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LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：DRV8350SRTVR 编号：C2861195

封装：WQFN-32-EP(5x5)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224

封装：VQFN-48-EP(7x7)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：L974113TR 编号：C503086

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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型号：IXDN630YI 编号：C461326

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：UC3706DW 编号：C1549459

封装：SOIC-16-300mil

具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70

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型号：LMG3422R030RQZT 编号：C3655275

封装：VQFN-54(12x12)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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型号：NSG3020 编号：C53436443

封装：SOP-14

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型号：JSM2103STR 编号：C44606221

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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型号：G2022 编号：C53436224

封装：SOP-8

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型号：G2020 编号：C53436210

封装：SOP-8

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型号：NSG1416 编号：C53436462

封装：SOT-23-5

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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：NSG2007 编号：C53436215

封装：SOP-8

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￥1.19061 ￥1.3229
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型号：U3117SD 编号：C52953430

封装：SOP-10

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￥1.2123
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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

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￥1.4241
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￥1.2351
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型号：NSG4437 编号：C53436466

封装：SOP-8

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￥1.42866 ￥1.5874
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型号：NSG4426 编号：C53436465

封装：SOP-8

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￥1.42866 ￥1.5874
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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.1205
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型号：TC4424AVOA713-JSM 编号：C7498963

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

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￥1.592 ￥1.99
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￥1.12 ￥1.4

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型号：EG27517 编号：C2987449

封装：SOT-23-5

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。

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￥1.3333
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￥1.1653
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型号：EG2005 编号：C48580020

封装：SOP-8