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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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P沟道,-20V,-2A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
数据手册
  • 10+

    ¥0.0972
  • 100+

    ¥0.0798
  • 300+

    ¥0.0702
  • 3000+

    ¥0.0644
  • 6000+

    ¥0.0593
  • 9000+

    ¥0.0566
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级:HBM 2000V。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
    • 20+

      ¥0.12445 ¥0.131
    • 200+

      ¥0.096235 ¥0.1013
    • 600+

      ¥0.08056 ¥0.0848
    • 3000+

      ¥0.071155 ¥0.0749
    • 9000+

      ¥0.062985 ¥0.0663
    • 21000+

      ¥0.05852 ¥0.0616
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1526
    • 200+

      ¥0.1162
    • 600+

      ¥0.0959
    • 3000+

      ¥0.0838
    • 9000+

      ¥0.0732
    • 21000+

      ¥0.0675
  • 有货
  • 特性:高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:笔记本电脑电源管理。 开关应用
    • 20+

      ¥0.1694
    • 200+

      ¥0.1332
    • 600+

      ¥0.1131
    • 3000+

      ¥0.096
    • 9000+

      ¥0.0856
    • 21000+

      ¥0.0799
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用:电源管理开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3801
    • 100+

      ¥0.2985
    • 300+

      ¥0.2578
    • 3000+

      ¥0.2188
    • 6000+

      ¥0.1943
    • 9000+

      ¥0.182
  • 有货
  • P沟道,-40V,-34A,13mΩ@-10V,-10A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9852
    • 50+

      ¥1.5266
    • 150+

      ¥1.33
    • 500+

      ¥1.0848
    • 2500+

      ¥0.9756
    • 5000+

      ¥0.91
  • 有货
  • 特性:4.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 42mΩ(最大值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3033
    • 100+

      ¥0.2371
    • 300+

      ¥0.2039
    • 3000+

      ¥0.179
    • 6000+

      ¥0.1592
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • N沟道,100V,7.0A,90.0mΩ@10V,3.5A,1.65V@250uA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.7614
    • 10+

      ¥0.5732
    • 30+

      ¥0.4791
    • 100+

      ¥0.4086
  • 有货
  • P沟道,-30V,-45A,8.5mΩ@-10V,-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4726
    • 10+

      ¥1.1324
    • 30+

      ¥0.9866
    • 100+

      ¥0.8047
    • 500+

      ¥0.7237
    • 1000+

      ¥0.675
  • 有货
  • 特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用:电机控制和驱动。 电池管理
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0338
    • 50+

      ¥1.59
    • 150+

      ¥1.3999
    • 1000+

      ¥1.2154
    • 2000+

      ¥1.1097
    • 5000+

      ¥1.0463
  • 有货
  • 特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1739
    • 200+

      ¥0.1538
    • 600+

      ¥0.1426
    • 2000+

      ¥0.1358
    • 8000+

      ¥0.1125
    • 16000+

      ¥0.1093
  • 有货
  • 特性:低RDS(on),VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。 无铅,符合RoHS标准。应用:继电器驱动器。 开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1754
    • 200+

      ¥0.1351
    • 600+

      ¥0.1127
    • 3000+

      ¥0.0924
    • 9000+

      ¥0.0807
    • 21000+

      ¥0.0745
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1814
    • 200+

      ¥0.1409
    • 600+

      ¥0.1184
    • 2000+

      ¥0.1049
    • 8000+

      ¥0.0932
    • 16000+

      ¥0.0869
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1816
    • 200+

      ¥0.1438
    • 600+

      ¥0.1229
    • 3000+

      ¥0.1021
    • 9000+

      ¥0.0912
    • 21000+

      ¥0.0853
  • 有货
  • 应用:电话机中的线路电流中断器。 高速和线路变压器驱动
    • 10+

      ¥0.4473
    • 100+

      ¥0.3513
    • 300+

      ¥0.3033
    • 3000+

      ¥0.2673
    • 6000+

      ¥0.2385
    • 9000+

      ¥0.224
  • 有货
  • 应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
    • 5+

      ¥0.99952 ¥1.2494
    • 50+

      ¥0.77776 ¥0.9722
    • 150+

      ¥0.68272 ¥0.8534
    • 500+

      ¥0.56416 ¥0.7052
    • 3000+

      ¥0.54656 ¥0.6832
    • 6000+

      ¥0.5148 ¥0.6435
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全特性电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 符合 RoHS 标准,无铅、无溴、无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.66
    • 10+

      ¥3.88
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥2.9545 ¥3.11
    • 500+

      ¥2.261 ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.147 ¥2.26
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
    • 50+

      ¥0.1216
    • 500+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.0796
    • 6000+

      ¥0.0706
    • 24000+

      ¥0.0628
    • 51000+

      ¥0.0585
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1385
    • 100+

      ¥0.1061
    • 300+

      ¥0.0881
    • 3000+

      ¥0.0857
    • 6000+

      ¥0.0763
    • 9000+

      ¥0.0713
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高静电放电能力。 高速开关。 低电压驱动 (4V)。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3285
    • 100+

      ¥0.2613
    • 300+

      ¥0.2277
    • 3000+

      ¥0.2025
    • 6000+

      ¥0.1823
    • 9000+

      ¥0.1722
  • 有货
  • 2个N沟道,30V,27.0A,11.5mΩ@10V,8.0A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.988
    • 50+

      ¥0.7384
    • 150+

      ¥0.6136
    • 500+

      ¥0.52
  • 有货
  • 超高压MOS,伺服驱动,工控辅助电源,工业电表
    • 5+

      ¥1.827515 ¥1.9237
    • 50+

      ¥1.420535 ¥1.4953
    • 150+

      ¥1.246115 ¥1.3117
    • 500+

      ¥1.02847 ¥1.0826
    • 2500+

      ¥0.93157 ¥0.9806
    • 5000+

      ¥0.87343 ¥0.9194
  • 有货
  • 新一代互补MOSFET H桥,具有低导通电阻,可通过低栅极驱动实现。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0445
    • 50+

      ¥1.6614
    • 150+

      ¥1.4973
    • 500+

      ¥1.0884
    • 2500+

      ¥0.9972
    • 5000+

      ¥0.9424
  • 有货
  • 这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET,显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术,减少了栅极驱动要求,提高了开关速度,并提升了整个系统的经济性。这些改进与功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性相结合,为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准
    数据手册
    • 1+

      ¥13.56
    • 10+

      ¥11.6
    • 25+

      ¥10.37
    • 100+

      ¥8.6545 ¥9.11
    • 500+

      ¥8.113 ¥8.54
    • 1000+

      ¥7.8755 ¥8.29
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0655
    • 200+

      ¥0.0525
    • 600+

      ¥0.0453
    • 3000+

      ¥0.041
    • 9000+

      ¥0.0373
    • 21000+

      ¥0.0352
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0687
    • 100+

      ¥0.0557
    • 300+

      ¥0.0485
    • 3000+

      ¥0.0438
    • 6000+

      ¥0.0401
    • 9000+

      ¥0.0381
  • 有货
  • 特性:ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用:专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07479 ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.05931 ¥0.0659
    • 3000+

      ¥0.04905 ¥0.0545
    • 6000+

      ¥0.04383 ¥0.0487
    • 24000+

      ¥0.03933 ¥0.0437
    • 51000+

      ¥0.0369 ¥0.041
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0748
    • 100+

      ¥0.0675
    • 300+

      ¥0.0635
    • 3000+

      ¥0.0611
    • 6000+

      ¥0.059
    • 9000+

      ¥0.0579
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1556
    • 200+

      ¥0.1232
    • 600+

      ¥0.1052
    • 3000+

      ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.0814
    • 21000+

      ¥0.0764
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:笔记本电脑电源管理。 开关应用
    • 20+

      ¥0.1841
    • 200+

      ¥0.1462
    • 600+

      ¥0.1252
    • 3000+

      ¥0.1082
    • 9000+

      ¥0.0972
    • 21000+

      ¥0.0913
  • 有货
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