mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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￥4.06
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￥3.57
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￥3.33
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￥3.09
500+
￥2.94
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￥2.87

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

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￥4.13
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￥3.73
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￥3.52
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￥3.32
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￥2.47
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￥2.41

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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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￥4.47
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￥3.06
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￥2.6
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￥2.32
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￥2.17

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型号：NSG2181 编号：C53436217

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥4.509 ￥5.01
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￥3.708 ￥4.12
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￥3.303 ￥3.67
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￥2.907 ￥3.23
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￥2.547 ￥2.83

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型号：TF21064M-TUH 编号：C3034732

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥4.54
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￥3.79
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￥3.54
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￥3.22
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￥3.14

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型号：JSM2113STR 编号：C18195292

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有独立的高低侧传输通道 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

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￥4.84 ￥6.05
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￥3.976 ￥4.97
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￥2.968 ￥3.71
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￥2.616 ￥3.27

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型号：NSG21281 编号：C53436470

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.53
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￥4.49
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￥2.98

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.88
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￥4.7
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￥4.11
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￥3.53
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￥3.21

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型号：IRS21814STRPBF 编号：C538299

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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单价：
￥6.02 / 个

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型号：TC4428AEOA713 编号：C55181

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

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￥3.77
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￥3.19

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型号：MC33152DR2G 编号：C12160

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥6.61
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￥5.37
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￥4.76
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￥4.14
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￥3.78
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￥3.59

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型号：FAN73893MX-JSM 编号：C7498992

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥7.488 ￥9.36
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￥6.192 ￥7.74
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￥5.48 ￥6.85
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￥4.32 ￥5.4
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￥4.16 ￥5.2

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型号：LM5106MM/NOPB 编号：C544493

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥8.49
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￥7.35
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￥6.72
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￥6.01
500+
￥5.63

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型号：DRV8320HRTVR 编号：C701782

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥9.03
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￥7.68
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￥6.93
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￥5.63
500+
￥5.26

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

数据手册

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￥9.53
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￥7.99
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￥7.03
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￥6.05
500+
￥5.6

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型号：BM60016FV-CE2 编号：C308607

封装：SSOP-10-3.5mm

品牌：ROHM(罗姆)

是一款隔离电压为2500Vrms的栅极驱动器，I/O延迟时间为75ns，最小输入脉冲宽度为60ns。它集成了欠压锁定（UVLO）功能和米勒钳位功能。

数据手册

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￥9.74
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￥7.98
30+
￥7.02
100+
￥5.93
500+
￥5.44

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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

数据手册

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￥10.02
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￥8.33
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￥7.39
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￥6.34
500+
￥5.35
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￥5.14

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型号：SLMi332CG-DG 编号：C22381784

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器，具备有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件，默认去饱和阈值为6.5V；对于有后缀H的器件，默认去饱和阈值为9V

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￥10.87
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￥9.11
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￥8.14
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￥7.04
500+
￥6.56

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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

数据手册

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￥10.88
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￥9.16
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￥8.09
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￥6.99
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￥6.49
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￥6.27

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型号：LM5110-1MX/NOPB 编号：C485544

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

数据手册

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￥11.17
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￥9.46
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￥8.39
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￥7.29
500+
￥6.8

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型号：LM5114BMF/NOPB 编号：C2653799

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.35
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￥9.65
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￥8.59
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￥7.5
500+
￥7.01

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型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

1+
￥14.01
10+
￥11.38
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￥9.73
100+
￥6.7
500+
￥5.94
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￥5.6

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型号：MCP1406-E/SN 编号：C145607

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册

1+
￥16.24
10+
￥14.02
30+
￥12.64
100+
￥10.45
500+
￥9.81

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥16.48
10+
￥14.2
30+
￥12.77
100+
￥10.3
500+
￥9.64

有货

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型号：SI8233AB-D-IS1R 编号：C461838

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥21.52
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￥18.44
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￥16.61
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￥14.75
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￥13.9
1000+
￥13.51

有货

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥22.2836
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￥19.662
100+
￥18.2693

有货

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型号：SI8238AB-D-IS1R 编号：C461846

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥29.06
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￥24.78
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￥22.23
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￥19.65
500+
￥18.46
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￥17.92

有货

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

数据手册

1+
￥30.68
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￥26.45
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￥23.93
100+
￥21.39

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型号：IXDD630YI 编号：C1524124

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

数据手册

1+
￥56.8
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￥48.72
50+
￥43.8
100+
￥39.67

有货

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型号：UC3706DWTR 编号：C2871778

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70

数据手册

1+
￥76.87
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￥73.3
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