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30安培低侧超快速MOSFET驱动器
型号：IXDN630YI 编号：C461326
封装：TO-263-5
品牌：Littelfuse/IXYS
IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

  • 1+

    ￥65.32

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    ￥51.96

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    ￥47.21
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    快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7004HMSE#PBF 编号：C690107
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥53.47

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      ￥49.896 ￥50.4
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    高速、高电压、高端栅极驱动器
    型号：LTC4440AHMS8E-5#PBF 编号：C688540
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥53.67

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      ￥46.44

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    功率输出级自动偏置系统
    型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912
    封装：PDIP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。
    数据手册

    • 1+

      ￥70.27

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      ￥60.14

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      ￥46.341 ￥48.78
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    具有集成驱动器和保护功能的600V GaN功率级
    型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280
    封装：VQFN-32-EP(8x8)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
    数据手册

    • 1+

      ￥91.09

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      ￥82.58

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      ￥79.49
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    MGD3162AM551EKT
    型号：MGD3162AM551EKT 编号：C22420019
    封装：SOIC-32
    品牌：NXP(恩智浦)
    该产品是一款先进的单通道栅极驱动器，专为驱动xEV牵引逆变器的最新SiC和IGBT模块而设计。它具备集成的电流隔离、通过SPI的可编程接口以及先进的可编程保护功能，如过温、去饱和和电流感应保护。具有集成升压能力，可直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块栅极，并能调节栅极驱动能力，以改善功率器件的开关性能并降低电压应力。可通过SPI命令或GS Enable引脚控制栅极强度，GS_ENH逻辑控制导通驱动强度，GS_ENL控制关断驱动强度
    数据手册

    • 1+

      ￥100.57

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      ￥95.56

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      ￥78.4971 ￥79.29
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    单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：G2026 编号：C46473161
    封装：SOIC-8
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    G2026是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

    • 5+

      ￥0.665665 ￥0.7007

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      ￥0.51889 ￥0.5462

    • 150+

      ￥0.445455 ￥0.4689

    • 500+

      ￥0.390355 ￥0.4109

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      ￥0.34637 ￥0.3646

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      ￥0.32433 ￥0.3414
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    单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：NSG3021 编号：C41414486
    封装：SOP-8
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    300V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

    • 5+

      ￥0.675925 ￥0.7115

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      ￥0.53428 ￥0.5624

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      ￥0.463505 ￥0.4879

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      ￥0.4104 ￥0.432

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      ￥0.346655 ￥0.3649
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    2A单通道低侧栅极驱动芯片
    型号：NSG1415 编号：C41414509
    封装：SOT-23-5
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

    • 5+

      ￥0.72694 ￥0.7652

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      ￥0.71003 ￥0.7474

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      ￥0.69863 ￥0.7354

    • 500+

      ￥0.687325 ￥0.7235
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    单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：NSG2008 编号：C7421056
    封装：SOIC-8
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

    • 5+

      ￥0.815575 ￥0.8585

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      ￥0.712215 ￥0.7497

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      ￥0.667945 ￥0.7031

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      ￥0.61275 ￥0.645

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      ￥0.588145 ￥0.6191

    • 4000+

      ￥0.573325 ￥0.6035
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    高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片
    型号：XJNG2103 编号：C43244363
    封装：SOP-8
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装，可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。

    • 5+

      ￥0.81833 ￥0.8614

    • 50+

      ￥0.65056 ￥0.6848

    • 150+

      ￥0.56658 ￥0.5964

    • 500+

      ￥0.50369 ￥0.5302

    • 2500+

      ￥0.45334 ￥0.4772

    • 4000+

      ￥0.428165 ￥0.4507
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    双路1.5A峰值低侧MOSFET驱动器
    型号：IRS4428STRPBF-HX 编号：C50345555
    封装：SOP-8
    品牌：ZHHXDZ(海芯电子)
    IR4428STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

    • 5+

      ￥1.02321 ￥1.1369

    • 50+

      ￥1.00035 ￥1.1115

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      ￥0.98514 ￥1.0946

    • 500+

      ￥0.96993 ￥1.0777
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    MOS管驱动芯片
    型号：EG2003 编号：C2987443
    封装：SOP-8
    品牌：EG(屹晶微)
    EG2003是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2003高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I O +/-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1873

    • 10+

      ￥1.0361

    • 30+

      ￥0.9713

    • 100+

      ￥0.8904

    • 500+

      ￥0.8544

    • 1000+

      ￥0.8328
  • 有货
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    GHD3125R
    型号：GHD3125R 编号：C53153132
    封装：SOP-16
    品牌：Geehy(极海半导体)
    40V耐压，集成3.3VLDO，三相3P+3N栅极驱动器

    • 5+

      ￥1.1881

    • 50+

      ￥0.9411

    • 150+

      ￥0.8353

    • 500+

      ￥0.7032

    • 3000+

      ￥0.6444
  • 有货
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    GHD1620T
    型号：GHD1620T 编号：C53153131
    封装：SOP-8
    品牌：Geehy(极海半导体)
    600耐压 ，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

    • 5+

      ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523

    • 500+

      ￥0.7175

    • 3000+

      ￥0.6575
  • 有货
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    200V半桥驱动器
    型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672
    封装：SOP-8
    品牌：Sillumin(数明半导体)

    • 5+

      ￥1.2805

    • 50+

      ￥1.0033

    • 150+

      ￥0.8845

    • 500+

      ￥0.7363

    • 2500+

      ￥0.6703
  • 有货
    • 立即购买
    UCC37325DR-HX
    型号：UCC37325DR-HX 编号：C18212734
    封装：SOIC-8
    品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

    • 1+

      ￥1.287 ￥1.43

    • 10+

      ￥1.251 ￥1.39

    • 30+

      ￥1.233 ￥1.37

    • 100+

      ￥1.215 ￥1.35
  • 有货
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    2A单通道低侧栅极驱动芯片
    型号：NSG1416 编号：C41414510
    封装：SOT-23-5
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

    • 5+

      ￥1.322685 ￥1.3923

    • 50+

      ￥1.026285 ￥1.0803

    • 150+

      ￥0.89927 ￥0.9466

    • 500+

      ￥0.74081 ￥0.7798

    • 3000+

      ￥0.670225 ￥0.7055

    • 6000+

      ￥0.62795 ￥0.661
  • 有货
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    双通道、高速、低端栅极驱动器
    型号：SLM27523CA-DG 编号：C22381786
    封装：SOP-8
    品牌：Sillumin(数明半导体)
    SLM2752x 系列器件是双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用了一种从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 18 ns。在 12V VDD 电源供电时，SLM2752x 可提供 4.5A 的源极峰值驱动电流和 5.5A 的漏极峰值驱动电流

    • 5+

      ￥1.408

    • 50+

      ￥1.1056

    • 150+

      ￥0.976
  • 有货
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    栅极驱动IC
    型号：SDH2105U 编号：C17701711
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

    • 1+

      ￥1.665 ￥1.85

    • 10+

      ￥1.629 ￥1.81

    • 30+

      ￥1.602 ￥1.78

    • 100+

      ￥1.575 ￥1.75
  • 有货
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    2A单通道低侧同相栅极驱动芯片
    型号：IRS44273LTRPBF 编号：C5804636
    封装：SOT-23-5
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

    • 5+

      ￥1.70752 ￥2.1344

    • 50+

      ￥1.34464 ￥1.6808

    • 150+

      ￥1.18912 ￥1.4864

    • 500+

      ￥0.94472 ￥1.1809

    • 3000+

      ￥0.85832 ￥1.0729

    • 6000+

      ￥0.8064 ￥1.008
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    MOS管驱动芯片
    型号：EG2108 编号：C480656
    封装：SOIC-8
    品牌：EG(屹晶微)
    EG2108是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2108高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7216

    • 50+

      ￥1.3297

    • 150+

      ￥1.1617

    • 500+

      ￥0.9522
  • 有货
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    HP3000 双通道低压驱动 IC
    型号：HP3000-AD000-HD08R 编号：C22394787
    封装：DFN-8L(2x2)
    品牌：Hynetek(慧能泰)
    HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。 通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

    • 5+

      ￥1.8012

    • 50+

      ￥1.4232

    • 150+

      ￥1.2612

    • 500+

      ￥1.0591
  • 有货
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    700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片
    型号：M81747JFP-JSM 编号：C44606230
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    M81747JFP是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。M81747JFP采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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    集成自举电路的单相高端和低端功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：HX2005-S 编号：C19186047
    封装：SOP-8
    品牌：ZHHXDZ(海芯电子)
    HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术，使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容

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    单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：NSG2101 编号：C7421061
    封装：SOIC-8
    品牌：WXNSIC(国硅集成)
    700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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    高压半桥MOS管驱动芯片
    型号：EG2106D 编号：C2904138
    封装：SOP-8
    品牌：EG(屹晶微)
    EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。
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    单相高端和低端功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：HX2007-S 编号：C19186048
    封装：SOP-8
    品牌：ZHHXDZ(海芯电子)
    HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术，可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。

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    双路 1.5A 峰值低端 MOSFET 驱动器
    型号：HX4426-S 编号：C19186052
    封装：SOP-8
    品牌：ZHHXDZ(海芯电子)
    HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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    带过流保护功能半桥驱动芯片
    型号：EG2107 编号：C2929088
    封装：SOP-8
    品牌：EG(屹晶微)
    带过流保护功能半桥驱动芯片
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