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首页 > 热门关键词 > mos驱动芯片
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  • 5+

    ¥1.0911
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  • 150+

    ¥0.7671
  • 500+

    ¥0.6458
  • 3000+

    ¥0.5918
  • 有货
  • 40V耐压,集成3.3VLDO,三相3P+3N栅极驱动器
    • 5+

      ¥1.1881
    • 50+

      ¥0.9411
    • 150+

      ¥0.8353
    • 500+

      ¥0.7032
    • 3000+

      ¥0.6444
  • 有货
  • 单通道、单输入(IN)、拉/灌电流:2/2A,输入耐受低至-10V
    • 5+

      ¥1.2584
    • 50+

      ¥0.9975
    • 150+

      ¥0.8858
    • 500+

      ¥0.7463
  • 有货
  • HXFD6288QFN24 是一款高压高速双通道 MOSFET 栅极驱动芯片,集成高低侧驱动,兼容 3.3V 逻辑,输出电流 1.6A/2.4A。内置防直通保护及可编程死区,高侧浮地耐压 250V,采用 QFN-24 封装,工作结温 -40~125°C,适用于工业及汽车电子
    • 5+

      ¥1.279
    • 50+

      ¥1.2504
    • 150+

      ¥1.2314
    • 500+

      ¥1.2124
  • 有货
  • DO1416器件是能够提供2A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制(3V到18V)。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色,使它非常适合高开关频率应用。
    • 5+

      ¥1.3234
    • 50+

      ¥1.0462
    • 150+

      ¥0.9274
    • 500+

      ¥0.7792
    • 3000+

      ¥0.7132
  • 有货
    • 5+

      ¥1.4437
    • 50+

      ¥1.1413
    • 150+

      ¥1.0117
    • 500+

      ¥0.85
  • 有货
  • IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容,内置强驱动缓冲,支持高边N沟道器件驱动,电压可达600V
    • 5+

      ¥1.51587 ¥1.6843
    • 50+

      ¥1.19835 ¥1.3315
    • 150+

      ¥1.06227 ¥1.1803
    • 500+

      ¥0.89253 ¥0.9917
    • 2500+

      ¥0.81693 ¥0.9077
    • 5000+

      ¥0.77157 ¥0.8573
  • 有货
  • 250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片
    • 5+

      ¥1.5262
    • 50+

      ¥1.3204
    • 150+

      ¥1.2322
    • 500+

      ¥1.1221
    • 3000+

      ¥1.0731
    • 6000+

      ¥1.0437
  • 有货
    • 1+

      ¥1.53 ¥1.7
    • 10+

      ¥1.494 ¥1.66
    • 30+

      ¥1.476 ¥1.64
    • 100+

      ¥1.458 ¥1.62
  • 有货
  • 单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.73992 ¥2.1749
    • 50+

      ¥1.37704 ¥1.7213
    • 150+

      ¥1.22152 ¥1.5269
    • 500+

      ¥0.97712 ¥1.2214
    • 3000+

      ¥0.89072 ¥1.1134
    • 6000+

      ¥0.8388 ¥1.0485
  • 有货
  • HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术,使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥1.8585 ¥2.065
    • 50+

      ¥1.45935 ¥1.6215
    • 150+

      ¥1.28826 ¥1.4314
    • 500+

      ¥1.07478 ¥1.1942
    • 2500+

      ¥0.97974 ¥1.0886
    • 5000+

      ¥0.92268 ¥1.0252
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.91
    • 50+

      ¥1.465
    • 150+

      ¥1.2742
  • 有货
  • HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术,可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。
    • 5+

      ¥2.09079 ¥2.3231
    • 50+

      ¥1.64169 ¥1.8241
    • 150+

      ¥1.44927 ¥1.6103
    • 500+

      ¥1.20915 ¥1.3435
    • 2500+

      ¥1.10223 ¥1.2247
    • 5000+

      ¥1.03806 ¥1.1534
  • 有货
  • 该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器,旨在接受标准的DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载,如继电器、螺线管、直流电机和步进电机,以及开关功率晶体管。为便于在两种桥接配置中使用,每对通道都配备了一个使能输入。此外,逻辑电路有单独的电源输入,允许在较低电压下工作。内部还包含钳位二极管以提高性能。该设备适用于高达5kHz频率的开关操作。
    • 5+

      ¥2.169 ¥2.41
    • 50+

      ¥1.719 ¥1.91
    • 150+

      ¥1.521 ¥1.69
    • 500+

      ¥1.278 ¥1.42
    • 2500+

      ¥1.17 ¥1.3
    • 5000+

      ¥1.107 ¥1.23
  • 有货
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.75
    • 100+

      ¥1.47
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.85
  • 有货
  • 单相桥驱动,高同低反,逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.601 ¥2.89
    • 10+

      ¥2.061 ¥2.29
    • 30+

      ¥1.827 ¥2.03
    • 100+

      ¥1.53 ¥1.7
    • 500+

      ¥1.404 ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.323 ¥1.47
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和使能功能的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器 5-SOT-23 -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.82
    • 100+

      ¥2.77
  • 有货
    • 1+

      ¥2.97 ¥3.3
    • 10+

      ¥2.907 ¥3.23
    • 30+

      ¥2.871 ¥3.19
    • 100+

      ¥2.826 ¥3.14
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.006 ¥3.34
    • 10+

      ¥2.421 ¥2.69
    • 30+

      ¥2.133 ¥2.37
    • 100+

      ¥1.836 ¥2.04
    • 500+

      ¥1.665 ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.575 ¥1.75
  • 有货
  • HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,在改进功能的同时,提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容,HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境,在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何,它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰
    • 1+

      ¥3.087 ¥3.43
    • 10+

      ¥2.484 ¥2.76
    • 50+

      ¥2.187 ¥2.43
    • 100+

      ¥1.89 ¥2.1
    • 500+

      ¥1.71 ¥1.9
    • 1000+

      ¥1.62 ¥1.8
  • 有货
  • HX33152-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥3.177 ¥3.53
    • 10+

      ¥2.817 ¥3.13
    • 50+

      ¥2.637 ¥2.93
    • 100+

      ¥2.466 ¥2.74
    • 500+

      ¥2.358 ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.304 ¥2.56
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.49
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.32
  • 有货
  • IRS26072D是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.25
  • 有货
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • M81747JFP是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。M81747JFP采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.28
  • 有货
  • 栅极驱动IC 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 两路独立的使能端口控制 4A/4A 双通道栅极驱动器 -40 to 125
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.28
  • 有货
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.96
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.62
    • 500+

      ¥2.12
  • 有货
  • 4A,4.5V-25V,双反相,双高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.34
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.37
    • 100+

      ¥2.04
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.75
  • 有货
  • 是一款用于 MOSFET、IGBT 和 GaM 功率开关的单通道低侧栅极驱动器。高源极和漏极电流能力为 5A,可通过最小化缓慢时间和开关损耗来提高开关效率。该器件支持最高 25V 电源电压和 -5V,提高了系统的稳健性,特别是在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟适用于对时序要求严格的应用。小型 SOT23-5 封装有助于高密度电源设计。
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.33
  • 有货
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