mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：G2063 编号：C54348602

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.4985 ￥2.63
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.4725 ￥1.55
500+
￥1.349 ￥1.42
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￥1.273 ￥1.34

有货

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型号：DOS2304 编号：C52140034

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

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￥2.65
10+
￥2.1
30+
￥1.86
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￥1.56
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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￥2.65
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￥2.35
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￥2.2
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￥2.05
500+
￥1.96
1000+
￥1.92

有货

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型号：EG2124A 编号：C2856309

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.03
30+
￥1.75
100+
￥1.41
500+
￥1.34
1000+
￥1.25

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型号：SLM2186CA-DG 编号：C2759831

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.17

有货

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型号：NSG6021 编号：C41414502

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥2.87
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￥2.25
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￥1.99
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￥1.66
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￥1.51
1000+
￥1.42

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型号：SL2110 编号：C20539708

封装：SOP-16W

品牌：Slkor(萨科微)

SL2110是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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￥3.208 ￥4.01
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￥2.848 ￥3.56
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￥2.664 ￥3.33
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￥2.488 ￥3.11
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￥2.376 ￥2.97
1500+
￥2.32 ￥2.9

有货

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型号：UCC27511DBVT-JSM 编号：C7466359

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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￥3.28 ￥4.1
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￥2.68 ￥3.35
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￥2.376 ￥2.97
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￥2.072 ￥2.59
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￥1.896 ￥2.37
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￥1.8 ￥2.25

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型号：JSM2110STR 编号：C19077359

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.592 ￥4.49
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￥3.184 ￥3.98
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￥2.984 ￥3.73
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￥2.784 ￥3.48
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￥2.664 ￥3.33
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￥2.6 ￥3.25

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型号：IR2301STRPBF 编号：C413500

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥3.76
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￥3.05
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￥2.69
100+
￥2.33
500+
￥1.85
1000+
￥1.74

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92
100+
￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥4.09
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￥3.31
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￥2.92
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￥2.54
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￥2.31
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￥2.19

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型号：UCC27425DR 编号：C1848352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥4.17
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￥3.53
30+
￥3.08
100+
￥2.71
500+
￥2.59

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.221 ￥4.69
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￥3.789 ￥4.21
30+
￥3.546 ￥3.94
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￥3.285 ￥3.65
500+
￥3.159 ￥3.51
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￥3.105 ￥3.45

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型号：NSG2184 编号：C53436218

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥4.74
10+
￥3.85
30+
￥3.4
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￥2.96
500+
￥2.69
1000+
￥2.56

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.151 ￥6.06
10+
￥4.6665 ￥5.49
30+
￥4.403 ￥5.18
100+
￥4.097 ￥4.82
500+
￥3.9695 ￥4.67
1000+
￥3.91 ￥4.6

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型号：TC4420EOA713 编号：C231865

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

数据手册

1+
￥5.54
10+
￥4.41
30+
￥3.84

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型号：L6386ED013TR 编号：C2653797

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥5.6573 ￥15.29
10+
￥3.9312 ￥14.56
30+
￥2.4021 ￥14.13
100+
￥2.329 ￥13.7
500+
￥2.2933 ￥13.49
1000+
￥2.278 ￥13.4

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型号：TC4426AEOA713 编号：C148047

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥6.22
10+
￥4.97
30+
￥4.35
100+
￥3.73
500+
￥3.36

有货

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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.282 ￥6.98
10+
￥5.148 ￥5.72
30+
￥4.518 ￥5.02
100+
￥3.816 ￥4.24
500+
￥3.51 ￥3.9
1000+
￥3.366 ￥3.74

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型号：NSG21364 编号：C53436458

封装：SOP28

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥6.336 ￥7.04
10+
￥5.337 ￥5.93
30+
￥4.788 ￥5.32
100+
￥4.167 ￥4.63
500+
￥3.897 ￥4.33
1000+
￥3.771 ￥4.19

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型号：IRS21864STRPBF-JSM 编号：C7498989

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.4685 ￥7.61
10+
￥5.3125 ￥6.25
30+
￥4.675 ￥5.5
100+
￥3.961 ￥4.66
500+
￥3.6465 ￥4.29
1000+
￥3.502 ￥4.12

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.86
30+
￥5.49
100+
￥5.07
500+
￥4.88
1000+
￥4.79

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型号：SIC641ACD-T1-GE3 编号：C3654920

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥7.12
10+
￥6.38
30+
￥5.98
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￥5.52
500+
￥5.32
1000+
￥5.22

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型号：SIC620ACD-T1-GE3 编号：C467917

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术，该技术提供了行业基准性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告（THWn）以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器，并支持三态PWM、3.3 V（SiC620A）/ 5 V（SiC620）PWM逻辑。

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