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UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：MD1211LG-G 编号：C623931

封装：SOIC-8

Supertex MD1211 是一款高速双 MOSFET 驱动器。它专为驱动高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 晶体管而设计，适用于医疗超声和其他需要高输出电流来驱动容性负载的应用。MD1211 的高速输入级可在 1.8 至5.0V 的逻辑接口电压下工作，最佳工作输入信号范围为1.8 至 3.3V。电平转换器采用专有电路，可提供直流耦合和高速运行。

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型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：FAD7191M1X 编号：C603189

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD7191 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。FAD7191 采用 14-SOP 封装,具有单独的信号和电源接地可用于在高功率应用中实现更高抗扰性，高电压应用中必要的充分间距和漏电距离，以及用于关断冗余目的的启用引脚。

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型号：6EDL04N06PT 编号：C533115

封装：DSO-28

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：TC4426ACOA713 编号：C624935

封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311

封装：LGA-13(5x5)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：MIC4420YMM 编号：C636524

封装：MSOP-8

MIC4420和MIC4429 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4429是反相驱动器，而MIC4420是非反相驱动器。它们能够提供6A（峰值）输出，并能驱动最大型的MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：MCP14A0155T-E/SN 编号：C622959

封装：SOIC-8

高速双MOSFET驱动器，能够在4.5V至18V的单电源下运行，提供高达1.5A的峰值电流。有三种输出配置：双反相、双同相和互补。具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟，适用于高开关频率应用。提供增强的使能功能控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，使相应输出为低电平，无论输入引脚状态如何。集成上拉电阻允许用户让使能引脚浮空以进行标准操作。在其功率和电压额定值内的任何条件下都具有高抗闩锁能力。可以承受高达500 mA的反向电流，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达2 kV (HBM) 和200 V (MM) 的静电放电 (ESD) 保护。

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型号：MIC4120YME-TR 编号：C628007

封装：SOIC-8-EP

MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。其中一款是反相驱动器，另一款是非反相驱动器，它们是 MIC4420 和 MIC4429 的改进版本。该驱动器能够提供 6A（峰值）输出，并能以改进的安全工作裕度驱动最大的 MOSFET。可接受 2.4V 至 Vₛ 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络

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型号：TC426COA713 编号：C624903

封装：SOIC-8

TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS输出在接地或正电源的25 mV范围内。低阻抗、大电流驱动器输出可在30 nsec内使1000 pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使该产品成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块

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型号：DR704QAQFN32 编号：C19078484

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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型号：TC426COA 编号：C636864

封装：SOIC-8

TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS输出在接地或正电源的25mV范围内。低阻抗、高电流驱动器输出可在30纳秒内使1000pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使其成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块

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型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

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型号：TC426EOA 编号：C636865

封装：SOIC-8

双路CMOS高速驱动器将TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅，CMOS输出在接地或正电源的25mV范围内。低阻抗、高电流驱动器输出可在30nsec内使1000pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使其成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块。输入逻辑信号可等于电源电压，输入电流低至1μA，可直接与CMOS/双极开关模式电源控制IC以及开集电极模拟比较器接口

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型号：LM5110-3MX/NOPB 编号：C2676938

封装：SOIC-8

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：MCP14A0303T-E/SN 编号：C622963

封装：SOIC-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：CSD88599Q5DCT 编号：C701755

封装：SON-22(5x6)

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

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型号：MC34151DR2G 编号：C236081

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：TC4420VMF 编号：C184798

封装：DFN-8-EP(5x6)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：LTC4442EMS8E#PBF 编号：C688566

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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型号：TC4428ACOA 编号：C1549312

封装：SOIC-8

除了匹配的上升和下降时间外，这些设备还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些设备在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有高抗闩锁能力。当地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达500 mA的反向电流（任何极性）被强制反馈到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。这些MOSFET驱动器可以在30 ns内轻松对1000 pF的栅极电容进行充电/放电。这些设备在导通和关断状态下都提供足够低的阻抗，以确保即使在大瞬变情况下，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

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型号：1ED3124MU12FXUMA1 编号：C17295974

封装：SOIC-8

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：TC4423AVOA 编号：C1549502

封装：SOIC-8