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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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  • 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002
    数据手册
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      ¥0.02916 ¥0.0324
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  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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  • P沟道,-30V,-12A,9.5mΩ@10V,-12A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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      ¥0.416
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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    • 3000+

      ¥0.0798
    • 9000+

      ¥0.0768
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
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      ¥0.1501
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      ¥0.1258
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      ¥0.1042
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      ¥0.0971
    • 21000+

      ¥0.0933
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。 符合RoHS标准且环保。 雾锡(Sn)引脚镀层。 重量:约0.002g
    数据手册
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      ¥0.0935
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      ¥0.073
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      ¥0.0492
    • 51000+

      ¥0.046
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。极快的开关速度。低电压驱动,非常适合便携式设备。采用超小型表面贴装封装
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      ¥0.096805 ¥0.1019
    • 500+

      ¥0.07524 ¥0.0792
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      ¥0.059565 ¥0.0627
    • 6000+

      ¥0.052345 ¥0.0551
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      ¥0.04617 ¥0.0486
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      ¥0.04275 ¥0.045
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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      ¥0.0754
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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      ¥0.1577
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  • P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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    • 6000+

      ¥0.3
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  • 特性:30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关
    • 20+

      ¥0.149055 ¥0.1569
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      ¥0.11571 ¥0.1218
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      ¥0.085405 ¥0.0899
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      ¥0.07581 ¥0.0798
    • 21000+

      ¥0.070585 ¥0.0743
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  • 特性:高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:笔记本电脑电源管理。 开关应用
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    • 200+

      ¥0.1413
    • 600+

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    • 3000+

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      ¥0.0937
    • 21000+

      ¥0.0881
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  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
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  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2584
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    • 9000+

      ¥0.1444
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      ¥0.1365
  • 有货
  • P沟道,-30V,-62A,79W,8mΩ@-10V,-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
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      ¥0.9572
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      ¥0.65
  • 有货
  • 2个P沟道,-30V,-5.8A,40mΩ@-10V,-5.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4051
    • 50+

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    • 500+

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    • 3000+

      ¥0.2694
    • 6000+

      ¥0.26
  • 有货
  • P沟道,-40V,-11A,13mΩ@-10V,-10A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5598
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      ¥1.1995
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    • 100+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7665
    • 1000+

      ¥0.715
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
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    • 20+

      ¥0.206
    • 200+

      ¥0.1583
    • 600+

      ¥0.1318
    • 2000+

      ¥0.1159
    • 8000+

      ¥0.1021
    • 16000+

      ¥0.0946
  • 有货
  • 带ESD防护,2个N沟道,60V,0.3A,1.5Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2351
    • 50+

      ¥0.1789
    • 150+

      ¥0.1477
    • 500+

      ¥0.129
    • 3000+

      ¥0.1128
    • 6000+

      ¥0.104
  • 有货
  • 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用,如:小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2668
    • 200+

      ¥0.2162
    • 600+

      ¥0.1881
    • 3000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1476
    • 21000+

      ¥0.1397
  • 有货
  • 特性:1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3094
    • 100+

      ¥0.247
    • 300+

      ¥0.2158
    • 3000+

      ¥0.1712
    • 6000+

      ¥0.1525
    • 9000+

      ¥0.1431
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用:电源管理开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3801
    • 100+

      ¥0.2985
    • 300+

      ¥0.2578
    • 3000+

      ¥0.2188
    • 6000+

      ¥0.1943
    • 9000+

      ¥0.182
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关应用
    • 20+

      ¥0.1607
    • 200+

      ¥0.125
    • 600+

      ¥0.1052
    • 3000+

      ¥0.0934
    • 9000+

      ¥0.0831
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用,并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3411
    • 100+

      ¥0.2719
    • 300+

      ¥0.2373
    • 3000+

      ¥0.2114
    • 6000+

      ¥0.1906
    • 9000+

      ¥0.1802
  • 有货
  • 此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4323
    • 100+

      ¥0.3466
    • 300+

      ¥0.3038
    • 3000+

      ¥0.2717
    • 6000+

      ¥0.246
    • 9000+

      ¥0.2331
  • 有货
  • N沟道,30V,13A,7.5mΩ@10V,13A,1.4V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4952
    • 50+

      ¥0.3829
    • 150+

      ¥0.3267
    • 500+

      ¥0.2846
    • 3000+

      ¥0.2509
    • 6000+

      ¥0.234
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  • 特性:快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本负载开关。 网络
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1744
    • 100+

      ¥0.1524
    • 300+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 6000+

      ¥0.1265
    • 9000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • 特性:高端开关。 低导通电阻。 低阈值。 快速开关速度。应用:驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1841
    • 200+

      ¥0.1501
    • 600+

      ¥0.1312
    • 3000+

      ¥0.1148
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      ¥0.1049
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