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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
  • 5+

    ¥0.7181
  • 50+

    ¥0.5597
  • 150+

    ¥0.4805
  • 500+

    ¥0.4211
  • 有货
  • ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
  • 有货
  • ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.8019
    • 50+

      ¥0.6339
    • 150+

      ¥0.5499
    • 500+

      ¥0.4869
  • 有货
  • 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V
    • 5+

      ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.574
    • 3000+

      ¥0.526
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
    • 500+

      ¥0.9944
  • 有货
  • IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.6426
    • 50+

      ¥1.2898
    • 150+

      ¥1.1386
    • 500+

      ¥0.95
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V
    • 50+

      ¥0.0389
    • 500+

      ¥0.038
    • 3000+

      ¥0.0374
    • 6000+

      ¥0.0368
  • 有货
  • N沟道,30V,0.5A,515mΩ@4.5V,0.2A,0.7V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 50+

      ¥0.0459
    • 500+

      ¥0.0449
    • 3000+

      ¥0.0442
  • 有货
  • 2N7002BK,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 50+

      ¥0.0563
    • 500+

      ¥0.055
    • 3000+

      ¥0.0541
  • 有货
  • DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0824
    • 21000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • 带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-150mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.6V@-250uA
    • 20+

      ¥0.1685
    • 200+

      ¥0.1318
    • 600+

      ¥0.1114
    • 3000+

      ¥0.0954
    • 9000+

      ¥0.0848
    • 21000+

      ¥0.0791
  • 有货
  • DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1783
    • 200+

      ¥0.1405
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V
    • 20+

      ¥0.1803
    • 200+

      ¥0.1414
    • 600+

      ¥0.1198
    • 3000+

      ¥0.1068
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.0A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.1878
    • 200+

      ¥0.1473
    • 600+

      ¥0.1248
    • 3000+

      ¥0.1113
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250μA
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.1A,26mΩ@-4.5V,-4A,-0.7V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
  • 有货
  • P沟道,-60V,-3.1A,80mΩ@-10V,-3A,-1.6V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.5662
    • 50+

      ¥0.451
    • 150+

      ¥0.3934
    • 500+

      ¥0.3502
  • 有货
  • 2N7002,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 50+

      ¥0.0413
    • 500+

      ¥0.0404
    • 3000+

      ¥0.0397
    • 6000+

      ¥0.0391
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,30V,0.5A,504mΩ@10V,0.2A,1.2V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.0787
    • 200+

      ¥0.0769
    • 600+

      ¥0.0758
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
    • 20+

      ¥0.2003
    • 200+

      ¥0.1571
    • 600+

      ¥0.1331
    • 3000+

      ¥0.1187
    • 9000+

      ¥0.1062
    • 21000+

      ¥0.0995
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.5A,1.5Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.2003
    • 200+

      ¥0.1571
    • 600+

      ¥0.1331
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.5A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
  • 有货
  • AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
    • 5+

      ¥0.7561
    • 50+

      ¥0.5977
    • 150+

      ¥0.5185
    • 500+

      ¥0.4591
    • 3000+

      ¥0.4116
    • 6000+

      ¥0.3878
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
    • 5+

      ¥0.7862
    • 50+

      ¥0.7689
    • 150+

      ¥0.7574
    • 500+

      ¥0.7458
  • 有货
  • P沟道,-40V,-12A,34mΩ@-10V,-3A,-1.6V@-250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 5+

      ¥0.8847
    • 50+

      ¥0.7047
    • 150+

      ¥0.6147
    • 500+

      ¥0.5472
  • 有货
  • DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9172
    • 50+

      ¥0.897
    • 150+

      ¥0.8836
    • 500+

      ¥0.8701
  • 有货
  • IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.574
    • 2500+

      ¥0.526
    • 5000+

      ¥0.4972
  • 有货
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