美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：PTN60P03 编号：C49384074

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HT(金誉)

特性：高压设备的新技术。低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：PGN04N070 编号：C49384065

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HT(金誉)

特性：快速开关能力。稳健设计，具有更好的EAS性能。超低导通电阻。应用：电池管理系统。电机驱动器

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：NDC7003P 编号：C7472876

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动器

5+
￥1.4399
50+
￥1.1375
150+
￥1.0079
500+
￥0.8462
3000+
￥0.7742
6000+
￥0.7309

有货

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型号：2SK3065T100 编号：C443889

封装：TO-243AA

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高速开关。欠压驱动（2.5V驱动），适用于小型电源等。驱动电路简单。易于并联使用。抗静电放电能力强

数据手册

5+
￥1.6364
50+
￥1.2684
150+
￥1.1108
1000+
￥0.914
2000+
￥0.8264

有货

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型号：SI1024X-T1-GE3 编号：C86784

封装：SOT-563

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET，额定 1.8 V。非常小的占位面积。高端开关。低导通电阻：0.7 Ω。低阈值：0.8 V（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统

数据手册

5+
￥1.7042
50+
￥1.321
150+
￥1.1568
500+
￥0.9519
3000+
￥0.8607

有货

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型号：MGP089N10N 编号：C49242758

封装：TO-220-3L

品牌：Megain(美佳音)

特性：快速开关速度。可靠耐用。符合ROHS标准且无卤。 100%经过UIS测试。应用：电机驱动器。 DC-DC转换器

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636
500+
￥1.148
2500+
￥1.052

有货

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型号：SI4405DY-T1-GE3-VB 编号：C6705313

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.445 ￥1.7
1000+
￥1.411 ￥1.66

有货

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型号：TPC8107&9-VB 编号：C6705332

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.445 ￥1.7
1000+
￥1.411 ￥1.66

有货

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型号：2SK2615(TE12L.F) 编号：C2762693

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：DC-DC转换器。继电器驱动

数据手册

5+
￥2.1675
50+
￥1.6887
150+
￥1.4835
1000+
￥1.2275
2000+
￥1.1135
5000+
￥1.0451

有货

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型号：AO4447A-VB 编号：C724961

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.193 ￥2.58
10+
￥1.9295 ￥2.27
30+
￥1.819 ￥2.14
100+
￥1.6745 ￥1.97
500+
￥1.615 ￥1.9
1000+
￥1.581 ￥1.86

有货

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型号：IRLR7843TRPBF-ES 编号：C41365327

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，95A，2.9mΩ@10.0V,30A，1.5V@250μA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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型号：YFWG120N085AD 编号：C42429549

封装：TO-252

品牌：YFW(佑风微)

特性：YFW-SGT技术。超低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。 100%进行UIS测试和Rg测试。无铅镀铅。无卤且符合RoHS标准。应用：电动工具、电动车、机器人中的电机驱动。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流开关

1+
￥2.47 ￥2.6
10+
￥1.9 ￥2
30+
￥1.653 ￥1.74
100+
￥1.349 ￥1.42
500+
￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：IPD78CN10N G-VB 编号：C6705266

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；

1+
￥2.703 ￥3.18
10+
￥2.4055 ￥2.83
30+
￥2.261 ￥2.66
100+
￥2.1165 ￥2.49
500+
￥1.87 ￥2.2
1000+
￥1.819 ￥2.14

有货

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型号：BSC0702LS-HXY 编号：C20606289

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。

1+
￥2.79 ￥3
10+
￥2.5296 ￥2.72
30+
￥2.4087 ￥2.59
100+
￥2.2785 ￥2.45
500+
￥1.9158 ￥2.06
1000+
￥1.8786 ￥2.02

有货

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型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥3.11
10+
￥2.57
30+
￥2.33
100+
￥2.04
500+
￥1.91
1000+
￥1.84

有货

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型号：RSU12N65D 编号：C5371940

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源

数据手册

1+
￥3.173 ￥3.34
10+
￥2.5935 ￥2.73
30+
￥2.3085 ￥2.43
100+
￥2.0235 ￥2.13
500+
￥1.8525 ￥1.95
1000+
￥1.767 ￥1.86

有货

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型号：MDD20N65F 编号：C5299409

封装：TO-220F

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路

1+
￥3.9456 ￥4.11
10+
￥3.3216 ￥3.46
50+
￥2.6304 ￥2.74
100+
￥2.3232 ￥2.42
500+
￥2.1408 ￥2.23
1000+
￥2.0352 ￥2.12

有货

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型号：STL6P3LLH6-MS 编号：C51908850

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计,采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准匹配高集成度与节能设计需求；30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID），保障强大且稳定的电流处理能力，而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著降低系统损耗、提升整体能效。器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高效绿色电子产品的理想选择。

1+
￥4.58
10+
￥3.72
30+
￥3.29
100+
￥2.86
500+
￥2.6
1000+
￥2.47

有货

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型号：RS65R190BD 编号：C49317662

封装：PTO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超结MOS，LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
30+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ 编号：C7068953

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.6 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低漏电流：ILS = -10 μA（最大值）(VDS = -60 V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥7.16
10+
￥5.87
30+
￥5.16
100+
￥4.35
500+
￥3.99
1000+
￥3.83

有货

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型号：FQA24N50-HXY 编号：C48972097

封装：TO-3P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），适用于中高压功率控制场景。其导通电阻（RDON）典型值为150毫欧，在高频开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源转换设备、照明控制系统、电机驱动模块以及其他需要高效功率管理的电子装置。