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高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.216 ￥10.27
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型号：NSG27322 编号：C53190620

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：NCD5701ADR2G 编号：C603415

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：TF21084A-TUU 编号：C6387928

封装：SOIC-14

高压600V,单相,死区可调,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.2204 ￥10.36
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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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￥9.43
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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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￥9.7
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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥9.73
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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.864 ￥12.33
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型号：TF2113-3BS 编号：C2683772

封装：PDIP-14

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.963 ￥11.07
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型号：IRS21864STRPBF 编号：C538312

封装：SOIC-14

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥10.09
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￥8.49
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型号：TF2110-3BS 编号：C2683771

封装：DIP-14

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

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￥10.28
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￥8.51
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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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￥10.95
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型号：MCP1407-E/SN 编号：C52138

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，提供足够低的阻抗（在导通和关断状态下），以确保即使存在大的瞬变，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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型号：CSD95492QVMT 编号：C544797

封装：VSON-18-EP(4x5)

CSD95492QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 20A 同步降压 NexFET 智能功率级

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型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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￥11.39
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￥9.61
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型号：IR4426STRPBF 编号：C537737

封装：SOIC-8

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

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￥11.41
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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：NCP81071BMNTXG 编号：C603797

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器，能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流，有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。

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型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：1ED3127MU12FXUMA1 编号：C17649548

封装：SOIC-8

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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￥14.53
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￥10.72

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型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：LM5060Q1MMX/NOPB 编号：C206490

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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￥16.54
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￥14.13
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￥12.63

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型号：MCP14E4-E/P 编号：C640320

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 器件是一系列 4.0A 缓冲器/MOSFET 驱动器。双反相、双同相和互补输出是其提供的标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5 驱动器能够在 4.5V 至 18V 的单电源下工作，并且能够在 15 ns（典型值）内轻松对 2200 pF 的栅极电容进行充放电

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￥16.7067 ￥29.31
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￥11.8628 ￥25.24
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￥8.4471 ￥22.83
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￥7.5406 ￥20.38
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￥7.1225 ￥19.25
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￥6.9338 ￥18.74

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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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￥15.46
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￥13.82
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￥12.17

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型号：UCC27211DRMR 编号：C544677

封装：VSON-8-EP(4x4)