美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS123 编号：C431506

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。开关

数据手册

20+
￥0.1754
200+
￥0.1351
600+
￥0.1127
3000+
￥0.0924
9000+
￥0.0807
21000+
￥0.0745

有货

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型号：AO3407 编号：C6562206

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。开关应用

20+
￥0.1841
200+
￥0.1462
600+
￥0.1252
3000+
￥0.1082
9000+
￥0.0972
21000+
￥0.0913

有货

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型号：AO3415E 编号：C2997267

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

负载开关、开关电路、高速线路驱动器、HMB静电放电保护（2KV）、适用于表面贴装封装的SOT - 23。

数据手册

10+
￥0.2709
100+
￥0.2429
300+
￥0.2289
3000+
￥0.1806
6000+
￥0.1722
9000+
￥0.168

有货

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型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

数据手册

10+
￥0.283
100+
￥0.2254
300+
￥0.1966
3000+
￥0.1556
6000+
￥0.1383
9000+
￥0.1296

有货

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型号：15N10 编号：C5451633

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。

5+
￥0.4439 ￥0.4825
50+
￥0.400016 ￥0.4348
150+
￥0.37812 ￥0.411
500+
￥0.361652 ￥0.3931
2500+
￥0.314364 ￥0.3417
5000+
￥0.307832 ￥0.3346

有货

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型号：FDY3000NZ 编号：C2959848

封装：SOT-563-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型号。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.7723
50+
￥0.6129
150+
￥0.5333
500+
￥0.4735
2500+
￥0.3758
4000+
￥0.3519

有货

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型号：AO4407A 编号：C5155211

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

数据手册

5+
￥0.826795 ￥0.9727
50+
￥0.663595 ￥0.7807
150+
￥0.581995 ￥0.6847
500+
￥0.520795 ￥0.6127
3000+
￥0.42228 ￥0.4968
6000+
￥0.3978 ￥0.468

有货

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型号：ESN7403 编号：C5140350

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.1932
10+
￥0.9176
30+
￥0.7994
100+
￥0.652
500+
￥0.5864
1000+
￥0.547

有货

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3407
50+
￥1.1725
150+
￥1.1005
500+
￥0.9448
2500+
￥0.9048
5000+
￥0.8808

有货

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型号：AON6312-ES 编号：C19725102

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，123A，1.7mΩ@10V,20.0A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.31
30+
￥2.04
100+
￥1.71
500+
￥1.56
800+
￥1.47

有货

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型号：IRFS4229TRLPBF-JSM 编号：C19193726

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

1+
￥8.4265 ￥8.87
10+
￥7.0585 ￥7.43
30+
￥6.308 ￥6.64
100+
￥5.453 ￥5.74
500+
￥4.617 ￥4.86
800+
￥4.446 ￥4.68

有货

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型号：PGT08N012H 编号：C48783015

封装：TOLL-8

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

1+
￥8.5405 ￥8.99
10+
￥7.1155 ￥7.49
30+
￥6.327 ￥6.66
100+
￥5.4435 ￥5.73
500+
￥5.054 ￥5.32
1500+
￥4.8735 ￥5.13

有货

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型号：T2N7002AK-ES 编号：C5224226

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0655
200+
￥0.0525
600+
￥0.0453
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0373
21000+
￥0.0352

有货

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型号：2N7002 编号：C5224215

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0697
500+
￥0.0567
3000+
￥0.0481
6000+
￥0.0438
24000+
￥0.0401
51000+
￥0.0381

有货

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型号：2SK3018 编号：C181084

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。极快的开关速度。低电压驱动，非常适合便携式设备。采用超小型表面贴装封装

数据手册

50+
￥0.09633 ￥0.1014
500+
￥0.074765 ￥0.0787
3000+
￥0.05909 ￥0.0622
6000+
￥0.051965 ￥0.0547
24000+
￥0.045695 ￥0.0481
51000+
￥0.04237 ￥0.0446

有货

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型号：TPM2008P3 编号：C708974

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低漏源导通电阻。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1281
200+
￥0.1113
600+
￥0.1019
2000+
￥0.0963
10000+
￥0.0914
20000+
￥0.0888

有货

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型号：CJBA3134K 编号：C504098

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。低逻辑电平栅极驱动操作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1761
200+
￥0.1412
600+
￥0.1218
2000+
￥0.1102
10000+
￥0.1001

有货

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型号：2SK3541 编号：C504051

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：接口。开关

数据手册

20+
￥0.1928
200+
￥0.1523
600+
￥0.1298
2000+
￥0.1163
8000+
￥0.1046
16000+
￥0.0983

有货

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型号：TPDMN26D0UFB4 编号：C970037

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道低导通电阻开关。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2187
200+
￥0.1755
600+
￥0.1515
2000+
￥0.1371
10000+
￥0.1108
20000+
￥0.104

有货

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型号：AO3415 编号：C5350989

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.2645
200+
￥0.2013
600+
￥0.1662
3000+
￥0.1451
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.117

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.3481
100+
￥0.2713
300+
￥0.2329
3000+
￥0.2041
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1696

有货

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C2940619

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.5571
50+
￥0.4911
150+
￥0.4581
500+
￥0.4334
2500+
￥0.3598
4000+
￥0.3499

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

有货

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型号：ESN4486 编号：C5224310

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，10A，82mΩ@10V,4.0A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.2256
50+
￥0.9151
150+
￥0.7821
500+
￥0.616

有货

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型号：IRFR7546TR(UMW) 编号：C5159790

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 71A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 7.9mΩ(VGS = 5V)。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

5+
￥1.2617
50+
￥1.106
150+
￥1.0393
500+
￥0.9116
2500+
￥0.8746
5000+
￥0.8524

有货

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型号：IPG20N06S4L-26-HXY 编号：C20606274

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。

1+
￥1.9635 ￥2.31
10+
￥1.7255 ￥2.03
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.5045 ￥1.77
500+
￥1.377 ￥1.62
1000+
￥1.3515 ￥1.59

有货

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型号：HKTG150N03 编号：C5364298

封装：PDFN5x6

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联

5+
￥2.04079 ￥2.1482
50+
￥1.61652 ￥1.7016
150+
￥1.43469 ￥1.5102
500+
￥1.207925 ￥1.2715
2500+
￥1.106845 ￥1.1651
5000+
￥1.046235 ￥1.1013

有货

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型号：NSS085N100S 编号：C7427705

封装：TO-252

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

5+
￥2.3898
50+
￥1.8903
150+
￥1.6763
500+
￥1.4092
2500+
￥1.2903
5000+
￥1.2189

有货

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型号：AON6508-HXY 编号：C22366646

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。

1+
￥2.565 ￥2.7
10+
￥2.014 ￥2.12
30+
￥1.786 ￥1.88
100+
￥1.4915 ￥1.57
500+
￥1.3585 ￥1.43
1000+
￥1.273 ￥1.34

有货

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