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DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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型号：LM5060Q1MMX/NOPB 编号：C206490

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：1ED3142MU12FXUMA1 编号：C17633388

封装：DSO-8

1ED314xMU12F栅极驱动IC是采用DSO - 8 150 mil封装的、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们可提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围很宽，为3 V至6.5 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：LM5114BMFX/NOPB 编号：C2677165

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：TF2110-3BS 编号：C2683771

封装：DIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：MIC4425YM 编号：C144188

封装：SOIC-8

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚兼容。与前代产品相比，MIC4423/4424/4425驱动器能够在更苛刻的电气环境中可靠工作。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会出现闩锁现象。其接地引脚能够承受高达5V的任一种极性的噪声尖峰。它们能够承受高达半安培的任一种极性的反向电流倒灌至输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。MIC4423/4424/4425系列驱动器比目前市场上其他CMOS或双极型驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并能实现轨到轨电压摆幅。MIC4423/4424/4425驱动器主要用于驱动功率MOSFET，也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载（电容性、电阻性或电感性）。例如重载时钟线、同轴电缆或压电换能器等。已知的唯一负载限制是驱动器的总功耗必须保持在封装的最大功耗限制范围内。

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型号：TC4426CPA 编号：C640779

封装：PDIP-8

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型号：FAN73896MX-JSM 编号：C17701727

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：DGD2304S8-13 编号：C460710

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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型号：2EDF9275FXUMA1 编号：C1870161

封装：SOIC-16

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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型号：DRV2605LTDGSRQ1 编号：C2150588

封装：VSSOP-10-0.5mm

DRV2605L-Q1 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的汽车类 ERM/LRA 触觉驱动器

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型号：DR704QAQFN32 编号：C19078484

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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型号：MCP1407-E/P 编号：C185573

封装：PDIP-8

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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型号：BM6104FV-CE2 编号：C507464

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

BM6104FV-C是一款栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，集成了故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）功能和短路电流保护（SCP、DESAT）功能。

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型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：TC4429EOA 编号：C111890

封装：SOIC-8

6A高速MOSFET反相驱动器-40°C至+85°CSOIC150mil8引脚

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型号：UCC27211DRMR 编号：C544677

封装：VSON-8-EP(4x4)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：TC4426AEPA 编号：C640776

封装：PDIP-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：TC1413NEOA 编号：C145742

封装：SOIC-8

TC1413/TC1413N 是 3A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现最高 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：1EDI60H12AH 编号：C533024

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：MP6519GQ-Z 编号：C2762181

封装：QFN-19(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：IRSM005-301MH 编号：C538363

封装：PQFN-27

IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件，集成了栅极驱动器，采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块，适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器

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型号：1EDC60H12AH 编号：C530945

封装：DSO-8

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：SI8261BCD-C-ISR 编号：C2836039

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用的光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替代升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了芯科实验室（Silicon Laboratories）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准，可承受高达 5.0 kV_RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准，具备 10 kV 的浪涌保护能力

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￥13.1124 ￥13.38

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型号：DRV8714SQRHARQ1 编号：C3019560

封装：QFN-40-EP(6x6)