美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK3019 编号：C5439971

封装：SOT-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，使该器件适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

20+
￥0.1504
200+
￥0.1191
600+
￥0.1017
3000+
￥0.0936
9000+
￥0.0845
21000+
￥0.0796

有货

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型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1265
50+
￥0.8745
150+
￥0.7665
500+
￥0.6318
3000+
￥0.5718
6000+
￥0.5358

有货

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型号：AONR21357-ES 编号：C22379638

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-50A，5.8mΩ@-10.0V,-20A，-2.5V@-250μA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.2762
50+
￥0.9814
150+
￥0.855
500+
￥0.6974
2500+
￥0.6272
5000+
￥0.585

有货

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型号：CRSS052N08N 编号：C410924

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.1738
50+
￥1.7206
150+
￥1.5264
1000+
￥1.338
2000+
￥1.2301
5000+
￥1.1653

有货

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型号：2SK3018 编号：C475593

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单

数据手册

20+
￥0.1368 ￥0.144
200+
￥0.10773 ￥0.1134
600+
￥0.091675 ￥0.0965
3000+
￥0.076475 ￥0.0805
9000+
￥0.06802 ￥0.0716
21000+
￥0.063555 ￥0.0669

有货

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型号：BSS138W-7-F-ES 编号：C5224279

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.1385
100+
￥0.1061
300+
￥0.0881
3000+
￥0.0857
6000+
￥0.0763
9000+
￥0.0713

有货

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型号：2N7002KW 编号：C5224237

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1526
200+
￥0.1162
600+
￥0.0959
3000+
￥0.0838
9000+
￥0.0732
21000+
￥0.0675

有货

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型号：TPDMN26D0UFB4 编号：C970037

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道低导通电阻开关。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2227
200+
￥0.1795
600+
￥0.1555
2000+
￥0.1411
10000+
￥0.1148
20000+
￥0.108

有货

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型号：RUM002N02T2L 编号：C250130

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：小封装 (SOT723)。超低电压驱动 (1.2V驱动)。无铅镀铅，符合RoHS标准。无卤。应用：开关

数据手册

20+
￥0.2275
200+
￥0.1816
600+
￥0.1561
2000+
￥0.1408
8000+
￥0.1109
16000+
￥0.1037

有货

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型号：ESN4832 编号：C5224304

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.988
50+
￥0.7384
150+
￥0.6136
500+
￥0.52

有货

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型号：HXY4884S 编号：C5148649

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，额定电压40V，可承载高达12A的连续电流。专为高效电源转换、电机驱动等应用打造，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是优化系统能效、提升设备运行表现的理想半导体器件选择。

数据手册

5+
￥1.21467 ￥1.2786
50+
￥0.99484 ￥1.0472
150+
￥0.900695 ￥0.9481
500+
￥0.78318 ￥0.8244
3000+
￥0.663575 ￥0.6985
6000+
￥0.632225 ￥0.6655

有货

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型号：ESN4485 编号：C5224302

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：BSS138P 编号：C5224269

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0642
100+
￥0.0541
300+
￥0.0485
3000+
￥0.0397
6000+
￥0.0368
9000+
￥0.0352

有货

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型号：2N7002NXAKR 编号：C19268174

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

20+
￥0.12445 ￥0.131
200+
￥0.096235 ￥0.1013
600+
￥0.08056 ￥0.0848
3000+
￥0.071155 ￥0.0749
9000+
￥0.062985 ￥0.0663
21000+
￥0.05852 ￥0.0616

有货

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型号：CJBA3139K 编号：C504099

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2254
200+
￥0.1806
600+
￥0.1557
2000+
￥0.1407
10000+
￥0.1278
20000+
￥0.1208

有货

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型号：RHU002N06T106 编号：C253521

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。高静电放电能力。高速开关。低电压驱动 (4V)。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3552
100+
￥0.2793
300+
￥0.2414
3000+
￥0.213
6000+
￥0.1902
9000+
￥0.1788

有货

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型号：SM409T9RL-HXY 编号：C48972137

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

P沟道场效应管（MOSFET），漏源电压（VDSS）为60V，持续漏极电流（ID）可达30A，适用于多种电源管理场景。导通电阻（RDON）仅为29mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件基于P沟道设计，常用于直流电机驱动、电池充放电控制及开关电源电路中。凭借其高可靠性与优异的热稳定性，可广泛适配于通信设备、智能家居装置以及便携式电子产品的电源系统。

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.052 ￥2.16
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.406 ￥1.48
1000+
￥1.33 ￥1.4

有货

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型号：BSS138BK 编号：C5224267

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0584
100+
￥0.0484
300+
￥0.0428
3000+
￥0.0413
6000+
￥0.0384
9000+
￥0.0368

有货

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型号：2N7002 编号：C5331134

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

50+
￥0.09975 ￥0.105
500+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.06555 ￥0.069
6000+
￥0.05871 ￥0.0618
24000+
￥0.052725 ￥0.0555
51000+
￥0.049495 ￥0.0521

有货

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型号：DMG2302UK-7-ES 编号：C5224188

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

数据手册

10+
￥0.1207
100+
￥0.0909
300+
￥0.0743
3000+
￥0.0644
6000+
￥0.0557
9000+
￥0.0511

有货

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型号：2SK3541 编号：C504051

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：接口。开关

数据手册

20+
￥0.1864
200+
￥0.1459
600+
￥0.1234
2000+
￥0.1099
8000+
￥0.0982
16000+
￥0.0919

有货

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型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2395
300+
￥0.2064
3000+
￥0.1816
6000+
￥0.1617
9000+
￥0.1518

有货

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型号：FDY3000NZ 编号：C2959848

封装：SOT-563-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型号。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

5+
￥0.8423
50+
￥0.6835
150+
￥0.6042
500+
￥0.5446
2500+
￥0.4473
4000+
￥0.4235

有货

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型号：ESN7403 编号：C5140350

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

1+
￥1.1932
10+
￥0.9176
30+
￥0.7994
100+
￥0.652
500+
￥0.5864
1000+
￥0.547

有货

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3086
50+
￥1.1405
150+
￥1.0685
500+
￥0.9128
2500+
￥0.8727
5000+
￥0.8487

有货

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型号：RS4N90D 编号：C7465277

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超高压MOS，伺服驱动，工控辅助电源，工业电表

5+
￥1.81811 ￥1.9138
50+
￥1.41113 ￥1.4854
150+
￥1.23671 ￥1.3018
500+
￥1.01916 ￥1.0728
2500+
￥0.92226 ￥0.9708
5000+
￥0.864025 ￥0.9095

有货

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型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.72
1500+
￥1.62

有货

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型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

1+
￥5.42
10+
￥4.34
30+
￥3.8
100+
￥3.26
500+
￥2.94
1500+
￥2.78

有货

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型号：BSS123 编号：C431506

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。开关

数据手册

20+
￥0.179
200+
￥0.1389
600+
￥0.1167
3000+
￥0.0964
9000+
￥0.0849
21000+
￥0.0786

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.2584
100+
￥0.2254
300+
￥0.2089
3000+
￥0.1965
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1816

有货

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