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MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 器件是一系列 4.0A 缓冲器/MOSFET 驱动器。双反相、双同相和互补输出是其提供的标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 驱动器能够在 4.5V 至 18V 的单电源下工作，并且能够在 15 ns（典型值）内轻松对 2200 pF 的栅极电容进行充放电

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型号：NCV7718CDPR2G 编号：C556475

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行

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型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

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型号：HT0440LG-G 编号：C622888

封装：SOIC-8

是双路、高压、隔离式MOSFET驱动器，采用专有HVCMOS技术。旨在驱动配置为双向或单向开关的分立MOSFET。可驱动N沟道MOSFET作为高达400V的高端开关。当逻辑输入A和B为高电平时，会向输出端VoutA和VoutB产生两个独立的直流隔离电压。可以通过向CLK引脚施加外部时钟信号来禁用内部时钟，这允许调整功耗和交流特性以满足特定需求。CLK引脚在不使用时应接地。不需要任何外部电源，当两个逻辑输入A或B中的任何一个为高电平时，内部电源电压由它们提供。

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：UCC57108BQDRQ1 编号：C22455864

封装：SOIC-8

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型号：IXDN614SI 编号：C7430185

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：TC4424COE713 编号：C632540

封装：SOIC-16-300mil

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：IR2130STRPBF 编号：C16675

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥驱动IC

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型号：DRV8303DCA 编号：C1523892

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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型号：DRV8301DCA 编号：C92113

封装：HTSSOP-56-EP-6mm

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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型号：UCC21551CQDWKRQ1 编号：C22445587

封装：SOIC-14

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型号：DRV8350HRTVT 编号：C2873324

封装：WQFN-32-EP(5x5)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：TC4422ESM713 编号：C629113

封装：SOIJ-8

TC4421/TC4422 是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和 IGBT。除了直接过压或过耗散情况外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内，它们在任何条件下都不会发生闩锁

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型号：MIC4606-1YML-TR 编号：C621921

封装：VQFN-16-EP(4x4)

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型号：LTC4440ES6-5#TRPBF 编号：C688551

封装：TSOT-23-6L

高速、高电压、高端栅极驱动器

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型号：LTC1693-1CS8#PBF 编号：C676432

封装：SO-8

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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型号：L6206D013TR 编号：C2653489

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L6206器件是一款专为电机控制应用设计的DMOS双全桥器件，采用BCD技术制造，该技术可将隔离式DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206器件有PowerSO36和SO24（20 + 2 + 2）两种封装形式，其特点包括热关断功能、高端功率MOSFET非耗散过流检测功能，以及一个可轻松用于实现过流保护的诊断输出端。

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型号：MAX5064BATC+T 编号：C2677260

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：高达125V输入操作。 8V至12.6V VDD输入电压范围。 2A峰值源电流和灌电流驱动能力。应用：电信半桥电源

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型号：LTC4440ES6-5#TRMPBF 编号：C580911

封装：TSOT-23-6L

高速、高电压、高端栅极驱动器

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型号：EL7457CLZ-T7 编号：C2653810

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速、同相、四路CMOS驱动器，能够以高达40MHz的时钟速率运行，具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载，如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电，同时使用接地参考输入

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型号：TC4422AVAT 编号：C641435

封装：TO-220-5

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：TPSI3052SQDWZRQ1 编号：C20346003

封装：SOIC-8

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

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型号：SI8273AB-IS1 编号：C17621704

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

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型号：SI8233BB-D-IMR 编号：C2836036

封装：LGA-14(5x5)

品牌：SKYWORKS

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

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型号：L9945TR 编号：C2156048

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级完全可配置8通道高/低侧MOSFET

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil