mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8-EP(3x3)

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流，上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥4.16
30+
￥4.09
100+
￥4.03

有货

立即购买

型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

1+
￥3.192 ￥3.99
10+
￥2.576 ￥3.22
30+
￥2.264 ￥2.83
100+
￥1.952 ￥2.44
500+
￥1.768 ￥2.21
1000+
￥1.672 ￥2.09

有货

立即购买

型号：COS27423SR 编号：C5334498

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5A，4.5V-25V，双反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

5+
￥3.28
50+
￥2.52
150+
￥2.2
500+
￥1.79
2500+
￥1.61
4000+
￥1.5

有货

立即购买

型号：IRS4426STRPBF-JSM 编号：C7466363

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

1+
￥3.303 ￥3.67
10+
￥3.222 ￥3.58
30+
￥3.177 ￥3.53
100+
￥3.123 ￥3.47

有货

立即购买

型号：EG2184 编号：C2929094

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能 MOS 管驱动芯片

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.62
30+
￥2.3
100+
￥1.91

有货

立即购买

型号：IXDI504SIA-JSM 编号：C7498962

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥3.44 ￥4.3
10+
￥2.744 ￥3.43
30+
￥2.4 ￥3
100+
￥2.056 ￥2.57
500+
￥1.856 ￥2.32
1000+
￥1.744 ￥2.18

有货

立即购买

型号：TF2183M-TR 编号：C17701721

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.519 ￥3.91
10+
￥3.438 ￥3.82
30+
￥3.384 ￥3.76
100+
￥3.33 ￥3.7

有货

立即购买

型号：TF21814M-TR-JSM 编号：C7498986

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.704 ￥4.63
10+
￥3.616 ￥4.52
30+
￥3.552 ￥4.44
100+
￥3.488 ￥4.36

有货

立即购买

型号：TC4427VPA-JSM 编号：C20616627

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 TC4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

1+
￥3.753 ￥4.17
10+
￥3.06 ￥3.4
50+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.989 ￥2.21
1000+
￥1.881 ￥2.09

有货

立即购买

型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥2.95
30+
￥2.6

有货

立即购买

型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.87
10+
￥3.78
30+
￥3.71
100+
￥3.65

有货

立即购买

型号：SLM7888CH 编号：C883212

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.18
30+
￥2.8
100+
￥2.42
500+
￥2.19

有货

立即购买

型号：LF21844NTR-JSM 编号：C7498951

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.96 ￥4.4
10+
￥3.861 ￥4.29
30+
￥3.798 ￥4.22
100+
￥3.735 ￥4.15

有货

立即购买

型号：SiLM2660CD-DG 编号：C41433639

封装：TSSOP-16

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥3.99
10+
￥3.22
30+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.21

有货

立即购买

型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

1+
￥4.05
10+
￥3.28
30+
￥2.89
100+
￥2.51
500+
￥2.28
1000+
￥2.17

有货

立即购买

型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.148 ￥4.88
10+
￥4.0545 ￥4.77
30+
￥3.9865 ￥4.69
100+
￥3.9185 ￥4.61

有货

立即购买

型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.31
30+
￥2.89
100+
￥2.48
500+
￥2.23

有货

立即购买

型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.43
30+
￥3.01

有货

立即购买

型号：NSG21851 编号：C41414529

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：4/4A

1+
￥4.408 ￥4.64
10+
￥3.914 ￥4.12
30+
￥3.667 ￥3.86
100+
￥3.42 ￥3.6
500+
￥3.2775 ￥3.45
1000+
￥3.2015 ￥3.37

有货

立即购买

型号：UCC27511AQDBVRQ1 编号：C2653788

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.71
30+
￥3

有货

立即购买

型号：FAN7393MX-JSM 编号：C7498990

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥4.626 ￥5.14
10+
￥4.509 ￥5.01
30+
￥4.437 ￥4.93
100+
￥4.365 ￥4.85

有货

立即购买

型号：IRS21814STRPBF-JSM 编号：C7498957

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥4.689 ￥5.21
10+
￥4.572 ￥5.08
30+
￥4.5 ￥5
100+
￥4.419 ￥4.91

有货

立即购买

型号：FD6288T 编号：C97683

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.8
30+
￥3.25
100+
￥2.71
500+
￥2.38
1000+
￥2.21

订货

我要订货

型号：SLM2136CF-DG 编号：C496628

封装：SOP-28-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:400/380ns，DT:290ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥3.93
30+
￥3.42
100+
￥2.91

有货

立即购买

型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.128 ￥6.41
10+
￥4.16 ￥5.2
30+
￥3.68 ￥4.6
100+
￥3.2 ￥4
500+
￥2.912 ￥3.64
1000+
￥2.76 ￥3.45

有货

立即购买

型号：COS4420SR 编号：C5175412

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

6A，4.5V-25V，单通道，同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.07
30+
￥3.53
100+
￥2.99
500+
￥2.67
1000+
￥2.5

有货

立即购买

型号：UCC37324DR 编号：C2677319

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

数据手册