美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：WNM2016-3/TR-VB 编号：C6705334

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.39349 ￥0.4142
100+
￥0.31141 ￥0.3278
300+
￥0.27037 ￥0.2846
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.223535 ￥0.2353
9000+
￥0.211185 ￥0.2223

有货

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型号：AO4407A 编号：C5155211

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

数据手册

5+
￥0.826795 ￥0.9727
50+
￥0.663595 ￥0.7807
150+
￥0.581995 ￥0.6847
500+
￥0.520795 ￥0.6127
3000+
￥0.42228 ￥0.4968
6000+
￥0.3978 ￥0.468

有货

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型号：AO4800 编号：C5456627

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

5+
￥0.99952 ￥1.2494
50+
￥0.77776 ￥0.9722
150+
￥0.68272 ￥0.8534
500+
￥0.56416 ￥0.7052
3000+
￥0.54656 ￥0.6832
6000+
￥0.5148 ￥0.6435

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

有货

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型号：ESN21307 编号：C5224307

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.4726
10+
￥1.1324
30+
￥0.9866
100+
￥0.8047
500+
￥0.7237
1000+
￥0.675

有货

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型号：AON6508-HXY 编号：C22366646

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。

1+
￥1.824 ￥1.92
10+
￥1.596 ￥1.68
30+
￥1.501 ￥1.58
100+
￥1.3775 ￥1.45
500+
￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.2825 ￥1.35

有货

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型号：NSS085N100S 编号：C7427705

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

5+
￥2.3898
50+
￥1.8903
150+
￥1.6763
500+
￥1.4092
2500+
￥1.2903
5000+
￥1.2189

有货

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型号：IRLR7843TRPBF 编号：C19268133

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，RDS(ON) = 1.6mΩ（VGS = 10V，IDS = 30A 时）。 RDS(ON) = 2.1mΩ（VGS = 4.5V，IDS = 25A 时）。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件

1+
￥2.4396 ￥3.21
10+
￥2.166 ￥2.85
30+
￥2.0292 ￥2.67
100+
￥1.8924 ￥2.49
500+
￥1.8088 ￥2.38
1000+
￥1.7632 ￥2.32

有货

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型号：IPG20N06S4L-26-HXY 编号：C20606274

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。

1+
￥2.856 ￥3.36
10+
￥2.3035 ￥2.71
30+
￥2.0655 ￥2.43
100+
￥1.768 ￥2.08
500+
￥1.564 ￥1.84
1000+
￥1.4875 ￥1.75

有货

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型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.66
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

有货

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型号：T2N7002AK-ES 编号：C5224226

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0655
200+
￥0.0525
600+
￥0.0453
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0373
21000+
￥0.0352

有货

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型号：BSS138K 编号：C5224263

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0724
100+
￥0.0594
300+
￥0.0522
3000+
￥0.0475
6000+
￥0.0438
9000+
￥0.0417

有货

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型号：AO3407 编号：C6562206

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。开关应用

20+
￥0.2056
200+
￥0.1627
600+
￥0.1389
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1072
21000+
￥0.1006

有货

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型号：RZM001P02T2L 编号：C308762

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

数据手册

20+
￥0.2669
200+
￥0.2048
600+
￥0.1703
2000+
￥0.1496
8000+
￥0.1316
16000+
￥0.122

有货

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型号：SSM3K318R,LF 编号：C146333

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)；RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用：负载开关。超高速开关

数据手册

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
3000+
￥0.3397
6000+
￥0.318

有货

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型号：SI1012CR-T1-GE3 编号：C388850

封装：SC-75A

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，12V额定。 100% Rg测试。栅源ESD保护：1000V。 RoHS合规，无卤。应用：便携式设备的负载/电源开关。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器

数据手册

5+
￥0.8231
50+
￥0.6656
150+
￥0.5868
500+
￥0.5277
3000+
￥0.4805
6000+
￥0.4569

有货

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型号：JSM4407 编号：C917090

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

数据手册

5+
￥0.84584 ￥1.0573
50+
￥0.678 ￥0.8475
150+
￥0.606 ￥0.7575
500+
￥0.51624 ￥0.6453
3000+
￥0.47624 ￥0.5953
6000+
￥0.45224 ￥0.5653

有货

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型号：AON7380-MS 编号：C51908786

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458
2500+
￥0.5918
5000+
￥0.5594

有货

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型号：IRFR1205TR-JSM 编号：C18190116

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

5+
￥1.57184 ￥1.9648
50+
￥1.22912 ￥1.5364
150+
￥1.08224 ￥1.3528
500+
￥0.89904 ￥1.1238
2500+
￥0.8412 ￥1.0515
5000+
￥0.79224 ￥0.9903

有货

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型号：SI4946BEY-T1-E3-VB 编号：C5878845

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

1+
￥2.3994 ￥2.58
10+
￥1.9437 ￥2.09
50+
￥1.7019 ￥1.83
100+
￥1.4601 ￥1.57
500+
￥1.3485 ￥1.45
1000+
￥1.2834 ￥1.38

有货

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型号：SI4554DY-T1-GE3 编号：C727596

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动

数据手册

1+
￥5.4
10+
￥4.32
30+
￥3.78
100+
￥3.24
500+
￥2.92
1000+
￥2.75

有货

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型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.66
10+
￥4.7
50+
￥3.37
100+
￥2.9
500+
￥2.61
1000+
￥2.47

有货

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型号：IRFS4229TRLPBF-JSM 编号：C19193726

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

1+
￥8.0465 ￥8.47
10+
￥6.6785 ￥7.03
30+
￥5.928 ￥6.24
100+
￥5.073 ￥5.34
500+
￥4.237 ￥4.46
800+
￥4.066 ￥4.28

有货

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型号：SI2301DS-ES 编号：C5224173

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

10+
￥0.0687
100+
￥0.0615
300+
￥0.0574
3000+
￥0.055
6000+
￥0.0529
9000+
￥0.0518

有货

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型号：2N7002 编号：C5224215

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0697
500+
￥0.0567
3000+
￥0.0481
6000+
￥0.0438
24000+
￥0.0401
51000+
￥0.0381

有货

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型号：SI2302 编号：C5224179

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

50+
￥0.0898
500+
￥0.0746
3000+
￥0.061
6000+
￥0.056
24000+
￥0.0516
51000+
￥0.0493

有货

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型号：2SK3018 编号：C2944164

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

数据手册

50+
￥0.0995
500+
￥0.0789
3000+
￥0.0659
6000+
￥0.0591
24000+
￥0.0531
51000+
￥0.0499

有货

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型号：RK7002BM 编号：C16197299

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

50+
￥0.1216
500+
￥0.0946
3000+
￥0.0796
6000+
￥0.0706
24000+
￥0.0628
51000+
￥0.0585

有货

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型号：TPM2008P3 编号：C708974

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低漏源导通电阻。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1833
200+
￥0.1428
600+
￥0.1203
2000+
￥0.1068
10000+
￥0.0951
20000+
￥0.0888

有货

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