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带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
型号：ESNTA7002NT1G 编号：C42420873
封装：SOT-523
品牌：ElecSuper(静芯)
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：SSM3J332R,LF(ES) 编号：C53199054
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：FDN335N(ES) 编号：C53199124
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    型号：ESJ2305 编号：C42420852
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：3.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    型号：DMP2035U-7(ES) 编号：C53199107
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3400A 编号：C42420878
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：ESJ3407 编号：C42420759
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V

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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：BSS138PS,115(ES) 编号：C42412330
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    BSS138PS,115(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：ESJL3401 编号：C42420885
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

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    型号：AO3422(ES) 编号：C53199119
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    型号：FDN337N(ES) 编号：C53199112
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：NTR4501NT1G(ES) 编号：C53199128
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESP3407LT1G 编号：C42420884
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V

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    P沟道，-40V，-3A，65mΩ@-10V,-1.2A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2319(ES) 编号：C42434110
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：NTJD4001NT1G(ES) 编号：C42412340
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    NTJD4001NT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2319DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412240
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)

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    P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDS9435A(ES) 编号：C42434119
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-60V，-1.8A，155mΩ@-10V,-1.5A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：SI2309CDS-T1-GE3(ES) 编号：C49108768
    封装：SOT-23-3
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-1.8A，155mΩ@-10V,-1.5A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4459(ES) 编号：C42412323
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，30V，65A，4.0mΩ@10V,30A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESA50N03BD 编号：C42385169
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

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    P沟道，-30V，-62A，79W，8mΩ@-20V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE30P30K 编号：C42420757
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：62A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    N沟道，60V，37A，9mΩ@10V,20A，1.45V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：CSD18534Q5A(ES) 编号：C53199109
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，37A，9mΩ@10V,20A，1.45V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-100V，-35A，38mΩ@-10V,-20A，-1.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE01P30K 编号：C42434097
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3400 编号：C42420855
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V

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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002SDW1T1G 编号：C42420859
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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