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P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：ESJ2307 编号：C42420863
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA,-30V,-3.8A,46mΩ@10V

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    N沟道，100V，5A，85mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJM10H03NSC 编号：C42420868
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.65V@250uA,100V,2.6A,90mΩ@10V

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    N沟道，100V，5A，85mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE0102 编号：C42420786
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    带ESD保护，N沟道，20V，9.5A，11mΩ@4.5V,5A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ8810 编号：C42420840
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@4.5V,8.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.65V@250uA N沟道,20V,8.0A,13mΩ@4.5V

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    型号：ESJL3416A 编号：C42420856
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,7.5A,13mΩ@10V

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    型号：NTR4101PT1G(ES) 编号：C49108757
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-20V，-3.8A，36mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    N沟道，100V，17.5A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：CSD19538Q3A(ES) 编号：C53199115
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，17.5A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    型号：IRFH7440TRPBF(ES) 编号：C53199117
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，40V，93.56A，2.2mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    型号：AOD4184A(ES) 编号：C42434099
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：AON7264E(ES) 编号：C42434102
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：AOD409(ES) 编号：C49108743
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-28A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，60V，58.6A，7mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE6080A 编号：C42412247
    封装：TO-220
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，60V，150A，1.8mΩ@10V,20A，3.0V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRF3205STRLPBF(ES) 编号：C49108750
    封装：TO-263
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，150A，1.8mΩ@10V,20A，3.0V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：AO3481C(ES) 编号：C53447108
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

    • 10+

      ￥0.3303

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    N沟道，100V，5A，85mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ2324 编号：C42420850
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：5.0A 功率(Pd)：5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85.0mΩ@10V,5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,100V,5.0A,85.0mΩ@10V

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    带ESD保护，2个N沟道，20V，9.5A，11mΩ@4.5V,5A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL8810 编号：C42420781
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：7.6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.35mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,7.6A,13.5mΩ@10V

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  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE3050K 编号：C42434105
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESE3050K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-40V，-12A，34mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：DMP4051LK3-13(ES) 编号：C53199121
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-40V，-12A，34mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    • 立即购买
    P沟道，-100V，-10A，150mΩ@-10V,-5A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE01P13K 编号：C42434098
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESE01P13K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESNU07R086 编号：C42412313
    封装：TO-220
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，85V，120A，3.1mΩ@10V,50A，2.2V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IPB042N10N3G(ES) 编号：C49108761
    封装：TO-263
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，85V，120A，3.1mΩ@10V,50A，2.2V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，100V，9.0A，100.0mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES15N10 编号：C42385174
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

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    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJAB35P03 编号：C42420782
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA,-30V,-31A,13mΩ@10V

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    N沟道，100V，9.0A，100.0mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES0110K 编号：C42394323
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

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    P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-32A,-1.5V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：CSD25402Q3A(ES) 编号：C53199113
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-32A,-1.5V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，60V，80A，6mΩ@10.0V,30A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE6080K 编号：C42420766
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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    P沟道，-60V，-24A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRF5305PBF(ES) 编号：C49108753
    封装：TO-220F
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-24A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，200V，5A，466mΩ@10V,3A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFR220NTRPBF(ES) 编号：C42434103
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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    N沟道，150V，80A，11.5mΩ@10V,30A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFB4115PBF(ES) 编号：C53199122
    封装：TO-220
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，150V，80A，11.5mΩ@10V,30A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-40V,，-1A，273mΩ@-10V,-1A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：PMV250EPEAR(ES) 编号：C42412923
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    PMV250EPEAR(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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