美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESN6484 编号：C5224311

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，11A，91mΩ@10V,7.5A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.6812
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￥1.2553
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￥1.0728
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￥0.845

有货

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型号：FDS5670-NL-VB 编号：C5878792

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.0145 ￥2.37
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￥1.751 ￥2.06
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￥1.6405 ￥1.93
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￥1.496 ￥1.76
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￥1.4365 ￥1.69
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￥1.394 ￥1.64

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型号：VBA1203M 编号：C480924

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥2.193 ￥2.58
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￥1.9295 ￥2.27
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￥1.819 ￥2.14
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￥1.683 ￥1.98
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￥1.615 ￥1.9
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￥1.581 ￥1.86

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型号：SI4925BDY-T1-E3-HXY 编号：C22367190

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4925BDY-T1-E3 型号MOS管采用紧凑型SOP-8封装，内部集成高效2个P沟道沟道技术。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能稳定处理8.5A的连续漏极电流(ID)，适用于各类中高电流应用场合。其亮点在于仅20mR的导通电阻(RD(on))，有效提升能源利用率并降低功耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各类高效率开关电路设计，是工程师优化电路性能、实现节能目标的理想半导体组件。

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￥2.216 ￥2.77
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￥1.752 ￥2.19
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￥1.56 ￥1.95
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￥1.312 ￥1.64
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￥1.16 ￥1.45
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￥1.096 ￥1.37

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型号：ZXMS6004FFQTA 编号：C508259

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3驱动的通用开关

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￥2.2923
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￥1.8377
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￥1.6429
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￥1.3097
3000+
￥1.2014

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型号：TPH1R403NL-ES 编号：C19725091

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥2.42
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￥1.86
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￥1.62
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￥1.32
2500+
￥1.19
5000+
￥1.11

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型号：BSC0702LS-HXY 编号：C20606289

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。

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￥2.79 ￥3
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￥2.5296 ￥2.72
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￥2.4087 ￥2.59
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￥2.2785 ￥2.45
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￥1.9158 ￥2.06
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￥1.8786 ￥2.02

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型号：SI7463ADP-T1-GE3 编号：C469466

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：负载开关。电机驱动

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￥4.76
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￥4.29
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￥4.05
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￥3.629 ￥3.82
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￥3.0495 ￥3.21
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￥2.983 ￥3.14

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型号：RSF65T160D 编号：C51904721

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

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￥4.788 ￥5.04
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￥3.8855 ￥4.09
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￥3.4295 ￥3.61
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.584 ￥2.72

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型号：IRFS7530TRL7PP 编号：C445669

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

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￥8.98
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￥7.55
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￥6.76
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￥5.51
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￥5.11
800+
￥4.94

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型号：2N7002 编号：C5331134

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

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￥0.08517 ￥0.1002
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￥0.06681 ￥0.0786
3000+
￥0.05457 ￥0.0642
6000+
￥0.04845 ￥0.057
24000+
￥0.043095 ￥0.0507
51000+
￥0.04029 ￥0.0474

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型号：BSS123 编号：C39832210

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

50+
￥0.0856
500+
￥0.0667
3000+
￥0.0562
6000+
￥0.0499
24000+
￥0.0444
51000+
￥0.0415

有货

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型号：NDS7002A-ES 编号：C5224210

封装：SOT23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.38A，1.75Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.088
200+
￥0.0754
600+
￥0.0684
3000+
￥0.0642
9000+
￥0.0605
21000+
￥0.0585

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型号：2SK3018W 编号：C22469028

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。驱动电路易于设计。易于并联

20+
￥0.1296
200+
￥0.1014
600+
￥0.0858
3000+
￥0.0764
9000+
￥0.0682
21000+
￥0.0638

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型号：2N7002W-7-F-ES 编号：C5224240

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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50+
￥0.1411
500+
￥0.1074
3000+
￥0.0887
6000+
￥0.0774
24000+
￥0.0677
51000+
￥0.0624

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型号：2N7002W 编号：C5224238

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1411
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￥0.1074
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￥0.0624

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型号：2SK3541 编号：C22363751

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1476
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￥0.1152
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￥0.0972
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￥0.0864
8000+
￥0.0738
16000+
￥0.0688

有货

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型号：BSS138DW-7-F-ES 编号：C5224288

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1551
200+
￥0.1349
600+
￥0.1236
3000+
￥0.1077
9000+
￥0.1018
21000+
￥0.0987

有货

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型号：SSM3K15AMFV,L3F 编号：C516857

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@ VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@ VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

20+
￥0.1878
200+
￥0.1442
600+
￥0.12
2000+
￥0.1054
8000+
￥0.0928
16000+
￥0.0861

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型号：TPM2030-3/TR 编号：C558624

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(on) = 典型值200mΩ，VGS = 4.5V。 RDS(on) = 典型值250mΩ，VGS = 2.5V。获得无铅产品。表面贴装封装，N沟道开关，低RDS(on)。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

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20+
￥0.2688
200+
￥0.2149
600+
￥0.1849
2000+
￥0.167
8000+
￥0.1382
16000+
￥0.1298

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型号：FDY1002PZ 编号：C7472929

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
3000+
￥0.4116
6000+
￥0.3878

有货

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型号：BSS138W 编号：C890266

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.7872
50+
￥0.6159
150+
￥0.5303
500+
￥0.4661
3000+
￥0.4147
6000+
￥0.389

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型号：ESN7534 编号：C5140352

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥0.8522
10+
￥0.7576
30+
￥0.7171
100+
￥0.6665
500+
￥0.644
1000+
￥0.5359

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型号：AO4409-ES 编号：C21713852

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-14A，6.8mΩ@-10V,-12A，-1.7V@-250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.0336
50+
￥0.7718
150+
￥0.6595
500+
￥0.5195

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型号：IRLR8726TRLPBF-HXY 编号：C6285779

封装：TO252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V工作电压和高达100A的连续电流承载能力，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制解决方案。

5+
￥1.0402
50+
￥0.8134
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￥0.7162
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￥0.595
2500+
￥0.5365
5000+
￥0.504

有货

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型号：FDC5614P 编号：C5156057

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

数据手册

5+
￥1.296505 ￥1.5253
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￥1.018045 ￥1.1977
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￥0.898705 ￥1.0573
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￥0.749785 ￥0.8821
3000+
￥0.68629 ￥0.8074
6000+
￥0.646425 ￥0.7605

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型号：SSM6J214FE(TE85L,F 编号：C516172

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)；RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)；RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)

数据手册