美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：ARF1501 编号：C17221122

封装：-

1+
￥6497.88
200+
￥2592.7
500+
￥2506.06
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￥2463.25

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型号：MSCSM170AM058CD3AG 编号：C17468062

封装：-

1+
￥6805.67
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￥6391.88
500+
￥6178.29
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￥6072.75

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型号：ARF1510 编号：C17339876

封装：-

1+
￥6843.4
200+
￥2730.57
500+
￥2639.32
1000+
￥2594.23

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型号：MSCSM120HM063CAG 编号：C3276018

封装：-

1+
￥6860.36
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￥6423.06
500+
￥6197.34
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￥6085.8

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型号：VRF154FL 编号：C5831327

封装：-

1+
￥7545.05
200+
￥3010.53
500+
￥2909.93
1000+
￥2860.22

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型号：MSCSM170HM087CAG 编号：C17521233

封装：-

1+
￥8022.93
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￥7535.14
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￥7283.34
1000+
￥7158.92

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型号：VRF157FL 编号：C17530597

封装：-

1+
￥8153.76
200+
￥3253.4
500+
￥3144.69
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￥3090.97

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型号：JANSR2N7591U3 编号：C6280599

封装：SMD-3P

1+
￥8362.63
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￥3336.75
500+
￥3225.24
1000+
￥3170.15

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型号：APTMC120AM25CT3AG 编号：C17314424

封装：-

1+
￥8416.12
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￥3358.09
500+
￥3245.88
1000+
￥3190.43

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型号：JANSR2N7593U3 编号：C5658902

封装：SMD-3P

1+
￥8500.96
200+
￥3391.94
500+
￥3278.59
1000+
￥3222.59

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型号：1214GN-180LV 编号：C17419923

封装：KR-55

1+
￥16447.9
200+
￥6562.82
500+
￥6343.52
1000+
￥6235.15

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型号：VRF157FLMP 编号：C17258933

封装：SMD-4P

1+
￥18637.13
200+
￥7436.34
500+
￥7187.84
1000+
￥7065.06

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型号：MIC94052BC6TR 编号：C3289614

封装：SC-70-6

1+
￥1.5741
200+
￥0.6092
500+
￥0.5878
1000+
￥0.5772

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型号：APT43F60B2 编号：C6861537

封装：TO-247-3

1+
￥221.97
200+
￥88.57
500+
￥85.61
1000+
￥84.15

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型号：APT43M60B2 编号：C6124807

封装：TO-247-3

1+
￥222.52
200+
￥88.79
500+
￥85.82
1000+
￥84.36

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型号：APT43F60L 编号：C7450772

封装：TO-264

1+
￥225.66
200+
￥90.04
500+
￥87.04
1000+
￥85.55

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型号：APT30M60J 编号：C6506822

封装：SOT-227B-4

1+
￥466.69
200+
￥186.22
500+
￥179.99
1000+
￥176.92

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型号：APT30F60J 编号：C7216471

封装：SOT-227B-4

1+
￥502.15
200+
￥200.36
500+
￥193.67
1000+
￥190.36

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型号：APT77N60JC3 编号：C5948952

封装：SOT-227B-4

1+
￥544.28
200+
￥217.18
500+
￥209.92
1000+
￥206.33

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型号：ARF1505 编号：C17278337

封装：-

1+
￥6757.79
200+
￥2696.41
500+
￥2606.3
1000+
￥2561.78

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型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.46
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.25

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(ES) 编号：C49108772

封装：PDFN-8L(3x3)

N沟道，30V，80A，2.4mΩ@10V,20A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥6.41
10+
￥5.2
30+
￥4.6
100+
￥4
500+
￥3.64
1000+
￥3.45

有货

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型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥6.41
10+
￥5.2
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￥4.6
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￥3.64
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￥3.45

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型号：DMP3013SFV-7(ES) 编号：C42412325

封装：PDFN-8L(3x3)

P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。

5+
￥1.0773
50+
￥0.9408
150+
￥0.8823
500+
￥0.8093
2500+
￥0.7768
5000+
￥0.7573

有货

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747
2500+
￥0.717

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥1.99
10+
￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

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型号：ESLM3401 编号：C42420758

封装：SOT-23

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
600+
￥0.1414
3000+
￥0.1261
9000+
￥0.1128

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型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4668
50+
￥1.2778
150+
￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

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型号：ESEP4045GU 编号：C42420756

封装：PDFN5x6-8L

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V

5+
￥1.6587
50+
￥1.3059
150+
￥1.1547
500+
￥0.9661
2500+
￥0.8821
5000+
￥0.8316

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型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113

封装：TO-252