MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC37322DR 编号：C2677181

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有分离输出、25ns 传播延迟和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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￥5.42
10+
￥5.29
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￥5.2
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￥5.11

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型号：TC426EPA 编号：C640729

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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￥5.526 ￥18.42
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￥3.142 ￥15.71
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型号：EG2113D 编号：C480657

封装：SOP-16-W

品牌：EG(屹晶微)

EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2A，采用SOP16和SOW16封装。

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￥5.61
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型号：ADP3654ARDZ 编号：C1019475

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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￥5.8604 ￥5.98
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￥5.0176 ￥5.12

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型号：NSG21364 编号：C41414506

封装：SOP-28

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

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￥5.9755 ￥6.29
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￥4.94 ￥5.2
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￥4.37 ￥4.6
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￥3.7335 ￥3.93
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型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.001 ￥7.06
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￥4.93 ￥5.8
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￥4.3435 ￥5.11
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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.04 ￥7.55
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￥4.48 ￥5.6
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￥3.576 ￥4.47
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型号：FAN7390MX-JSM 编号：C7498959

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥6.232 ￥6.56
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￥5.1395 ￥5.41
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￥4.541 ￥4.78
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￥3.515 ￥3.7

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型号：LM5109BSDX/NOPB 编号：C910385

封装：WSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.3
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￥5.03
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型号：TF21064M-TUH 编号：C3034732

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.32
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型号：1ED44176N01FXUMA1 编号：C1848808

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED44176N01F是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

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￥6.426 ￥9.18
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￥5.362 ￥7.66
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￥3.696 ￥5.28

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型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电

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￥6.66
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型号：NCP81071BMNTXG 编号：C603797

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器，能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流，有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。

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￥6.8588 ￥13.19
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￥5.85 ￥11.25
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型号：UCC27325DR 编号：C2868353

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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型号：UCC57142ADBVR 编号：C49659956

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

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￥6.92
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型号：TC4427ACOA 编号：C636886

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥5.15

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型号：UCC37324DGNR 编号：C2677146

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：IX4427N 编号：C1549438

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收1.5A的峰值电流，上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与TTL和CMOS兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间使其适用于高频和高功率应用。

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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型号：TC4428ACOA713 编号：C624948

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥8.31
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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥6.95
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￥6.12
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型号：DGD2003S8-13 编号：C460686

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥8.6497 ￥12.91
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￥6.2814 ￥11.02
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￥4.0514 ￥8.62
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￥3.7929 ￥8.07
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￥3.6848 ￥7.84

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型号：MIC4428YM-TR 编号：C628041

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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￥8.93
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￥7.42
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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥9.17
10+
￥7.57
30+
￥6.68

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型号：MIC4427ZM 编号：C637541

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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￥9.25
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￥9.02
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￥8.86

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型号：LM5112MY/NOPB 编号：C115281

封装：MSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器

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￥9.54
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￥8.04
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￥7.1

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型号：TC4426COA713 编号：C2676953

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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1+
￥9.69
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￥9.47
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￥9.32

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型号：TC1428CPA 编号：C640727

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

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￥9.7104 ￥17.34
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￥6.808 ￥14.8
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￥4.7556 ￥13.21
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￥4.1688 ￥11.58
480+
￥3.9024 ￥10.84
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￥3.7872 ￥10.52

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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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