美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SUP70101EL-GE3 编号：C5932059

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻封装，符合RoHS标准。最高175℃结温，无卤。低RDS(on)，可最大限度降低传导损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIS测试。应用：电池保护。电机驱动控制

1+
￥22.16
10+
￥19.07
50+
￥17.24
100+
￥14.6205 ￥15.39
500+
￥13.8035 ￥14.53
1000+
￥13.4425 ￥14.15

有货

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型号：SUM70101EL-GE3 编号：C5156028

封装：TO-263

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。最高结温175℃。低RDS(on)，可最大程度降低传导功率损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。应用：电池保护。电机驱动控制

数据手册

1+
￥25.37
10+
￥22.08
30+
￥18.36
100+
￥15.5705 ￥16.39
500+
￥14.706 ￥15.48
800+
￥14.3165 ￥15.07

有货

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型号：2N7002VC 编号：C5310960

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型号。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

10+
￥0.431
100+
￥0.3446
300+
￥0.3014
3000+
￥0.2523
6000+
￥0.2264
9000+
￥0.2134

有货

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型号：JSM4407 编号：C917090

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

数据手册

5+
￥0.75672 ￥0.9459
50+
￥0.5888 ￥0.736
150+
￥0.51688 ￥0.6461
500+
￥0.42712 ￥0.5339
3000+
￥0.41376 ￥0.5172
6000+
￥0.38976 ￥0.4872

有货

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型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.128
50+
￥0.8757
150+
￥0.7675
500+
￥0.6326
3000+
￥0.5725
6000+
￥0.5365

有货

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型号：IRFR1205TR-JSM 编号：C18190116

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

5+
￥1.57528 ￥1.9691
50+
￥1.23256 ￥1.5407
150+
￥1.08568 ￥1.3571
500+
￥0.9024 ￥1.128
2500+
￥0.84464 ￥1.0558
5000+
￥0.7956 ￥0.9945

有货

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型号：IPG20N06S4L-26-HXY 编号：C20606274

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。

1+
￥1.9635 ￥2.31
10+
￥1.7255 ￥2.03
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.5045 ￥1.77
500+
￥1.377 ￥1.62
1000+
￥1.3515 ￥1.59

有货

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型号：SI2319DDS-T1-GE3 编号：C3290067

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：电池开关。电机驱动控制

5+
￥2.2214
50+
￥1.7599
150+
￥1.5622
500+
￥1.24963 ￥1.3154
3000+
￥1.145225 ￥1.2055
6000+
￥1.08262 ￥1.1396

有货

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型号：SI4946BEY-T1-E3-VB 编号：C5878845

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：IRF7103PBF-HXY 编号：C22366502

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号IRF7103PbF 的MOS管，封装精巧SOP-8，专为高效能电路设计。该器件采用领先的N+N沟道技术，可在60V的最大漏源电压下稳定工作，提供强大的6.5A连续电流。其卓越特性在于仅32mR的超低导通电阻，显著提升能源效率，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、高频率开关等领域，是工程师打造高性能、节能方案的理想选择。

1+
￥2.5398 ￥3.06
10+
￥1.992 ￥2.4
30+
￥1.7596 ￥2.12
100+
￥1.4691 ￥1.77
500+
￥1.3363 ￥1.61
1000+
￥1.2616 ￥1.52

有货

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型号：YFWG120N085AD 编号：C42429549

封装：TO-252

品牌：YFW(佑风微)

特性：YFW-SGT技术。超低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。 100%进行UIS测试和Rg测试。无铅镀铅。无卤且符合RoHS标准。应用：电动工具、电动车、机器人中的电机驱动。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流开关

1+
￥2.565 ￥2.7
10+
￥1.995 ￥2.1
30+
￥1.748 ￥1.84
100+
￥1.444 ￥1.52
500+
￥1.4155 ￥1.49
1000+
￥1.33 ￥1.4

有货

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型号：NSH045N100S 编号：C7427701

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

1+
￥4.06
10+
￥3.13
30+
￥2.72
100+
￥2.22
500+
￥2
1000+
￥1.86

有货

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型号：SIR662DP-T1-GE3-JSM 编号：C7462820

封装：DFN5060-8L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

1+
￥4.91
10+
￥4.8
30+
￥4.72
100+
￥4.64

有货

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型号：IRL540NSPBF-VB 编号：C5438948

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥5.529 ￥5.82
10+
￥4.4365 ￥4.67
30+
￥3.895 ￥4.1
100+
￥3.3535 ￥3.53
500+
￥3.0305 ￥3.19
1000+
￥2.869 ￥3.02

有货

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型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.78
10+
￥4.83
50+
￥3.49
100+
￥3.02
500+
￥2.74
1000+
￥2.6

有货

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型号：MOT4572T 编号：C41367159

封装：TOLL-8

品牌：MOT(仁懋)

特性：使用MOT先进的双沟槽技术。低导通电阻（RDS(on) 50.8mΩ）。低栅极电荷。低反向传输电容。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。电机控制和驱动

1+
￥5.92
10+
￥4.72
30+
￥4.13
100+
￥3.53
500+
￥3.34
1000+
￥3.16

有货

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型号：MOT6111T 编号：C39832747

封装：TOLL-8

品牌：MOT(仁懋)

特性：使用MOT先进的双沟槽技术。低导通电阻（RDS(on)≤1.2mΩ）。低栅极电荷。低反向传输电容。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。电机控制和驱动

1+
￥6.53
10+
￥5.42
30+
￥4.8
100+
￥4.11
500+
￥3.8
1000+
￥3.66

有货

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型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986

封装：VDFN5045-12

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

1+
￥10.56
10+
￥8.85
30+
￥7.91
100+
￥6.85
500+
￥6.38
1000+
￥6.17

有货

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型号：MOT1115T 编号：C42375297

封装：TOLL-8

品牌：MOT(仁懋)

特性：使用MOT先进的双沟槽技术。低导通电阻 (RDS(on) ≤ 1.4mΩ)。低栅极电荷。低反向传输电容。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。电机控制和驱动

1+
￥11.75
10+
￥9.94
30+
￥8.81
100+
￥7.65
500+
￥7.13
1000+
￥6.9

有货

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型号：2SK3018 编号：C181084

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。极快的开关速度。低电压驱动，非常适合便携式设备。采用超小型表面贴装封装

数据手册

50+
￥0.09633 ￥0.1014
500+
￥0.074765 ￥0.0787
3000+
￥0.05909 ￥0.0622
6000+
￥0.051965 ￥0.0547
24000+
￥0.045695 ￥0.0481
51000+
￥0.04237 ￥0.0446

有货

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型号：ESJ2301 编号：C5224170

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

20+
￥0.1591
200+
￥0.1271
600+
￥0.1094
3000+
￥0.0987
9000+
￥0.0895
21000+
￥0.0845

有货

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型号：2N7002KM 编号：C5174641

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-723封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

20+
￥0.160645 ￥0.1691
200+
￥0.127205 ￥0.1339
600+
￥0.108585 ￥0.1143
2000+
￥0.097375 ￥0.1025
8000+
￥0.08056 ￥0.0848
16000+
￥0.075335 ￥0.0793

有货

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型号：BSS138W 编号：C504052

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。坚固可靠。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

数据手册

20+
￥0.2447
200+
￥0.1965
600+
￥0.1697
3000+
￥0.1492
9000+
￥0.1352

有货

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型号：SSM3J35CT,L3F 编号：C396019

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。模拟开关应用。 1.2V 驱动低导通电阻：Rₒₙ = 44Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.2V）。Rₒₙ = 22Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.5V）。Rₒₙ = 11Ω（最大值）（V₍GS₎ = -2.5V）。Rₒₙ = 8Ω（最大值）（V₍GS₎ = -4.0V）

数据手册

5+
￥0.413244 ￥0.7947
50+
￥0.294336 ￥0.7008
150+
￥0.211392 ￥0.6606
500+
￥0.195328 ￥0.6104
2500+
￥0.188192 ￥0.5881
5000+
￥0.183904 ￥0.5747

有货

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4245
100+
￥0.3398
300+
￥0.2975
3000+
￥0.2657
6000+
￥0.2403
9000+
￥0.2276

有货

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型号：RUM002N05T2L 编号：C510347

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（EMT3）。超低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.4548
100+
￥0.3613
300+
￥0.3146
1000+
￥0.2796
5000+
￥0.2515
8000+
￥0.2375

有货

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型号：ESN7414 编号：C5224308

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，23A，10.0mΩ@10V,10.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥0.741
10+
￥0.5538
30+
￥0.4602
100+
￥0.39

有货

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型号：ESN7409 编号：C5140349

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-12A,-1.4V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.2932
10+
￥0.9656
30+
￥0.8252
100+
￥0.65

有货

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型号：FDS89161LZ-HXY 编号：C22366785

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS89161LZ 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，特别适用于高功率密度和高效能的电子设计。该器件拥有100V的最大工作电压VDSS，可承受高达8A的连续电流，同时具备出色的导通性能，导通电阻低至100mR（RD(on)），大大提升了系统能效。这款MOS管在电源转换、电机驱动及高压开关应用中表现出色，是工程师们追求卓越性能的理想选择。

1+
￥1.3363 ￥1.61
10+
￥1.3114 ￥1.58
30+
￥1.2865 ￥1.55
100+
￥1.2699 ￥1.53

有货

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

5+
￥1.483
50+
￥1.1554
150+
￥1.015
500+
￥0.8399
3000+
￥0.7619
6000+
￥0.715

有货

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