mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2005STR(UMW) 编号：C20623177

封装：SOP-8

IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.3886
50+
￥1.0818
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￥0.9504
500+
￥0.7864
2500+
￥0.7133
5000+
￥0.6695

有货

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型号：EG2226 编号：C20416242

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2226是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2226高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.6/1.0A，采用SSOP16封装。

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￥1.4041
50+
￥1.2151
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￥1.1341
500+
￥1.033
2500+
￥0.988

有货

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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.418
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￥1.0904
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￥0.95
500+
￥0.7749
3000+
￥0.6969
6000+
￥0.65

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
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￥1.3026
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￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：HP3000-AA000-SP08R 编号：C22394786

封装：SOP-8L

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.5864
50+
￥1.2336
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￥1.0824
500+
￥0.8937
2500+
￥0.8097

有货

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型号：UCC27324DR(UMW) 编号：C20623189

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27324DR 是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UMW UCC27324DR 在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

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￥1.6491
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￥1.2506
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￥1.0799
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￥0.8668
2500+
￥0.772
5000+
￥0.715

有货

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型号：EG2011 编号：C48580019

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2011是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
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￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

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型号：NSG6000 编号：C41414489

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

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￥1.791605 ￥1.8859
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￥1.488745 ￥1.5671
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￥1.358975 ￥1.4305
500+
￥1.197 ￥1.26
2500+
￥1.124895 ￥1.1841
4000+
￥1.081575 ￥1.1385

有货

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型号：GBI7254NMCR 编号：C6152383

封装：DFN-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器，供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A

1+
￥1.7984
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￥1.3741
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￥1.1923
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￥0.9654
500+
￥0.8644
1000+
￥0.8038

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型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.63
30+
￥1.53
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￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.31

有货

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型号：SL2103 编号：C20539711

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.31

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型号：IR4427STRPBF-HX 编号：C50345553

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4427STRPBF-HX系列为双路低端MOSFET驱动器，效率高、可靠性强，将TTL/CMOS输入转换为接近电源或地的输出电平。提供反相、同相及混合三种配置，适用于驱动功率MOSFET、重载时钟线、同轴电缆及压电换能器等高峰值电流和快速切换场合

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￥1.90575 ￥2.1175
50+
￥1.50651 ￥1.6739
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￥1.33551 ￥1.4839
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￥1.12203 ￥1.2467
2500+
￥1.02699 ￥1.1411
5000+
￥0.96993 ￥1.0777

有货

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
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￥1.3694
500+
￥1.1269

有货

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型号：SLM2106BCA-13GTR 编号：C883214

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

5+
￥2.0442
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￥1.6057
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￥1.4178
500+
￥1.1849

有货

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

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￥2.184 ￥2.73
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￥1.936 ￥2.42
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￥1.816 ￥2.27
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￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

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型号：FD2203S 编号：C97684

封装：SO-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压（UVLO）保护功能防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

数据手册

5+
￥2.2722
50+
￥1.7139
150+
￥1.4746

有货

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型号：SLM2186CA-DG 编号：C2759831

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.17

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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。