源

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1+
￥4.96
10+
￥4.46
50+
￥4.19
100+
￥3.7636 ￥3.88
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￥3.6375 ￥3.75
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￥3.5793 ￥3.69

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型号：SI4554DY-T1-GE3 编号：C727596

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动

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1+
￥5.45
10+
￥4.36
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￥3.82
100+
￥3.2144 ￥3.28
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￥2.9008 ￥2.96
1000+
￥2.7342 ￥2.79

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型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。

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1+
￥5.56
10+
￥4.52
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￥4
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￥3.02

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型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ 编号：C7068953

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.6 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低漏电流：ILS = -10 μA（最大值）(VDS = -60 V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器