美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1+
￥5.8805 ￥6.19
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￥4.7975 ￥5.05
30+
￥4.256 ￥4.48
100+
￥3.7145 ￥3.91
500+
￥3.3915 ￥3.57
1000+
￥3.2205 ￥3.39

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型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥6.36
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￥5.38
30+
￥4.89
100+
￥4.4
500+
￥3.11
800+
￥2.96

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型号：SIR662DP-T1-GE3-JSM 编号：C7462820

封装：DFN5060-8L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

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￥7.9325 ￥8.35
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￥6.5645 ￥6.91
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￥5.814 ￥6.12
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￥4.959 ￥5.22
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￥4.199 ￥4.42
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￥4.028 ￥4.24

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型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986

封装：VDFN5045-12

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

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￥9.61
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￥7.9
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￥6.96
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￥5.9
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￥5.43
1000+
￥5.22

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型号：BSS138LT1G-ES 编号：C5224261

封装：SOT-23

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0682
200+
￥0.0552
600+
￥0.048
3000+
￥0.0437
9000+
￥0.04
21000+
￥0.0379

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型号：NDS7002A-ES 编号：C5224210

封装：SOT23-3L

带ESD防护，N沟道，60V，0.38A，1.75Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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20+
￥0.088
200+
￥0.0754
600+
￥0.0684
3000+
￥0.0642
9000+
￥0.0605
21000+
￥0.0585

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型号：AO3407 编号：C5224206

封装：SOT-23

P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.1956
200+
￥0.1675
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￥0.1519
3000+
￥0.1425
9000+
￥0.1344
21000+
￥0.13

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型号：TPM2030-3/TR 编号：C558624

封装：SOT-723

特性：RDS(on) = 典型值200mΩ，VGS = 4.5V。 RDS(on) = 典型值250mΩ，VGS = 2.5V。获得无铅产品。表面贴装封装，N沟道开关，低RDS(on)。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.2718
200+
￥0.2179
600+
￥0.1879
2000+
￥0.17
8000+
￥0.1412
16000+
￥0.1328

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C2940619

封装：SOT-563

特性：快速开关。有环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

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5+
￥0.5571
50+
￥0.4911
150+
￥0.4581
500+
￥0.4334
2500+
￥0.3598
4000+
￥0.3499

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型号：HKTG50N03 编号：C5364297

封装：PDFN5x6-8

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

5+
￥0.71212 ￥0.7496
50+
￥0.564395 ￥0.5941
150+
￥0.49058 ￥0.5164
500+
￥0.4351 ￥0.458
2500+
￥0.39083 ￥0.4114
5000+
￥0.368695 ￥0.3881

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型号：TPM4152PEC6 编号：C2928728

封装：SOT-363

特性：快速开关。有绿色环保产品可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.7362
50+
￥0.5922
150+
￥0.5202
500+
￥0.4662
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

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型号：FDY1002PZ 编号：C7472929

封装：SOT-563

特性：快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.8026
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￥0.6442
150+
￥0.565
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￥0.5056
3000+
￥0.4581
6000+
￥0.4343

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

5+
￥1.035
50+
￥0.8985
150+
￥0.84
500+
￥0.767
3000+
￥0.7345
6000+
￥0.715

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型号：SSM6J214FE(TE85L,F 编号：C516172

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)；RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)；RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)

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5+
￥1.3975
50+
￥1.0888
150+
￥0.9565
500+
￥0.7914
2500+
￥0.7179
4000+
￥0.6738

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型号：JSM6764 编号：C2874729

封装：DFN-8(5x6)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

数据手册

5+
￥1.522755 ￥1.6029
50+
￥1.33323 ￥1.4034
150+
￥1.252005 ￥1.3179
500+
￥1.15064 ￥1.2112
2500+
￥1.078535 ￥1.1353
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

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型号：ESN6484 编号：C5224311

封装：PDFN5x6-8L

N沟道，100V，11A，91mΩ@10V,7.5A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.6812
10+
￥1.2553
30+
￥1.0728
100+
￥0.845

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型号：SI4850DY-T1-E3-VB 编号：C6705319

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥1.7255 ￥2.03
10+
￥1.513 ￥1.78
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￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.309 ￥1.54
500+
￥1.1645 ￥1.37
1000+
￥1.1305 ￥1.33

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型号：IRFR7546TR(UMW) 编号：C5159790

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 71A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 7.9mΩ(VGS = 5V)。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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5+
￥1.7887
50+
￥1.4089
150+
￥1.2461
500+
￥0.9978
2500+
￥0.9074
5000+
￥0.8531

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型号：HKTG150N03 编号：C5364298

封装：PDFN5x6

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

5+
￥1.842715 ￥1.9397
50+
￥1.459675 ￥1.5365
150+
￥1.295515 ￥1.3637
500+
￥1.090695 ￥1.1481
2500+
￥0.999495 ￥1.0521
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￥0.944775 ￥0.9945

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型号：VBA1203M 编号：C480924

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥2.193 ￥2.58
10+
￥1.9295 ￥2.27
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￥1.819 ￥2.14
100+
￥1.683 ￥1.98
500+
￥1.615 ￥1.9
1000+
￥1.581 ￥1.86

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型号：IRFR7546PBF-HXY 编号：C22366670

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFR7546PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装方式为经济实用的TO-252-2L规格，专为高功率密度和散热优化设计。本器件核心特性优越，能够承受60V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达80A的连续漏极电流(ID)，尤其突出的是其导通电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，有助于显著减少能耗并提升工作效率。广泛运用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等多种领域，是实现系统高效节能的绝佳半导体元件。

1+
￥2.2161 ￥2.67
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￥1.743 ￥2.1
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￥1.5355 ￥1.85
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￥1.2865 ￥1.55
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￥1.1703 ￥1.41
1000+
￥1.1039 ￥1.33

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型号：STS7NF60L-VB 编号：C692970

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.2355 ￥2.63
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.8615 ￥2.19
100+
￥1.717 ￥2.02
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.4195 ￥1.67

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型号：TPH1R403NL-ES 编号：C19725091

封装：PDFN5x6-8L

N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.42
50+
￥1.86
150+
￥1.62
500+
￥1.32
2500+
￥1.19
5000+
￥1.11

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型号：FDS89161LZ-HXY 编号：C22366785

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS89161LZ 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，特别适用于高功率密度和高效能的电子设计。该器件拥有100V的最大工作电压VDSS，可承受高达8A的连续电流，同时具备出色的导通性能，导通电阻低至100mR（RD(on)），大大提升了系统能效。这款MOS管在电源转换、电机驱动及高压开关应用中表现出色，是工程师们追求卓越性能的理想选择。

1+
￥2.4236 ￥2.92
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￥1.8758 ￥2.26
30+
￥1.6434 ￥1.98
100+
￥1.3529 ￥1.63
500+
￥1.2201 ￥1.47
1000+
￥1.1454 ￥1.38

有货

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型号：ESN6512 编号：C5350975

封装：PDFN5x6-8L