mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.13
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型号：FAN3226TMX 编号：C903497

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

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￥4.148 ￥6.1
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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NSG4429 编号：C46473159

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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￥5.453 ￥5.74
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型号：IR4427PBF-JSM 编号：C20616629

封装：DIP-8

带上下电保护、欠压保护 IR4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IR4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥5.99
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￥5.42
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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥6.2
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￥5.12
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￥4.53
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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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型号：FAN7385MX 编号：C556415

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7385 是单片 IC，设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路能使高端栅极驱动器的工作偏置电压达到 V

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￥7.52
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￥5.82
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型号：TF2117-3AS 编号：C6387924

封装：PDIP-8

高压600V,高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.08
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￥6.72
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￥5.96
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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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￥8.67
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￥7.05
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￥6.16
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￥4.71
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￥4.5

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥10.71
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￥9.77
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￥9.18
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￥8.3

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥12.38
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￥12.09
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￥11.9
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￥11.466 ￥11.7

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型号：LM5110-2MX/NOPB 编号：C962895

封装：SOIC-8

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥18.59
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￥15.91
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￥14.31
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￥11.71

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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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￥31.73
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￥26.92
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￥24.05
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￥21.16

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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￥54.08
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￥41.29
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￥37.23

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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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￥62.14
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￥52.88
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￥47.24
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￥42.52

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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)