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封装：SOT-23-5

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

数据手册

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￥4.35
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￥3.54
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￥3.13
100+
￥2.73
500+
￥2.49

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型号：MX27517 编号：C19078226

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，耐压20V，SOT23-6

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￥0.9439
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￥0.7423
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￥0.6559
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￥0.5481
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￥0.4529

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.0685
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￥1.0426
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￥1.0253
500+
￥1.008

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型号：SLM2005ECA-DG 编号：C5298378

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

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￥1.1096
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￥0.8601
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￥0.7532
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￥0.6198
2500+
￥0.6148

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型号：NSG44273 编号：C7421044

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、单输入（IN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥1.436495 ￥1.5121
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￥1.18864 ￥1.2512
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￥1.082525 ￥1.1395
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￥0.95 ￥1
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￥0.891005 ￥0.9379
6000+
￥0.85557 ￥0.9006

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型号：NSG27517 编号：C7421046

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

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￥1.60512 ￥1.6896
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￥1.262835 ￥1.3293
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￥1.116155 ￥1.1749
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￥0.93309 ￥0.9822
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￥0.851675 ￥0.8965
6000+
￥0.80275 ￥0.845

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型号：EG2005 编号：C48580020

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2005是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
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￥1.02
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￥0.9336

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型号：EG12522 编号：C48580024

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源场合。

5+
￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

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型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.0125
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￥1.5226
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￥1.3126
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￥1.0507

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型号：APR346K6TR-G1 编号：C2650178

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器，支持连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗，并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压，APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号

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￥2.208 ￥2.3
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￥1.7458 ￥2.03
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￥1.4516 ￥1.91
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￥1.3376 ￥1.76
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￥1.292 ￥1.7
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￥1.2616 ￥1.66

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型号：SL27511A 编号：C46061828

封装：SOT-23-6L

品牌：Slkor(萨科微)

是一款4A峰值源电流和8A峰值灌电流驱动的单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET、IGBT和新兴的WBG功率开关。低传播延迟和紧凑的SOT23封装可实现数百kHz的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽VDD工作范围为4.5V至20V，可有效驱动MOSFET或GaN功率开关。集成的欠压锁定（UVLO）保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V至24V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下稳定运行。输入阈值与TTL输入兼容。

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￥2.2859
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￥1.8071
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￥1.6019
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￥1.3459
3000+
￥1.2319
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￥1.1634

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型号：UCC27519DBVT-JSM 编号：C7466356

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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￥2.3
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￥2.03
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￥1.9
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￥1.76
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￥1.68
1000+
￥1.64

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型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

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￥2.3173
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￥1.8199
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￥1.6067
500+
￥1.2617

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型号：MIC4426YM-HX 编号：C53284322

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4426/4427/4428YM-HX系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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￥2.3821
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￥1.8832
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￥1.6693
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￥1.4025
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￥1.2837

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型号：MIC4428YM-HX 编号：C53284320

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4428YM-HX双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

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￥2.3821
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￥1.6693
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￥1.4025
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￥1.2837

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型号：DOS2304 编号：C52140034

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

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￥2.65
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￥2.1
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￥1.86
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￥1.56
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￥1.43
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￥1.35

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型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

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￥2.6928 ￥3.06
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￥2.1208 ￥2.41
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￥1.8744 ￥2.13
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￥1.5664 ￥1.78
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￥1.4256 ￥1.62
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￥1.3464 ￥1.53

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型号：UCC27511DBVT-JSM 编号：C7466359

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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￥3.008 ￥3.76
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￥2.408 ￥3.01
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￥2.104 ￥2.63
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￥1.8 ￥2.25
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￥1.624 ￥2.03
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￥1.528 ￥1.91

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型号：ZXGD3003E6TA 编号：C90743

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

特性：高速、非反相单栅极驱动器，用于开关MOSFET或IGBT。可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流，以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。确保MOSFET快速开关，以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。通常只需来自控制器的10mA输入，即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用：功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源（SMPS）。 -DC-DC转换器

数据手册

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￥3.16
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￥2.45
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￥2.15
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￥1.77
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.23
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￥2.58
30+
￥2.25
100+
￥1.93

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型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥3.4105 ￥3.59
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￥2.7455 ￥2.89
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￥2.413 ￥2.54
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.7955 ￥1.89

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型号：U3315 编号：C400134

封装：TSSOP-20

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3315/6是一款高速三相栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT器件，具备三个独立的高端和低端参考输出通道。内置的死区时间保护和直通保护功能可防止半桥损坏。欠压锁定（UVLO）电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止器件出现故障

数据手册

1+
￥3.45
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￥2.74
30+
￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.72

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型号：TF2113M-TEH 编号：C2683761

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.63
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￥3.23
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￥3.03
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￥2.84
500+
￥2.72

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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￥4.09
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￥3.31
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￥2.92
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￥2.54
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￥2.31
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￥2.19

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥4.24
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￥3.27
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￥2.78
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￥2.3
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￥2.01
1000+
￥1.86

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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￥4.28
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￥3.41
30+
￥2.98
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￥2.55

有货

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型号：BD9876AEFJ-BZE2 编号：C2979148

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

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￥4.4
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￥3.59
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￥3.18
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￥2.78
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￥2.14
1000+
￥2.02

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥5.6028 ￥6.44
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￥5.481 ￥6.3
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￥5.394 ￥6.2
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￥5.307 ￥6.1

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型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

1+
￥5.814 ￥6.12
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￥4.6835 ￥4.93
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￥4.1135 ￥4.33
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.2205 ￥3.39
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￥3.0495 ￥3.21

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型号：SIC654CD-T1-GE3 编号：C1852094

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

数据手册

1+
￥6.06
10+
￥4.98
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￥4.39
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￥3.6456 ￥3.72
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￥3.3516 ￥3.42
1000+
￥3.2242 ￥3.29

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