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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：AON7400A(ES) 编号：C42434123
封装：PDFN3X3-8L
品牌：ElecSuper(静芯)
AON7400A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，60V，30A，14mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE6050KA 编号：C42412311
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，68V，80A，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESNQ07R086 编号：C42412312
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，100V，184A，3.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：BSC040N10NS5(ES) 编号：C53199056
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，184A，3.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    带ESD防护，N沟道，30V，0.5A，504mΩ@10V,0.2A，1.2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：NX3008NBKW,115(ES) 编号：C53199118
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，30V，0.5A，504mΩ@10V,0.2A，1.2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002DW1T1G 编号：C42420751
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESLM3400 编号：C42420776
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V

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    2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE6005AS 编号：C42420768
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V

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    P沟道，-60V，-28A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFR9024NTRPBF(ES) 编号：C49108744
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-28A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，40V，80A，4.2mΩ@10V,30A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE4060K 编号：C42420753
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V

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    N沟道，100V，9.0A，100.0mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE01P18K 编号：C42420846
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ES2N7002KLT1G 编号：C42420774
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

    • 50+

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    • 51000+

      ￥0.0368
  • 有货
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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：2N7002,215(ES) 编号：C42412315
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2N7002,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 50+

      ￥0.0789

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    • 51000+

      ￥0.0373
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：DMN65D8L-7(ES) 编号：C53199120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

    • 50+

      ￥0.1127

    • 500+

      ￥0.0884

    • 3000+

      ￥0.0749
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    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：DMG1012T-7(ES) 编号：C42412320
    封装：SOT-523
    品牌：ElecSuper(静芯)
    DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

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    • 9000+

      ￥0.0824

    • 21000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A，0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.1333

    • 600+

      ￥0.1123
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，P沟道，-60V，-0.15A，4Ω@-10V@-0.15A；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：ESBSS84WT1G 编号：C42420891
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA

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      ￥0.1765

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    • 21000+

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  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2308A(ES) 编号：C42434101
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    • 20+

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    P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESP2301LT1G(ES) 编号：C42412342
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1955

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    P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A，-0.62V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：2SK3018T106(ES) 编号：C49108759
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3401A 编号：C42420867
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250μA

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    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：MMBF170LT1G(ES) 编号：C49108764
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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    P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SSM3J328R,LF(ES) 编号：C49108745
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-40V，-3A，65mΩ@-10V,-1.2A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：DMP4065S-7(ES) 编号：C49108755
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-40V，-3A，65mΩ@-10V,-1.2A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMN6075S-7(ES) 编号：C49108758
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

    • 10+

      ￥0.4583

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    N沟道，100V，3A，120mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES0103Y 编号：C42394322
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.0A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA

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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，100V，4.5A，120mΩ@10V,4A，1.7V@250uA；应用领域：PLC控制器、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESP10N10C 编号：C42412243
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.8019

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