mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

300V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

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￥0.675925 ￥0.7115
50+
￥0.53428 ￥0.5624
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￥0.463505 ￥0.4879
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￥0.4104 ￥0.432
2500+
￥0.367935 ￥0.3873
4000+
￥0.346655 ￥0.3649

有货

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型号：NSG1415 编号：C41414509

封装：SOT-23-5

NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.72694 ￥0.7652
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￥0.71003 ￥0.7474
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￥0.69863 ￥0.7354
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￥0.687325 ￥0.7235

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型号：NSG2008 编号：C7421056

封装：SOIC-8

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.815575 ￥0.8585
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￥0.712215 ￥0.7497
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￥0.667945 ￥0.7031
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￥0.61275 ￥0.645
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￥0.588145 ￥0.6191
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￥0.573325 ￥0.6035

有货

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型号：XJNG2103 编号：C43244363

封装：SOP-8

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装，可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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￥0.81833 ￥0.8614
50+
￥0.65056 ￥0.6848
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￥0.56658 ￥0.5964
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￥0.50369 ￥0.5302
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￥0.45334 ￥0.4772
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￥0.428165 ￥0.4507

有货

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型号：SL6288Q 编号：C53085155

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Slkor(萨科微)

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￥0.8527
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￥0.8336
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￥0.821

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型号：IRS4428STRPBF-HX 编号：C50345555

封装：SOP-8

IR4428STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

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￥1.02321 ￥1.1369
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￥1.00035 ￥1.1115
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￥0.98514 ￥1.0946
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￥0.96993 ￥1.0777

有货

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型号：GHD3125R 编号：C53153132

封装：SOP-16

品牌：Geehy(极海半导体)

40V耐压，集成3.3VLDO，三相3P+3N栅极驱动器

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￥1.1881
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￥0.9411
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￥0.8353
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￥0.7032
3000+
￥0.6444

有货

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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

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￥1.2123
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￥0.9603
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￥0.8523
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￥0.7175
3000+
￥0.6575

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型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

5+
￥1.2805
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￥1.0033
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￥0.8845
500+
￥0.7363
2500+
￥0.6703

有货

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型号：UCC37325DR-HX 编号：C18212734

封装：SOIC-8

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￥1.287 ￥1.43
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￥1.251 ￥1.39
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￥1.233 ￥1.37
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￥1.215 ￥1.35

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型号：SLM27523CA-DG 编号：C22381786

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM2752x 系列器件是双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用了一种从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 18 ns。在 12V VDD 电源供电时，SLM2752x 可提供 4.5A 的源极峰值驱动电流和 5.5A 的漏极峰值驱动电流

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￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976

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型号：SDH2105U 编号：C17701711

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.665 ￥1.85
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￥1.629 ￥1.81
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￥1.602 ￥1.78
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￥1.575 ￥1.75

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型号：IRS44273LTRPBF 编号：C5804636

封装：SOT-23-5

单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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￥1.70752 ￥2.1344
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￥1.34464 ￥1.6808
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￥1.18912 ￥1.4864
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￥0.94472 ￥1.1809
3000+
￥0.85832 ￥1.0729
6000+
￥0.8064 ￥1.008

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型号：EG2108 编号：C480656

封装：SOIC-8

EG2108是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2108高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.7216
50+
￥1.3297
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￥1.1617
500+
￥0.9522

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型号：HP3000-AD000-HD08R 编号：C22394787

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.8012
50+
￥1.4232
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￥1.2612
500+
￥1.0591

有货

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型号：M81747JFP-JSM 编号：C44606230

封装：SOP-8

M81747JFP是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。M81747JFP采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.82
10+
￥1.77
30+
￥1.74

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型号：HX2005-S 编号：C19186047

封装：SOP-8

HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术，使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.8585 ￥2.065
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￥1.45935 ￥1.6215
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￥1.28826 ￥1.4314
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￥1.07478 ￥1.1942
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￥0.97974 ￥1.0886
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￥0.92268 ￥1.0252

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0203
50+
￥1.5667
150+
￥1.3723

有货

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型号：HX2007-S 编号：C19186048

封装：SOP-8

HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术，可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.20915 ￥1.3435
2500+
￥1.10223 ￥1.2247
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￥1.03806 ￥1.1534

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型号：HX4426-S 编号：C19186052

封装：SOP-8

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.20915 ￥1.3435
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￥1.10223 ￥1.2247
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￥1.03806 ￥1.1534

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

带过流保护功能半桥驱动芯片

数据手册

5+
￥2.1502
50+
￥1.6948
150+
￥1.4997
500+
￥1.1583

有货

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

1+
￥2.3
10+
￥2.02
30+
￥1.9
100+
￥1.76
500+
￥1.69
1000+
￥1.65

有货

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型号：FAN7842MX-HX 编号：C53055897

封装：SOIC-8

FAN7842MX-HX 是高低侧栅极驱动IC，支持+200V，具抗共模噪声与负压VS能力，驱动电流达350/650mA，TTL兼容、延时<50ns，具UVLO，适用于电机、电动工具与通信DC-DC应用

1+
￥2.385 ￥2.65
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￥1.89 ￥2.1
30+
￥1.674 ￥1.86
100+
￥1.404 ￥1.56
500+
￥1.287 ￥1.43
1000+
￥1.215 ￥1.35

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型号：LF2103NTR-JSM 编号：C17701707

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 LF2103N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.538 ￥2.82
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.764 ￥1.96
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￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.341 ￥1.49
1000+
￥1.26 ￥1.4

有货

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型号：G2061Q 编号：C7421053

封装：QFN-24

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

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￥2.641 ￥2.78
50+
￥2.0805 ￥2.19
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￥1.8335 ￥1.93
500+
￥1.5295 ￥1.61
2500+
￥1.3965 ￥1.47
5000+
￥1.311 ￥1.38

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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.31
30+
￥1.8473 ￥2.03
100+
￥1.5561 ￥1.71
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￥1.4287 ￥1.57
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￥1.365 ￥1.5

有货

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

数据手册

5+
￥2.8372
50+
￥2.3461
150+
￥2.1356
500+
￥1.873

有货

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型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥2.86
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￥2.27
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￥2.01
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￥1.59

有货

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型号：DGD2103MS8-13-JSM 编号：C17701706

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.006 ￥3.34
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￥2.421 ￥2.69
30+
￥2.133 ￥2.37
100+
￥1.836 ￥2.04
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.575 ￥1.75

有货

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型号：HX33152-P 编号：C41399177

封装：DIP-8