美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：PCJ3139K 编号：C2912539

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：无铅产品。表面贴装封装。 P沟道开关，低Rₛₛₚₒₙ。低逻辑电平栅极驱动操作。栅极ESD保护。与PCJ3139K Dr TPM2030互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2561
100+
￥0.2035
300+
￥0.1772
1000+
￥0.1574
5000+
￥0.1242
8000+
￥0.1163

有货

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型号：RU1J002YNTCL 编号：C2842817

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低电压驱动（0.9V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3546
100+
￥0.2778
300+
￥0.2394
3000+
￥0.2106
6000+
￥0.1876
9000+
￥0.176

有货

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型号：2N7002VC 编号：C5310960

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型号。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

10+
￥0.4142
100+
￥0.3278
300+
￥0.2846
3000+
￥0.2354
6000+
￥0.2095
9000+
￥0.1965

有货

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型号：BSS83P 编号：C7472872

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
3000+
￥0.2553
6000+
￥0.2265
9000+
￥0.212

有货

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型号：EM6M2T2R 编号：C414246

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。小封装（VMT6）。低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关

数据手册

5+
￥0.6045
50+
￥0.4822
150+
￥0.421
500+
￥0.3751
2500+
￥0.2885
5000+
￥0.2701

有货

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型号：RDR005N25TL 编号：C2924216

封装：SC-96

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。驱动电路简单。易于并联使用。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关电源。汽车电机驱动

数据手册

5+
￥1.1201
50+
￥0.8782
150+
￥0.7745
500+
￥0.6452
3000+
￥0.5434
6000+
￥0.5088

有货

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型号：NVD5C688NLT4G(UMW) 编号：C20754805

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 60V。 ID = 17A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。低RDS(ON)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗

5+
￥1.2164
50+
￥0.9535
150+
￥0.8408
500+
￥0.7002
2500+
￥0.6376
5000+
￥0.6

有货

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.4317
50+
￥1.1113
150+
￥0.9739
500+
￥0.8026
3000+
￥0.7263
6000+
￥0.6805

有货

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型号：DMN6068SE-13 编号：C209902

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。

数据手册

5+
￥1.6412
50+
￥1.3081
150+
￥1.1653
500+
￥0.9872
2500+
￥0.9079
4000+
￥0.8603

有货

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型号：DMHC3025LSD-13 编号：C156387

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

5+
￥2.0445
50+
￥1.6614
150+
￥1.4973
500+
￥1.0884
2500+
￥0.9972

有货

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型号：IRF7103PBF-HXY 编号：C22366502

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号IRF7103PbF 的MOS管，封装精巧SOP-8，专为高效能电路设计。该器件采用领先的N+N沟道技术，可在60V的最大漏源电压下稳定工作，提供强大的6.5A连续电流。其卓越特性在于仅32mR的超低导通电阻，显著提升能源效率，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、高频率开关等领域，是工程师打造高性能、节能方案的理想选择。

1+
￥2.5398 ￥3.06
10+
￥1.992 ￥2.4
30+
￥1.7596 ￥2.12
100+
￥1.4691 ￥1.77
500+
￥1.3363 ￥1.61
1000+
￥1.2616 ￥1.52

有货

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型号：BSC070N10NS3G-ES 编号：C39832216

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥3.28
10+
￥2.62
30+
￥2.34
100+
￥1.99
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：FQD50N06-VB 编号：C725048

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥3.8475 ￥4.05
10+
￥3.1255 ￥3.29
30+
￥2.755 ￥2.9
100+
￥2.4035 ￥2.53
500+
￥2.0235 ￥2.13
1000+
￥1.919 ￥2.02

有货

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型号：NSH045N100S 编号：C7427701

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

1+
￥4.06
10+
￥3.13
30+
￥2.72
100+
￥2.22
500+
￥2
1000+
￥1.86

有货

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型号：AOD66923 编号：C485687

封装：TO-252

品牌：AOS

Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积（FOM）。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥4.19
10+
￥3.45
30+
￥3.09
100+
￥2.72
500+
￥2.4
1000+
￥2.28

有货

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型号：PGT08N012H 编号：C48783015

封装：TOLL-8

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

1+
￥8.9395 ￥9.41
10+
￥7.5145 ￥7.91
30+
￥6.726 ￥7.08
100+
￥5.8425 ￥6.15
500+
￥5.4435 ￥5.73
1500+
￥5.263 ￥5.54

有货

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型号：PSMN1R4-40YLDX 编号：C458253

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

采用先进的TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的240A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。

数据手册

1+
￥12.97
10+
￥11.55
30+
￥10.78
100+
￥9.9
500+
￥9.51
1500+
￥9.34

有货

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型号：2N7002K 编号：C784615

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：ESD保护。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。关断状态下漏电流极低。符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计

数据手册

50+
￥0.072 ￥0.08
500+
￥0.05643 ￥0.0627
3000+
￥0.04617 ￥0.0513
6000+
￥0.04104 ￥0.0456
24000+
￥0.03654 ￥0.0406
51000+
￥0.03411 ￥0.0379

有货

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型号：2N7002W-7-F-ES 编号：C5224240

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.1411
500+
￥0.1074
3000+
￥0.0887
6000+
￥0.0774
24000+
￥0.0677
51000+
￥0.0624

有货

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型号：MMBF170 编号：C19829421

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

20+
￥0.1419
200+
￥0.1122
600+
￥0.0957
3000+
￥0.0858
9000+
￥0.0772
21000+
￥0.0726

有货

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型号：ESJ2301 编号：C5224170

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

20+
￥0.1591
200+
￥0.1271
600+
￥0.1094
3000+
￥0.0987
9000+
￥0.0895
21000+
￥0.0845

有货

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型号：WNM2030-3/TR-ES 编号：C22363752

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1814
200+
￥0.1409
600+
￥0.1184
2000+
￥0.1049
8000+
￥0.0932
16000+
￥0.0869

有货

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型号：2SK3019 编号：C504050

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联。应用：接口。开关

数据手册

20+
￥0.1851
200+
￥0.1505
600+
￥0.1313
3000+
￥0.1006
9000+
￥0.0906

有货

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型号：AO3415 编号：C5350989

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.2645
200+
￥0.2013
600+
￥0.1662
3000+
￥0.1451
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.117

有货

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型号：AO3415E 编号：C2997267

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

负载开关、开关电路、高速线路驱动器、HMB静电放电保护（2KV）、适用于表面贴装封装的SOT - 23。

数据手册

10+
￥0.2849
100+
￥0.2569
300+
￥0.2429
3000+
￥0.1946
6000+
￥0.1862
9000+
￥0.182

有货

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型号：PGN04N060 编号：C42457643

封装：PDFN5X6-8L

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。电机驱动器

5+
￥1.22075 ￥1.285
50+
￥0.967005 ￥1.0179
150+
￥0.85823 ￥0.9034
500+
￥0.72257 ￥0.7606
2500+
￥0.66215 ￥0.697
5000+
￥0.62586 ￥0.6588

有货

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型号：ESN7409 编号：C5140349

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-12A,-1.4V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.2932
10+
￥0.9656
30+
￥0.8252
100+
￥0.65

有货

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型号：SSM3J351R,LF 编号：C150147

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）(VGS = -10V)；RDS(ON) = 122mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)；RDS(ON) = 129mΩ（典型值）(VGS = -4.0V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.4265
50+
￥1.137
150+
￥1.0129
500+
￥0.8581
3000+
￥0.7891

有货

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型号：SI9430DY-T1-E3-VB 编号：C5878848

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥1.430975 ￥1.6835
50+
￥1.259615 ￥1.4819
150+
￥1.186175 ￥1.3955
500+
￥1.094545 ￥1.2877
2500+
￥1.053745 ￥1.2397
4000+
￥1.029265 ￥1.2109

有货

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型号：FDS9435A 编号：C87670

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥2.189
50+
￥1.7557
150+
￥1.57
500+
￥1.0765
2500+
￥0.9733
5000+
￥0.9114

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