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封装：SOIC-8

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 器件是一系列 4.0A 缓冲器/MOSFET 驱动器。双反相、双同相和互补输出是其提供的标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 驱动器能够在 4.5V 至 18V 的单电源下工作，并且能够在 15 ns（典型值）内轻松对 2200 pF 的栅极电容进行充放电

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型号：LM2101DR 编号：C34080678

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。

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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

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型号：FAN3224TMX-JSM 编号：C18198374

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 两路独立的使能端口控制 4A/4A 双通道栅极驱动器 -40 to 125

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型号：2EDN7524G 编号：C533082

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

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型号：JSM2127STR 编号：C19673787

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动芯片单通道驱动配置：低边；高边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：12V~20V 峰值灌电流：600mA 峰值拉电流：300mA 故障报告

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￥3.477 ￥3.66
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型号：XL2113PBF 编号：C22397800

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：NSG2011 编号：C41414482

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.1065 ￥3.27
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￥2.907 ￥3.06
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型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：SL27501SE 编号：C22446793

封装：SOIC-8-EP

品牌：Slkor(萨科微)

SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

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￥3.576 ￥4.47
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￥3.432 ￥4.29
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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥3.816 ￥4.24
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￥2.646 ￥2.94
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型号：UCC27538DBVT 编号：C2870245

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥3.92
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型号：NSG27714 编号：C52975936

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.218 ￥4.44
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￥3.42 ￥3.6
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型号：FAN7392N-HX 编号：C52191357

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

FAN7392N-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，兼容3.3V逻辑输入，高边驱动电压达600V，延时匹配适用于高频应用

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￥4.5 ￥5
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型号：MC34151PG-HX 编号：C52191375

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器，电流峰值1.5A，工作电压4.5~18V，快速开关(<40ns)，支持反向电流500mA和5V噪声，适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动

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￥4.5 ￥5
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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

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￥4.94
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型号：UCC27536DBVR 编号：C2677321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥5.01
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型号：MIC4424YM 编号：C637537

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，是MIC4426/4427/4428的更高输出电流版本，而后者是MIC426/427/428的改进版本，三个系列引脚兼容。比其前代产品能在更苛刻的电气环境中可靠工作，在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都不会发生闩锁，能承受高达5V的任何极性的接地引脚噪声尖峰，能接受高达半安培的任何极性的反向电流而不会损坏或逻辑混乱。比目前可用的其他CMOS或双极驱动器更易于使用、操作更灵活、容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗最低，并提供轨到轨电压摆幅

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￥5.08
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型号：FAN3100TSX 编号：C603194

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL (FAN3100T) 或 CMOS (FAN3100C) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN3100 提供快速 MOSFET 开关性能，有助于最大程度提高高频功率转换器设计中的能效。FAN3100 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高峰值电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3100 还提供双输入，可配置为在非反向或反向模式下运行，可实施启用功能。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。FAN3100 采用无引线成品 2x2mm 6 引线成型无引线封装 (MLP)，可实现最小尺寸，且具有绝佳热性能，也可采用行业标准的 5 引脚 SOT23。

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￥5.19
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￥4.15
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￥3.63
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￥3.11

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型号：DRV2625YFFR 编号：C553134

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2625 具有波形库、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

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1+
￥5.21
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￥4.61
30+
￥4.06

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型号：2EDN7534BXTSA1 编号：C3654924

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装，以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力，再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间，使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

1+
￥5.31
10+
￥4.23
30+
￥3.69
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￥3.15

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型号：UCC37322DR 编号：C2677181

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有分离输出、25ns 传播延迟和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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1+
￥5.42
10+
￥5.29
30+
￥5.2
100+
￥5.11

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型号：TC426EPA 编号：C640729

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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1+
￥5.526 ￥18.42
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￥3.142 ￥15.71
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￥1.402 ￥14.02
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￥1.229 ￥12.29
480+
￥1.151 ￥11.51
1200+
￥1.117 ￥11.17

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型号：ADP3654ARDZ 编号：C1019475

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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1+
￥5.8604 ￥5.98
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￥5.7232 ￥5.84
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￥5.635 ￥5.75
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￥5.0176 ￥5.12

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型号：NSG21364 编号：C41414506

封装：SOP-28

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

1+
￥5.9755 ￥6.29
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￥4.94 ￥5.2
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￥4.37 ￥4.6
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￥3.7335 ￥3.93
500+
￥3.4485 ￥3.63
1000+
￥3.3155 ￥3.49

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型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.001 ￥7.06
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￥4.93 ￥5.8
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￥4.3435 ￥5.11
100+
￥3.672 ￥4.32
500+
￥3.383 ￥3.98
1000+
￥3.247 ￥3.82

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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.04 ￥7.55
10+
￥5.032 ￥6.29
25+
￥4.48 ￥5.6
100+
￥3.856 ￥4.82
500+
￥3.576 ￥4.47
1000+
￥3.448 ￥4.31

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

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1+
￥6.13
10+
￥4.88
30+
￥4.25
100+
￥3.62

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型号：FAN7390MX-JSM 编号：C7498959

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

1+
￥6.232 ￥6.56
10+
￥5.1395 ￥5.41
30+
￥4.541 ￥4.78
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￥3.857 ￥4.06
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￥3.648 ￥3.84
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