美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFS5C430NT1G 编号：C604436

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥3.27
10+
￥2.54
30+
￥2.22
100+
￥1.83
500+
￥1.66
1500+
￥1.55

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥3.44
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￥2.74
30+
￥2.44
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￥2.06
500+
￥1.89
800+
￥1.79

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型号：SI7848BDP-T1-E3-HXY 编号：C22366797

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7848BDP-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封装，专为高效能、低损耗的电源转换和电机驱动应用设计。该器件具有40V的最大工作电压VDSS，能够处理高达60A的连续电流，且导通电阻低至6.9mR，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效表现。

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￥4.98 ￥6
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￥4.0089 ￥4.83
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￥3.5275 ￥4.25
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￥3.0461 ￥3.67
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￥2.7556 ￥3.32
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￥2.6062 ￥3.14

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型号：STD6NF10T4 编号：C88592

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，它适合作为电信和计算机应用中先进的高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用

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￥5.225 ￥5.5
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￥4.25 ￥5
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￥3.5475 ￥4.73
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￥3.315 ￥4.42
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￥3.21 ￥4.28
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￥3.165 ￥4.22

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型号：RFD14N05LSM9A 编号：C464112

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

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￥5.64
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￥4.58
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￥4.06
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￥3.16
500+
￥2.85
1000+
￥2.69

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型号：STD40NF10 编号：C500956

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该功率MOSFET系列采用独特的STripFET™工艺开发，此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。

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1+
￥7.96
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￥6.67
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￥5.96
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￥5.16
500+
￥4.8
1000+
￥4.64

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型号：PGT10N015H 编号：C49384080

封装：TOLL-8L

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：交流/直流快速充电器的同步整流。电池管理

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￥8.7685 ￥9.23
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￥7.2295 ￥7.61
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￥6.3935 ￥6.73
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￥5.434 ￥5.72
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￥5.0065 ￥5.27
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￥4.8165 ￥5.07

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型号：HXYG500N06L 编号：C51949364

封装：TOLL-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和高达500A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至0.9mΩ，适用于大电流、高效率的功率开关应用。其超低内阻显著降低导通损耗，有助于提升系统热稳定性与能效表现。N沟道设计配合适当的栅极驱动可实现快速开关响应，适合用于高功率直流电源转换、大电流负载开关及同步整流电路。器件优异的功率处理能力，适用于对电流密度和空间布局有较高要求的高性能电子系统。

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￥10.46
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￥8.71
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￥7.75
100+
￥6.67

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型号：IRL40SC228 编号：C538127

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥11.82
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￥10.01
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￥8.88
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￥7.72
500+
￥7.2

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型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥18.41
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￥15.86
30+
￥14.27
100+
￥11.18
500+
￥10.44
800+
￥10.12

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型号：BSS138NH6327-ES 编号：C5224270

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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20+
￥0.0695
200+
￥0.0565
600+
￥0.0493
3000+
￥0.045
9000+
￥0.0413
21000+
￥0.0392

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型号：2V7002LT1G-ES 编号：C5224229

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0782
100+
￥0.0609
300+
￥0.0513
3000+
￥0.0456
6000+
￥0.0406
9000+
￥0.0379

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型号：T2N7002BK-ES 编号：C5224223

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0798
200+
￥0.0625
600+
￥0.0529
3000+
￥0.0446
9000+
￥0.0396
21000+
￥0.0369

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型号：BSS123 编号：C39832210

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

50+
￥0.0874
500+
￥0.0685
3000+
￥0.058
6000+
￥0.0517
24000+
￥0.0463
51000+
￥0.0433

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型号：Si2302CDS-T1-GE3-ES 编号：C5224182

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.8V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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5+
￥0.1093
50+
￥0.0869
150+
￥0.0745
500+
￥0.067
3000+
￥0.0606
6000+
￥0.0571

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型号：2N7002BKW 编号：C51886151

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低导通电阻。ESD保护栅极高达2kV HBM。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。开关应用

50+
￥0.119
500+
￥0.0923
3000+
￥0.0774

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型号：2N7002KM 编号：C5174641

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-723封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

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20+
￥0.160645 ￥0.1691
200+
￥0.127205 ￥0.1339
600+
￥0.108585 ￥0.1143
2000+
￥0.097375 ￥0.1025
8000+
￥0.08056 ￥0.0848
16000+
￥0.075335 ￥0.0793

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型号：2N7002M3T5G-ES 编号：C5224234

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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5+
￥0.1651
50+
￥0.13
150+
￥0.1105
500+
￥0.0988
2500+
￥0.0887
5000+
￥0.0832

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型号：AO3401A 编号：C5379091

封装：SOT-23-3L

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：30V，-4.0A，RDS(ON)=51mΩ（VGS=-10V）。快速开关。有环保器件可供选择。适用于-2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

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10+
￥0.26136 ￥0.2904
100+
￥0.20952 ￥0.2328
300+
￥0.1836 ￥0.204
3000+
￥0.16416 ￥0.1824
6000+
￥0.14859 ￥0.1651
9000+
￥0.14076 ￥0.1564

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型号：TPM2031-3 编号：C2841420

封装：SOT-723-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：无铅产品。表面贴装封装。具有低RDS(on)的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。与TPM2018EX3互补。应用：负载/电源开关。接口开关

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10+
￥0.2867
100+
￥0.2339
300+
￥0.2075
1000+
￥0.1877
5000+
￥0.1543
8000+
￥0.1464

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型号：AO3415A 编号：C5350990

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥0.2889
10+
￥0.2234
30+
￥0.1906
100+
￥0.166
500+
￥0.1464
1000+
￥0.1365

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型号：SSM3J35CT,L3F 编号：C396019

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。模拟开关应用。 1.2V 驱动低导通电阻：Rₒₙ = 44Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.2V）。Rₒₙ = 22Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.5V）。Rₒₙ = 11Ω（最大值）（V₍GS₎ = -2.5V）。Rₒₙ = 8Ω（最大值）（V₍GS₎ = -4.0V）

数据手册

5+
￥0.365562 ￥0.7947
50+
￥0.252288 ￥0.7008
150+
￥0.171756 ￥0.6606
500+
￥0.158704 ￥0.6104
2500+
￥0.152906 ￥0.5881
5000+
￥0.149422 ￥0.5747

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型号：FDV304P 编号：C10884

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。

数据手册

10+
￥0.3715
100+
￥0.2971
300+
￥0.2599
3000+
￥0.2196
6000+
￥0.1972

有货

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型号：CJ3134KDW 编号：C504140

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。具有低导通电阻的N沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。相当于两个CJ3134K。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.4717
100+
￥0.387
300+
￥0.3447
3000+
￥0.2918
6000+
￥0.2664

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型号：RYM002N05T2CL 编号：C122626

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（VMT3）。超低电压驱动（0.9V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.4924
100+
￥0.3705
300+
￥0.3095
1000+
￥0.2637

有货

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型号：15N10 编号：C5451633

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。

5+
￥0.586684 ￥0.6377
50+
￥0.481436 ￥0.5233
150+
￥0.428812 ￥0.4661
500+
￥0.389344 ￥0.4232
2500+
￥0.323564 ￥0.3517
5000+
￥0.307832 ￥0.3346

有货

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型号：AO4803A 编号：C5224315

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个P沟道，-30V，-5.8A，39mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.7329
50+
￥0.5407
150+
￥0.4446
500+
￥0.3725
3000+
￥0.3149
6000+
￥0.286

有货

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型号：ESN7414 编号：C5224308

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，23A，10.0mΩ@10V,10.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥0.741
10+
￥0.5538
30+
￥0.4602
100+
￥0.39

有货

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型号：AO7800 编号：C2940614

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保器件。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.8627
50+
￥0.6947
150+
￥0.6107
500+
￥0.5477
3000+
￥0.4403
6000+
￥0.415

有货

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型号：PTQ2025D 编号：C49384053

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：HT(金誉)

特性：低导通电阻和低传导损耗。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

5+
￥0.946675 ￥0.9965
50+
￥0.74993 ￥0.7894
150+
￥0.66557 ￥0.7006
500+
￥0.56031 ￥0.5898
2500+
￥0.513475 ￥0.5405
5000+
￥0.485355 ￥0.5109

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