mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥11.82
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￥10.16
30+
￥9.25
100+
￥8.23
500+
￥7.77

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型号：NSG21271 编号：C41414525

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

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￥3.6765 ￥3.87
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￥3.2585 ￥3.43
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.85 ￥3
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￥2.7265 ￥2.87
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￥2.6695 ￥2.81

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

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￥3.74
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￥3.01
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￥2.65
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￥2.29
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￥2.07
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￥1.96

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型号：TF2110M-TEH 编号：C2847595

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.91
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￥3.51
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￥3.31
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￥2.86
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￥2.74
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￥2.68

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型号：SL2110 编号：C20539708

封装：SOP-16W

品牌：Slkor(萨科微)

SL2110是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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￥3.11
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￥2.97
1500+
￥2.9

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥4.128 ￥5.16
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￥2.824 ￥3.53
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￥2.392 ￥2.99
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￥2.256 ￥2.82
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￥2.12 ￥2.65

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.218 ￥4.44
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￥3.42 ￥3.6
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.622 ￥2.76
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￥2.3845 ￥2.51
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￥2.261 ￥2.38

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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￥4.77
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￥3.81
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￥3.28
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￥2.81
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￥2.52
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￥2.37

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型号：UCC27425DR 编号：C1848352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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￥5.07
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￥4.03
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￥3.52
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￥3
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￥2.7

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型号：NSD1025E-DHMSR 编号：C5439828

封装：MSOP-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用

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￥5.59
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￥4.42
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￥3.83
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￥3.25
500+
￥2.9
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￥2.72

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型号：COS3122SR 编号：C30212522

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥5.6
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￥5.07
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￥4.78
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￥4.46
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￥4.11
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￥4.05

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型号：NCV5701ADR2G 编号：C603967

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥6.03
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￥4.89
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￥4.33
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￥3.77
500+
￥2.96
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￥2.78

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型号：UCC27517AQDBVRQ1 编号：C524784

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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￥6.23
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￥5.1
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￥4.48
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￥3.78

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

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￥6.59
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￥5.34
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￥4.71
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￥3.72
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￥3.52

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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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￥6.6564 ￥7.74
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￥6.0458 ￥7.03
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￥5.7104 ￥6.64
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￥5.332 ￥6.2
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￥5.1686 ￥6.01
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￥5.0912 ￥5.92

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型号：MAX5048BAUT 编号：C3655031

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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￥9
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￥7.47
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￥6.63
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￥5.68

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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1+
￥11.6
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￥9.91
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￥9.24
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￥8.94
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￥8.81

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型号：MP1907GQ-Z 编号：C91944

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制，且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源供电不足时会强制其输出为低电平

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￥15.1561
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￥12.8622
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￥11.7153
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￥9.6672
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￥7.5371
3000+
￥6.8817

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型号：HIP4081AIBZT 编号：C309795

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4081A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A可以驱动任何可能的开关组合。HIP4081A的开关频率可达1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。例如，HIP4081A可以驱动中压有刷电机，两个HIP4081A可用于驱动高性能步进电机，因为极短的最小“导通时间”可提供精细的微步进能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对驱动负载的快速、精确控制。

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￥17.37
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￥14.88
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￥13.32
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￥11.02
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￥10.3
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￥9.98

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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥17.52
10+
￥15.44
30+
￥14.14
100+
￥12.8

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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￥18.45
10+
￥15.47
30+
￥13.6
100+
￥11.69

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型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥21.13
10+
￥18.1
30+
￥16.3

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型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥23.21
10+
￥19.73
45+
￥17.66
90+
￥15.56

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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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1+
￥58.01
10+
￥49.59
30+
￥44.46
100+
￥40.16

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型号：2SC0435T2G1-17 编号：C1524114

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SCALE™ - 2+双驱动器内核2SC0435T2G1 - 17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI性能；无铅）/ 2SC0435T2G1C - 17（采用Lackwerke Peters公司的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本）将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器专为要求高可靠性的通用应用而设计。2SC0435T2G1(C) - 17可驱动所有常见的最高1700V的高功率IGBT模块

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