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封装：SOIC-16

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

1+
￥59.67
10+
￥51.68
48+
￥46.81
96+
￥41.4578 ￥42.74

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型号：LTC7000HMSE#PBF 编号：C690077

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。经过冷却期后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

数据手册

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￥61.55
10+
￥59.49
100+
￥58.3002 ￥59.49

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型号：MAX627CSA+T 编号：C2677344

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX626/7/8是双路单片功率MOSFET驱动器，旨在将TTL输入转换为高电压/电流输出。MAX626是双路反相功率MOSFET驱动器。MAX627是双路同相功率MOSFET驱动器，而MAX628包含一个反相部分和一个同相部分

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￥66.96
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￥57.67
30+
￥52.01
100+
￥42.0703 ￥47.27

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型号：LTC7000ARMSE#PBF 编号：C3717145

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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￥68.8479 ￥74.03
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￥58.9713 ￥63.41
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￥52.9635 ￥56.95
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￥47.9136 ￥51.52

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型号：LTC1693-1IS8#TRPBF 编号：C676435

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

数据手册

1+
￥82.11
100+
￥74.7201 ￥82.11

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型号：VT1697SBFQX 编号：C2653491

封装：FCQFN-16(3.75x6)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

VT1697SB是一款功能丰富的智能从IC，旨在与Maxim的第七代主IC配合使用，以实现高密度多相电压调节器。最多六个智能从IC加上一个主IC可构成一个紧凑的同步降压转换器，该转换器可通过SMBus实现精确的各相电流和温度报告。这款智能从设备包含用于过热、VX短路、所有电源欠压锁定（UVLO）故障和主电源过压锁定（OVLO）故障的保护电路。如果检测到故障，从IC会立即关闭并向主IC发送故障信号。单片集成和先进的封装技术实现了各相实用的高开关频率，与其他实现方式相比，损耗显著降低。这款智能从设备旨在支持相数削减和不连续导通模式（DCM），以在宽负载电流范围内优化效率。高各相电流能力设计搭配低输出电容（COUT），可实现相数更少、占用空间更小的设计。VT1697SB采用带有顶部外露散热焊盘的FCQFN封装。顶部散热可改善向周围环境的热传递，降低PCB板和元件的温度。

数据手册

1+
￥96.957 ￥102.06
10+
￥92.2165 ￥97.07
30+
￥83.9895 ￥88.41
100+
￥76.8075 ￥80.85

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型号：A4940KLPTR-T 编号：C163280

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定精密霍尔门闩锁存器

数据手册

1+
￥258.92
30+
￥226.93

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型号：LKS513 编号：C2798402

封装：ESOP-16

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入，且每个通道有两个输出，内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容

单价：
￥0.6617 / 个

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型号：NSG3022 编号：C46473166

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3022 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG3022 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平。NSG3022 其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG3022 采用SOP8 封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

5+
￥0.68951 ￥0.7258
50+
￥0.537415 ￥0.5657
150+
￥0.46132 ￥0.4856
500+
￥0.40432 ￥0.4256
2500+
￥0.35872 ￥0.3776
4000+
￥0.33592 ￥0.3536

有货

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型号：G2020 编号：C7421049

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥0.70091 ￥0.7378
10+
￥0.55404 ￥0.5832
30+
￥0.480605 ￥0.5059
100+
￥0.4256 ￥0.448
500+
￥0.38152 ￥0.4016
1000+
￥0.35948 ￥0.3784

有货

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

5+
￥0.71019 ￥0.7891
50+
￥0.69201 ￥0.7689
150+
￥0.67995 ￥0.7555
500+
￥0.6678 ￥0.742

有货

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型号：NSG27511 编号：C41414512

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥0.730835 ￥0.7693
50+
￥0.71383 ￥0.7514
150+
￥0.702525 ￥0.7395
500+
￥0.69122 ￥0.7276

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型号：XJNG2102 编号：C48542888

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

5+
￥0.76076 ￥0.8008
50+
￥0.59299 ￥0.6242
150+
￥0.509105 ￥0.5359
500+
￥0.44612 ￥0.4696
2500+
￥0.39577 ￥0.4166
4000+
￥0.370595 ￥0.3901

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型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

有货

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型号：XJNG2103C 编号：C52975878

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥0.81833 ￥0.8614
50+
￥0.65056 ￥0.6848
150+
￥0.56658 ￥0.5964
500+
￥0.50369 ￥0.5302
2500+
￥0.45334 ￥0.4772
4000+
￥0.428165 ￥0.4507

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型号：NSG27519 编号：C41414513

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&EN)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥0.84094 ￥0.8852
50+
￥0.821275 ￥0.8645
150+
￥0.808165 ￥0.8507
500+
￥0.795055 ￥0.8369

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型号：GBI7251TBKR 编号：C42420010

封装：TSOT-23-6L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器，可为氮化镓（GaN）功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流，同时具备集成的6V低压差线性稳压器（LDO）轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns，输入到输出下降传播延迟为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。其负输入电压可低至5V，以增强输入抗噪能力

5+
￥0.9509
50+
￥0.9287
150+
￥0.9138

有货

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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

5+
￥0.979545 ￥1.0311
50+
￥0.759335 ￥0.7993
150+
￥0.664905 ￥0.6999
500+
￥0.5472 ￥0.576
2500+
￥0.49476 ￥0.5208
4000+
￥0.46322 ￥0.4876

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型号：UCC27524DR(TOKMAS) 编号：C49209007

封装：SOP-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：两个独立驱动器，每个能够提供和吸收5A电流。 CMOS和TTL兼容输入。每个通道独立使能。 4.5V至18V电源电压范围。 -40℃至+125℃扩展工作温度范围。 ±4kV ESD等级（人体模型）。应用：距离测试脉冲激光。电池管理系统

5+
￥1.1658
50+
￥0.9138
150+
￥0.8058
500+
￥0.6711
2500+
￥0.6111
5000+
￥0.575

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型号：NSG2023 编号：C7463259

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥1.216 ￥1.28
10+
￥1.1875 ￥1.25
30+
￥1.1685 ￥1.23
100+
￥1.1495 ￥1.21

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型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

5+
￥1.396
50+
￥1.2175
150+
￥1.141
500+
￥1.0455
2500+
￥1.003
4000+
￥0.9775

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型号：UCC27325DR-HX 编号：C18212735

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

UCC27325DR-HX是一款功率开关驱动芯片。它具有匹配的上升和下降时间，用于以一定功率速率对栅极进行充电和放电，实现导通和关断。在额定功率和电压范围内，具有较高的抗闩锁能力

1+
￥1.43
10+
￥1.39
30+
￥1.37
100+
￥1.35

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型号：NSG2105 编号：C46473171

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

5+
￥1.57928 ￥1.6624
50+
￥1.554675 ￥1.6365
150+
￥1.538335 ￥1.6193
500+
￥1.521995 ￥1.6021

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型号：ZXGD3113W6-7 编号：C2676955

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

1+
￥1.66
10+
￥1.39
30+
￥1.26
100+
￥1.12
500+
￥1.04
1000+
￥1

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型号：HX4428-S 编号：C19186054

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性