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UCD7138 UCD7138 具有本体二极管导通传感功能的低侧栅极功率 MOSFET 驱动器

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型号：NCP252160MNTWG 编号：C892300

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP252160将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP252160集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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型号：DRV8304SRHAR 编号：C1849480

封装：VQFN-40-EP(6x6)

DRV8304 具有电流分流放大器的 40V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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型号：UCC57108BQDRQ1 编号：C22455864

封装：SOIC-8

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型号：SI8261BCD-C-ISR 编号：C2836039

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用的光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替代升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了芯科实验室（Silicon Laboratories）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准，可承受高达 5.0 kV_RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准，具备 10 kV 的浪涌保护能力

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型号：TC4422AVOA 编号：C37183

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

用于超大负载线路的线路驱动器；脉冲发生器；驱动大功率的MOSFET和IGBT；本地电源开关；电机和螺线管驱动器；LF起动器。这些器件是强电流缓冲器／驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静态放电。输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门／线路容性驱动的应用。

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型号：NCV7720DQAR2G 编号：C904664

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：MIC4422YM 编号：C637535

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：MPQ6531GV-AEC1-Z 编号：C6909660

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6531是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MPQ6531集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：CSD95372BQ5M 编号：C2879243

封装：SON-12-EP(5x6)

CSD95372BQ5M 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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型号：LM5102MMX/NOPB 编号：C2677197

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：LTC1982ES6#TRMPBF 编号：C580471

封装：TSOT-23-6L

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

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型号：2ED2410EMXUMA1 编号：C5311651

封装：TSDSO-24

2ED2410-EM是一款单通道栅极驱动器，具有两个独立的栅极输出，适用于12/24 V汽车应用。它具备多种保护功能，用于连接/断开负载或不同的电源。

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型号：LTC7003EMSE#PBF 编号：C690097

封装：MSOP-16-EP

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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型号：UCC27512MDRSTEP 编号：C2677110

封装：SON-6-EP(3x3)

具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -55 to 125

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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型号：LT1910ES8#PBF 编号：C579922

封装：SO-8

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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型号：DRV83053QPHPRQ1 编号：C701777

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：MP86956GMJT-Z 编号：C5800439

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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￥38.5867
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￥33.4254
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型号：TLE9183QK 编号：C540105

封装：LQFP-64-EP(10x10)

是一款先进的栅极驱动IC，用于控制6个外部N沟道MOSFET，形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用，即使在恶劣的汽车环境中，结合高电机电流。因此，桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念，其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK

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型号：UCC21551CQDWKRQ1 编号：C22445587

封装：SOIC-14

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型号：SN75372P 编号：C1549289

封装：PDIP-8

SN75372 具有使能引脚的 10mA/40mA 双路栅极驱动器

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型号：TPSI3052SQDWZRQ1 编号：C20346003

封装：SOIC-8

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

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￥47.89
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型号：1ED3860MC12MXUMA1 编号：C17558509

封装：SOP-16