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型号：MIC4421YN 编号：C641322

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：NCD57001FDWR2G 编号：C899925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCD57001F是NCD57001的一个变体，其软关断时间缩短，适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断

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￥22.8068 ￥34.04
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型号：SI8271ABD-IS 编号：C17627698

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：TC4452VPA 编号：C640812

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。具有非常低的交叉传导电流，可降低器件的总体功耗。除了直接过压或过耗散外，基本不受任何形式的干扰影响

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型号：MD1213K6-G 编号：C621434

封装：QFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD1213是一款高速双MOSFET驱动器。它旨在驱动高压P沟道和N沟道MOSFET，适用于医疗超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1213的高速输入级可在1.8V至5V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V

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型号：HIP4081AIBZ 编号：C90013

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

全桥驱动NMOS，满占空比工作

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型号：TC4432COA 编号：C636904

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4431/TC4432是30V的CMOS缓冲器/驱动器，适用于高端驱动应用。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。它们能够承受高达300 mA的反向电流（任意极性）回流到其输出端，而不会损坏或导致逻辑紊乱

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型号：TC4427AEUA 编号：C636887

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：UCC27212AQDDARQ1 编号：C2867746

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：MAX626CSA+T 编号：C2677347

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、功率MOSFET驱动器

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型号：TC4425CPA 编号：C640769

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：STDRIVEG600 编号：C3655212

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：TC4452VAT 编号：C641440

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4451/TC4452 是单输出 MOSFET 驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：LM5113SDX/NOPB 编号：C3655383

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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型号：LTC1693-1CS8#TRPBF 编号：C676433

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器

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型号：LTC7004EMSE#PBF 编号：C690105

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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型号：LTC7001IMSE#TRPBF 编号：C690094

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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型号：SI8274GB1-IM1 编号：C17695859

封装：QFN-14(5x5)

品牌：SKYWORKS

Si827x 隔离器非常适合驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。Si827x 隔离式栅极驱动器采用了思佳讯（Skyworks）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 和 VDE0884 标准，可承受高达 2.5 kV RMS 的电压。这项技术实现了业界领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化更小、器件间匹配度更高以及极高的可靠性

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￥40.2039 ￥40.61

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型号：LTC7000EMSE-1#TRPBF 编号：C690076

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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型号：MIC4468YWM 编号：C641627

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4467/8/9系列四输出CMOS缓冲器/驱动器是早期单输出和双输出驱动器的扩展，它们在功能上密切相关。由于封装引脚数量允许，每个驱动器都配备了一个双输入逻辑门，以增加灵活性。将四个高功率驱动器集成在一个封装中还能提高系统可靠性并降低系统总成本

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型号：TC4469COE 编号：C642033

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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型号：LT1910IS8#TRPBF 编号：C579924

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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￥52.6776 ￥56.04
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￥45.0824 ￥47.96
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￥36.5848 ￥38.92

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型号：LTC7004HMSE#PBF 编号：C690107

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。

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￥53.47
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￥49.896 ￥50.4

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型号：LTC4440AHMS8E-5#PBF 编号：C688540

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。

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1+
￥53.67
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￥46.44
30+
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型号：LTC1693-2IS8#PBF 编号：C676438

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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1+
￥54.12
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￥46.31
30+
￥41.55
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￥36.8088 ￥37.56

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型号：IXDN630YI 编号：C461326

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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￥65.32
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￥51.96
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型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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1+
￥70.27
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￥46.341 ￥48.78

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型号：HV7360GA-G 编号：C633419

封装：CABGA-22

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高压高速脉冲发生器，内置快速归零阻尼场效应晶体管（FET）。HV7361 额外集成了一个双端低噪声收发开关（T/R 开关）。适用于便携式医疗超声成像设备、无损检测和测试设备应用。由控制器逻辑接口电路、电平转换器和交流耦合金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器组成。输出级采用高压大电流 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。每个通道的峰值输出电流保证超过 ±2.5A，脉冲摆幅可达 ±100V。栅极驱动器的交流耦合拓扑不仅节省了两个浮动电压源，还使 PCB 布局更简单。

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型号：MGD3162AM551EKT 编号：C22420019

封装：SOIC-32

品牌：NXP(恩智浦)

该产品是一款先进的单通道栅极驱动器，专为驱动xEV牵引逆变器的最新SiC和IGBT模块而设计。它具备集成的电流隔离、通过SPI的可编程接口以及先进的可编程保护功能，如过温、去饱和和电流感应保护。具有集成升压能力，可直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块栅极，并能调节栅极驱动能力，以改善功率器件的开关性能并降低电压应力。可通过SPI命令或GS Enable引脚控制栅极强度，GS_ENH逻辑控制导通驱动强度，GS_ENL控制关断驱动强度

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型号：G2026 编号：C46473161

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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￥0.51889 ￥0.5462
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￥0.445455 ￥0.4689
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