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封装：DIP-8

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：TC427COA 编号：C636866

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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型号：TC1411NCPA 编号：C640712

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1411/TC1411N 是 1A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地引脚出现高达 5V 的任意极性噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：MIC4604YM-TR 编号：C628050

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有39 ns的快速传播延迟时间和20 ns的驱动上升/下降时间（针对1 nF电容负载）。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，具有TTL输入阈值，包含一个高压内部二极管，有助于对高侧栅极驱动自举电容充电。一款强大、高速且低功耗的电平转换器可向高侧输出提供清晰的电平转换。其稳定的操作确保输出不受电源干扰、HS低于地电位的振铃或HS高速电压转换的影响。低侧和高侧驱动器均具备欠压保护功能。有8引脚SOIC封装和10引脚2.5 mm × 2.5 mm TDFN封装两种类型，两种封装的工作结温范围均为 -40°C至 +125°C。

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型号：IRS2011STRPBF 编号：C83840

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MIC4128YME-TR 编号：C628015

封装：SOIC-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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型号：DR702QAQFN32 编号：C7461659

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

DR702Q/703Q是针对汽车应用的智能单H桥驱动器，可同时驱动四个外部N沟道MOSFET以驱动双向有刷直流电机。DR702Q支持硬件配置接口，DR703Q支持SPI配置接口。两款器件均支持PH/EN、独立H-Bridge或标准PWM接口，可实现正转、反转、慢刹、滑行等多种电机控制。

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型号：TC1411NCOA 编号：C636845

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1411/TC1411N 是 1A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地引脚出现高达 5V 的任意极性噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：MIC44F19YMME 编号：C636528

封装：MSOP-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速单MOSFET驱动器能够吸收和提供6A电流，用于驱动容性负载。其延迟时间小于15ns，在1000pF负载下的上升时间为10ns，非常适合在电源应用中驱动大栅极电荷MOSFET。采用专有的BICMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点，可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25mV范围内摆动，而同类双极型器件只能在电源的1V范围内摆动。输入电源电压范围为4.5V至12.6V，适用于广泛的功率应用中驱动MOSFET

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型号：2EDB9259YXUMA1 编号：C17432716

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：MCP14A0151T-E/MAY 编号：C625308

封装：DFN-6(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：DR703QAQFN32 编号：C19078483

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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型号：EL7202CSZ-T13 编号：C2677175

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL7202、EL7212、EL7222 集成电路是匹配的双驱动器，可改善行业标准 DS0026 时钟驱动器的性能。安伦（Elantec）版本是高速驱动器，能够向高容性负载提供 2.0 安培的峰值电流。

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型号：MIC4600YML-TR 编号：C621918

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4600是一款28V半桥MOSFET驱动器，适用于机顶盒、网关、路由器、计算机外设、电信和网络设备等对成本敏感且需要高性能的应用。MIC4600的电源电压范围为4.5V至28V。它内置线性稳压器，可提供稳定的5V电压为MOSFET栅极驱动器供电，开关频率最高可达1.5 MHz

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型号：NCP81074ADR2G 编号：C603800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。

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型号：NCV57084DR2G 编号：C5206728

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具备2.5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。

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型号：MIC4428YN 编号：C641336

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：MAX15024AATB+T 编号：C2677090

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单/双通道、16ns、高吸入/源出电流栅极驱动器、4A、20ns、双MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装

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型号：MCP14A0155T-E/SN 编号：C622959

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速双MOSFET驱动器，能够在4.5V至18V的单电源下运行，提供高达1.5A的峰值电流。有三种输出配置：双反相、双同相和互补。具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟，适用于高开关频率应用。提供增强的使能功能控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，使相应输出为低电平，无论输入引脚状态如何。集成上拉电阻允许用户让使能引脚浮空以进行标准操作。在其功率和电压额定值内的任何条件下都具有高抗闩锁能力。可以承受高达500 mA的反向电流，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达2 kV (HBM) 和200 V (MM) 的静电放电 (ESD) 保护。

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型号：MCP1406-E/P 编号：C512178

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一系列缓冲器/MOSFET驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力为6A，具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间。可在20 ns内轻松对2500 pF的栅极电容进行充电和放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保MOSFET的预期状态不受大瞬变影响。输入可直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有高抗闩锁能力，接地引脚出现高达5V的任一种极性的噪声尖峰时不会损坏

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型号：IXDD604PI 编号：C93509

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

适用于驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收4A的电流，同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入几乎不受闩锁影响，专有电路消除了交叉导通和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

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型号：BM60212FV-CE2 编号：C2676960

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

是一款高低边驱动 IC，工作电压高达 1200V，具有自举功能，可驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT。内置欠压锁定 (UVLO) 功能和米勒箝位功能

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型号：MIC4126YME 编号：C637524

封装：SOIC-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4126、MIC4127 和 MIC4128 系列是采用微芯科技（Microchip）的 BiCMOS/DMOS 工艺制造的高可靠性双路 1.5A 低端 MOSFET 驱动器。这些器件具有低功耗和高效率的特点。MIC4126/27/28 可将 TTL 或 CMOS 输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的 25mV 范围内摆动，而同类双极型器件仅能在电源的 1V 范围内摆动

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￥5.8224 ￥12.13

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型号：ISL89163FRTAZ-T 编号：C2677283

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL89163、ISL89164和ISL89165是高速、6A双通道MOSFET驱动器，具备使能输入功能。所有逻辑输入均设有精确阈值，允许使用外部RC电路在主通道输入INA和INB以及使能输入ENA和ENB上产生精确且稳定的时间延迟。这些精确逻辑阈值所具备的精确延迟特性，使这些器件在死区时间控制和同步整流器应用中极具价值

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：LM25101CMAX/NOPB 编号：C2869022

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：TC4420COA713 编号：C624913

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：MIC4425YN 编号：C641332

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428又是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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