美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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20+
￥0.0642
200+
￥0.0513
600+
￥0.0441
3000+
￥0.0397
9000+
￥0.036
21000+
￥0.034

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型号：2SK3018 编号：C2944164

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

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50+
￥0.0954
500+
￥0.0747
3000+
￥0.0616
6000+
￥0.0546
24000+
￥0.0486
51000+
￥0.0454

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型号：NDS7002A 编号：C7603342

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω，@VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω，@VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.117
500+
￥0.09
3000+
￥0.075
6000+
￥0.066
24000+
￥0.0582
51000+
￥0.054

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型号：3134K-GK 编号：C49247850

封装：SOT-723

品牌：GOODWORK(固得沃克)

特性：无铅产品。表面贴装封装。在低逻辑电平栅极驱动下工作的低RDS(on) N沟道开关。应用：负载/电源开关。接口开关

20+
￥0.130815 ￥0.1377
200+
￥0.1026 ￥0.108
600+
￥0.086925 ￥0.0915
2000+
￥0.07752 ￥0.0816
8000+
￥0.06935 ￥0.073
16000+
￥0.06498 ￥0.0684

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型号：SI3139KDW-TP-ES 编号：C7528012

封装：SOT-323

带ESD防护，P沟道，-20V，0.5A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1349
200+
￥0.1052
600+
￥0.0887
3000+
￥0.0762
9000+
￥0.0676
21000+
￥0.063

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型号：ES2N7002WT1G 编号：C5224241

封装：SOT-323

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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20+
￥0.1429
200+
￥0.1105
600+
￥0.0925
3000+
￥0.0781
9000+
￥0.0687
21000+
￥0.0636

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型号：AO3401A 编号：C5379091

封装：SOT-23-3L

特性：30V，-4.0A，RDS(ON)=51mΩ（VGS=-10V）。快速开关。有环保器件可供选择。适用于-2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

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10+
￥0.24894 ￥0.2766
100+
￥0.1971 ￥0.219
300+
￥0.17118 ￥0.1902
3000+
￥0.15174 ￥0.1686
6000+
￥0.13617 ￥0.1513
9000+
￥0.12834 ￥0.1426

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型号：AO3422A 编号：C2681222

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。宽栅极驱动电压范围：2.5V-12V。适用于作为负载开关。漏源击穿电压（V(BR)DS）：60V。连续漏极电流（ID）：2.1A。导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 10V时，小于105mΩ。应用：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关

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20+
￥0.2675
200+
￥0.2043
600+
￥0.1692
3000+
￥0.1393
9000+
￥0.1211
21000+
￥0.1112

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型号：AO3407A 编号：C5224209

封装：SOT23-3L

P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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10+
￥0.2707
100+
￥0.2158
300+
￥0.1884
3000+
￥0.1678
6000+
￥0.1513
9000+
￥0.143

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型号：CJX3439K 编号：C504143

封装：SOT-563

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：表面贴装封装。低导通电阻RDS(on)。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具备ESD保护。封装内包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET（相互独立）。应用：负载/电源开关。接口开关

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10+
￥0.4739
100+
￥0.3815
300+
￥0.3353
3000+
￥0.3006
6000+
￥0.2729

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型号：HKTG50N03 编号：C5364297

封装：PDFN5x6-8

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

5+
￥0.62472 ￥0.6576
50+
￥0.49381 ￥0.5198
150+
￥0.428355 ￥0.4509
500+
￥0.379335 ￥0.3993
2500+
￥0.340005 ￥0.3579
5000+
￥0.320435 ￥0.3373

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型号：MS30N06DF 编号：C22399563

封装：DFN3X3-8L

此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理

5+
￥0.663
50+
￥0.579
150+
￥0.543
500+
￥0.498
2500+
￥0.478
5000+
￥0.466

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型号：AO4803A 编号：C5224315

封装：SOP8

2个P沟道，-30V，-5.8A，39mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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5+
￥0.7329
50+
￥0.5407
150+
￥0.4446
500+
￥0.3725
3000+
￥0.3149
6000+
￥0.286

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型号：AOD4184A-MS 编号：C22462610

封装：TO-252

此款是N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装，具备漏源电压(Vdss):40V,峰值电流高达ID:50A,被广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、便携式电子设备、LED驱动电路、以及需要高效、低热耗散开关元件的其他领域

5+
￥1.0984
50+
￥0.8716
150+
￥0.7744
500+
￥0.6532
2500+
￥0.5767
5000+
￥0.5442

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型号：ESN6435 编号：C5224306

封装：PDFN5x6-8L

P沟道，-30V，-31.0A，13.0mΩ@-10V,-20A，-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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1+
￥1.418
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￥1.0904
30+
￥0.95
100+
￥0.7749
500+
￥0.6969
1000+
￥0.65

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型号：NTMS10P02R2G-VB 编号：C693351

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

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5+
￥1.42205 ￥1.673
50+
￥1.250775 ￥1.4715
150+
￥1.17742 ￥1.3852
500+
￥0.986595 ￥1.1607
2500+
￥0.945795 ￥1.1127
4000+
￥0.9214 ￥1.084

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型号：SI1024X-T1-GE3 编号：C86784

封装：SOT-563

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET，额定 1.8 V。非常小的占位面积。高端开关。低导通电阻：0.7 Ω。低阈值：0.8 V（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统

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5+
￥1.8452
50+
￥1.4516
150+
￥1.2829
500+
￥1.0724

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型号：AOD609-MS 编号：C3647111

封装：TO-252-4

特性：快速开关。提供绿色环保产品。适用于4.5V栅极驱动应用。应用：DC风扇。电机驱动应用

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5+
￥1.89677 ￥1.9966
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￥1.499575 ￥1.5785
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￥1.329335 ￥1.3993
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￥1.116915 ￥1.1757
2500+
￥0.974985 ￥1.0263
5000+
￥0.91827 ￥0.9666

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型号：AO4447A-VB 编号：C724961

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.6405 ￥1.93
500+
￥1.3855 ￥1.63
1000+
￥1.3515 ￥1.59

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型号：FDS9945-NL-VB 编号：C558131

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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1+
￥2.159 ￥2.54
10+
￥1.904 ￥2.24
30+
￥1.785 ￥2.1
100+
￥1.6575 ￥1.95
500+
￥1.581 ￥1.86
1000+
￥1.547 ￥1.82

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型号：STS7NF60L-VB 编号：C692970

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.2355 ￥2.63
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.8615 ￥2.19
100+
￥1.717 ￥2.02
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.4195 ￥1.67

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型号：DMN61D8LQ-7 编号：C5248874

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

DMN61D8LQ为汽车应用中切换继电器、螺线管和小型直流电机等感性负载提供了单组件解决方案，无需续流二极管。DMN61D8LQ可接受逻辑电平输入，因此可由逻辑门、反相器和微控制器驱动。

5+
￥2.2574
50+
￥1.7994
150+
￥1.6031
500+
￥1.3582
2500+
￥1.2492

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型号：JSM6764 编号：C2874729

封装：DFN-8(5x6)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

数据手册

5+
￥2.2577
50+
￥1.7789
150+
￥1.5737
500+
￥1.3176
2500+
￥1.1752
5000+
￥1.1068

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型号：DMP4025LSD-VB 编号：C725015

封装：SO-8