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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：ESE0117K 编号：C42420881
封装：TO-252
品牌：ElecSuper(静芯)
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

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    N沟道，60V，6.5A，23mΩ@10V,3A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111
    封装：SOT-223
    品牌：ElecSuper(静芯)
    DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-40V，-45A，13mΩ@-10V,-20A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE40P40K 编号：C42420755
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRF9310TRPBF(ES) 编号：C46970793
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002KLT1G 编号：C42420774
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002SLT1G 编号：C42420847
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：2N7002BK,215(ES) 编号：C42412328
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2N7002BK,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-1.5A，155mΩ@-10V,-1.5A，-1.75V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ2303 编号：C42420763
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-1.5A 功率(Pd)：0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002SWT1G 编号：C42420871
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ESBSS138WT1G 编号：C42420861
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2Ω@1mA N沟道,50V,0.3A,1.1.2Ω@10V

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      ￥0.1466

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      ￥0.1142

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      ￥0.0962
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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002KDW1T1G 编号：C42420838
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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      ￥0.2077

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    N沟道，30V，6.2A，17mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3404 编号：C42420784
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,30V,6.2A,16mΩ@10V

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      ￥0.1352
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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

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      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
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    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMG3415U-7(ES) 编号：C42379950
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-4.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-0.7V@250uA

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      ￥0.2979

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.2043
  • 有货
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    P沟道，-30V,，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES9435 编号：C42412242
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.3437

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    • 300+

      ￥0.2357
  • 有货
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    N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322
    封装：SOT-89
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.4583

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      ￥0.3623

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      ￥0.3143

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      ￥0.2783

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      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES50N03D 编号：C42434100
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.5041

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      ￥0.3985

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      ￥0.2744

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      ￥0.2585
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：EST03P06 编号：C42434104
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.5499

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      ￥0.4347

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      ￥0.3339
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ZXMP10A13FTA(ES) 编号：C53199114
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESS2022A 编号：C42412309
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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    N沟道，30V，68.6A，4mΩ@10V,20A，2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，150V，20A，57mΩ@10V,5A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESEP1520K 编号：C42420777
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA N沟道,150V,19A,57mΩ@10V

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    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：BSC070N10NS5(ES) 编号：C49108749
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJL2302B 编号：C42420857
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V

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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESE2302 编号：C42420778
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V

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    N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。
    型号：ESBSS123LT1G 编号：C42420862
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V

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    N沟道，：30V，4.2A，40mΩ@10V,3.6A，0.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3402 编号：C42420875
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V

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    P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ES2301 S1 编号：C42412314
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2301 S1 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJ2302S 编号：C42420865
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V

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