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LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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￥33.04
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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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型号：LT1910IS8#TRPBF 编号：C579924

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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￥51.1012 ￥59.42
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￥36.378 ￥42.3

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型号：DRV8350SRTVT 编号：C2864513

封装：WQFN-32-EP(5x5)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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￥65.223 ￥72.47
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￥45.882 ￥50.98

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型号：UC1708J 编号：C5218819

封装：CDIP-8

采用高速、高压肖特基工艺制造，用于连接控制功能和高功率开关设备，特别是功率MOSFET。工作电源范围为5V至35V，包含两个独立通道。A和B输入与TTL和CMOS逻辑系列兼容，可承受高达VIN的输入电压。只要不超过功耗限制，每个输出可提供或吸收高达3A的电流

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型号：G2020 编号：C7421049

封装：SOIC-8

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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型号：G2025 编号：C53436225

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

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型号：NSG6003 编号：C46473168

封装：SOP-8

NSG6003是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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￥1.0176
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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

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￥1.0311
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型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

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￥1.0311
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型号：EG3034 编号：C53368405

封装：ESOP-16

品牌：EG(屹晶微)

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￥1.0911
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￥0.8643
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型号：GHD3125R 编号：C53153132

封装：SOP-16

品牌：Geehy(极海半导体)

40V耐压，集成3.3VLDO，三相3P+3N栅极驱动器

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￥1.1881
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￥0.9411
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型号：HXFD6288QFN24 编号：C54423134

封装：QFN-24(4x4)

HXFD6288QFN24 是一款高压高速双通道 MOSFET 栅极驱动芯片，集成高低侧驱动，兼容 3.3V 逻辑，输出电流 1.6A/2.4A。内置防直通保护及可编程死区，高侧浮地耐压 250V，采用 QFN-24 封装，工作结温 -40~125°C，适用于工业及汽车电子

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￥1.279
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型号：DO1416 编号：C52140033

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

DO1416器件是能够提供2A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制（3V到18V）。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色，使它非常适合高开关频率应用。

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￥1.3234
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￥1.0462
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型号：SiLM27624LNCA-DG 编号：C52975859

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

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￥1.4437
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型号：NSG1416 编号：C41414510

封装：SOT-23-5

NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.4525
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型号：NSG3100C 编号：C41414514

封装：SOT-23-5

NSG3100C 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N 沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围内，从而提供欠压锁定功能。

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￥1.4574
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￥1.0102
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￥0.8429

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥1.51587 ￥1.6843
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￥1.19835 ￥1.3315
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￥1.06227 ￥1.1803
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￥0.89253 ￥0.9917
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￥0.81693 ￥0.9077
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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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￥1.5262
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型号：G2061Q 编号：C53436213

封装：QFN-24(4x4)

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥1.53 ￥1.7
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型号：IRS44273LTRPBF 编号：C5804636

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道低侧同相栅极驱动芯片含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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￥1.73992 ￥2.1749
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￥1.37704 ￥1.7213
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￥0.8388 ￥1.0485

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型号：HX2005-S 编号：C19186047

封装：SOP-8

HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术，使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容

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￥1.8585 ￥2.065
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￥1.45935 ￥1.6215
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￥1.28826 ￥1.4314
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￥1.07478 ￥1.1942
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￥0.97974 ￥1.0886
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￥0.92268 ￥1.0252

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型号：IRS4428STRPBF-HX 编号：C50345555

封装：SOP-8

IR4428STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

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￥1.90575 ￥2.1175
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￥1.50651 ￥1.6739
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￥1.33551 ￥1.4839
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￥1.12203 ￥1.2467
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￥1.02699 ￥1.1411
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￥0.96993 ￥1.0777

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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

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￥1.91
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￥1.465
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￥1.2742

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型号：HX2007-S 编号：C19186048

封装：SOP-8

HX2007-S是高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。该芯片具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容技术，可实现高低侧栅极驱动电路的单芯片集成。

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.20915 ￥1.3435
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￥1.10223 ￥1.2247
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￥1.03806 ￥1.1534

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型号：IR4426STRPBF-HX 编号：C50345554

封装：SOP8

IR4426STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

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￥2.1175
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￥1.6739
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￥1.4839
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￥1.2467

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型号：HX293D-P 编号：C49339803

封装：DIP-16