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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册
  • 5+

    ¥0.4085
  • 50+

    ¥0.3581
  • 150+

    ¥0.3322
  • 500+

    ¥0.3109
  • 3000+

    ¥0.3034
  • 6000+

    ¥0.2984
  • 有货
  • 采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3产品组合,可实现高效率、低尖峰性能,通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当,但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.94
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.7539 ¥3.87
    • 500+

      ¥3.4435 ¥3.55
    • 1500+

      ¥3.2786 ¥3.38
  • 有货
  • N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0898
    • 500+

      ¥0.0746
    • 3000+

      ¥0.061
    • 6000+

      ¥0.056
    • 24000+

      ¥0.0516
    • 51000+

      ¥0.0493
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1191
    • 200+

      ¥0.1086
    • 600+

      ¥0.1028
    • 3000+

      ¥0.0798
    • 9000+

      ¥0.0767
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • 特性:30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关
    • 20+

      ¥0.149055 ¥0.1569
    • 200+

      ¥0.11571 ¥0.1218
    • 600+

      ¥0.097185 ¥0.1023
    • 3000+

      ¥0.085405 ¥0.0899
    • 9000+

      ¥0.07581 ¥0.0798
    • 21000+

      ¥0.070585 ¥0.0743
  • 有货
  • P沟道,-30V,-12A,9.5mΩ@10V,-12A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6482
    • 50+

      ¥0.5483
    • 150+

      ¥0.4984
    • 500+

      ¥0.461
    • 3000+

      ¥0.431
    • 6000+

      ¥0.416
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0687
    • 100+

      ¥0.0557
    • 300+

      ¥0.0485
    • 3000+

      ¥0.0438
    • 6000+

      ¥0.0401
    • 9000+

      ¥0.0381
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,使该器件适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联
    • 20+

      ¥0.1433
    • 200+

      ¥0.112
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.0865
    • 9000+

      ¥0.0774
    • 21000+

      ¥0.0725
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2307
    • 200+

      ¥0.1827
    • 600+

      ¥0.1587
    • 2000+

      ¥0.1407
    • 8000+

      ¥0.1193
    • 16000+

      ¥0.112
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.2889
    • 10+

      ¥0.2234
    • 30+

      ¥0.1906
    • 100+

      ¥0.166
    • 500+

      ¥0.1464
    • 1000+

      ¥0.1365
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.155
    • 200+

      ¥0.1307
    • 600+

      ¥0.1172
    • 3000+

      ¥0.1027
    • 9000+

      ¥0.0957
    • 21000+

      ¥0.0919
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1577
    • 200+

      ¥0.1462
    • 600+

      ¥0.1399
    • 3000+

      ¥0.1042
    • 9000+

      ¥0.1009
    • 21000+

      ¥0.0991
  • 有货
  • 特性:快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本负载开关。 网络
    数据手册
    • 10+

      ¥0.246
    • 100+

      ¥0.1932
    • 300+

      ¥0.1668
    • 3000+

      ¥0.147
    • 6000+

      ¥0.1312
    • 9000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2584
    • 200+

      ¥0.206
    • 600+

      ¥0.1798
    • 3000+

      ¥0.1601
    • 9000+

      ¥0.1444
    • 21000+

      ¥0.1365
  • 有货
  • 2个P沟道,-30V,-5.8A,40mΩ@-10V,-5.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4051
    • 50+

      ¥0.3427
    • 150+

      ¥0.3115
    • 500+

      ¥0.2881
    • 3000+

      ¥0.2694
    • 6000+

      ¥0.26
  • 有货
  • P沟道,-30V,-62A,79W,8mΩ@-10V,-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9572
    • 50+

      ¥0.8262
    • 150+

      ¥0.77
    • 500+

      ¥0.7
    • 2500+

      ¥0.6688
    • 5000+

      ¥0.65
  • 有货
  • Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积(FOM)。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.52
    • 500+

      ¥2.19
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0642
    • 100+

      ¥0.0541
    • 300+

      ¥0.0485
    • 3000+

      ¥0.0397
    • 6000+

      ¥0.0368
    • 9000+

      ¥0.0352
  • 有货
  • P沟道,-40V,-11A,13mΩ@-10V,-10A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5598
    • 10+

      ¥1.1995
    • 30+

      ¥1.045
    • 100+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7665
    • 1000+

      ¥0.715
  • 有货
  • IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET,采用经典可靠的TO-220封装,专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS,可承载高达60A的连续漏极电流ID,满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on),有效减少能量损耗,提升系统能效,适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。
    • 1+

      ¥2.3994 ¥2.58
    • 10+

      ¥1.9437 ¥2.09
    • 50+

      ¥1.7019 ¥1.83
    • 100+

      ¥1.4601 ¥1.57
    • 500+

      ¥1.3485 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.2834 ¥1.38
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.1189
    • 600+

      ¥0.1008
    • 3000+

      ¥0.0899
    • 9000+

      ¥0.0805
    • 21000+

      ¥0.0754
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关应用
    • 20+

      ¥0.1607
    • 200+

      ¥0.125
    • 600+

      ¥0.1052
    • 3000+

      ¥0.0934
    • 9000+

      ¥0.0831
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用:接口。 开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1884
    • 200+

      ¥0.1538
    • 600+

      ¥0.1346
    • 3000+

      ¥0.1039
    • 9000+

      ¥0.0939
    • 21000+

      ¥0.0885
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2093
    • 200+

      ¥0.1637
    • 600+

      ¥0.1384
    • 2000+

      ¥0.1232
    • 8000+

      ¥0.1101
    • 16000+

      ¥0.103
  • 有货
  • 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产,用于最大限度地减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3022
    • 200+

      ¥0.2482
    • 600+

      ¥0.2182
    • 3000+

      ¥0.1311
    • 9000+

      ¥0.1155
    • 21000+

      ¥0.107
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0584
    • 100+

      ¥0.0484
    • 300+

      ¥0.0428
    • 3000+

      ¥0.0413
    • 6000+

      ¥0.0384
    • 9000+

      ¥0.0368
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。 符合RoHS标准且环保。 雾锡(Sn)引脚镀层。 重量:约0.002g
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0958
    • 500+

      ¥0.0748
    • 3000+

      ¥0.0635
    • 6000+

      ¥0.0565
    • 24000+

      ¥0.0504
    • 51000+

      ¥0.0472
  • 有货
  • N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1207
    • 100+

      ¥0.0909
    • 300+

      ¥0.0743
    • 3000+

      ¥0.0644
    • 6000+

      ¥0.0557
    • 9000+

      ¥0.0511
  • 有货
  • 低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单
    数据手册
    • 20+

      ¥0.13604 ¥0.1432
    • 200+

      ¥0.107065 ¥0.1127
    • 600+

      ¥0.09101 ¥0.0958
    • 3000+

      ¥0.075715 ¥0.0797
    • 9000+

      ¥0.067355 ¥0.0709
    • 21000+

      ¥0.06289 ¥0.0662
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET,12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护:1000V。 RoHS合规,无卤。应用:便携式设备的负载/电源开关。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7159
    • 50+

      ¥0.5719
    • 150+

      ¥0.4999
    • 500+

      ¥0.4459
    • 3000+

      ¥0.4027
    • 6000+

      ¥0.381
  • 有货
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