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N沟道，60V，55A，7mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：CSD18543Q3A(ES) 编号：C49108752
封装：PDFN-8L(3x3)
品牌：ElecSuper(静芯)
N沟道，60V，55A，7mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，100V，92A，6mΩ@10V,30A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESAC80SN10 编号：C42434108
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESLM3401 编号：C42420758
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

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    N沟道，30V，41A，5.0mΩ@10V,20A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，68V，80A，7.3mΩ@10V,30A，2.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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    应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI4101DY-T1-GE3(ES) 编号：C42444331
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-30V，-45A，8.0mΩ@-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESD90P06DN56 编号：C42385167
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-45A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：BSN20BKR(ES) 编号：C53199123
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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    P沟道，-30V，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.7A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6405(ES) 编号：C42434118
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7403(ES) 编号：C42412244
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7466(ES) 编号：C42412303
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.7458

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      ￥0.6513

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      ￥0.6108

    • 500+

      ￥0.5603

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    N沟道，30V，32A，10.0mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON6204(ES) 编号：C42412241
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

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      ￥0.8248

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    • 4000+

      ￥0.423
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.9387

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      ￥0.7371

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      ￥0.4949

    • 5000+

      ￥0.466
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：T2N7002BK,LM(ES) 编号：C53199055
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

    • 50+

      ￥0.0952

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      ￥0.0746

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      ￥0.0632
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：2N7002P,215(ES) 编号：C42412339
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2N7002P,215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

    • 50+

      ￥0.1222

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      ￥0.0952

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      ￥0.0712

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      ￥0.0634

    • 51000+

      ￥0.0592
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：RUM001L02T2CL(ES) 编号：C42412321
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1424

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      ￥0.0812
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE3401 编号：C42420869
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

    • 20+

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    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7401(ES) 编号：C53199126
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.7549

    • 50+

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      ￥0.4208
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    N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESD3066DN33 编号：C42385166
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

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      ￥0.5475

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      ￥0.5325
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道，30V，13A，7.5mΩ@10V,13A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4838(ES) 编号：C42412249
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

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    N沟道，60V，80A，4.6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥1.2888

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    2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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      ￥1.4547

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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，100V，15A，80mΩ@10V,10A，1.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

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      ￥1.5745

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      ￥1.2217

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.8819
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    N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥1.6

    • 50+

      ￥1.39

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      ￥1.3

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      ￥1.19
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    P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-32A,-1.5V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

    • 1+

      ￥1.79

    • 10+

      ￥1.56

    • 30+

      ￥1.46

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      ￥1.28

    • 1000+

      ￥1.25
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    2.5V驱动，N沟道+P沟道MOSFET
    型号：QS6M4TR 编号：C509914
    封装：SOT-23-6
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：结合了Pch MOSFET和Nch MOSFET在单个TSMT6封装中。 低导通电阻，快速开关。 低电压驱动（2.5V）。应用：负载开关。 逆变器

    • 5+

      ￥2.0978

    • 50+

      ￥1.7572

    • 150+

      ￥1.6112

    • 500+

      ￥1.4291
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    N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：NX3008NBK,215(ES) 编号：C49108760
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

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      ￥0.0583
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    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJ2312 编号：C42420866
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,4.5A,23mΩ@10V

    • 20+

      ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.1333

    • 600+

      ￥0.1123

    • 3000+

      ￥0.0997

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