MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27511DBVR 编号：C191027

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

数据手册

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￥3.72
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￥3.03
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￥2.37
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￥2.1

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型号：LM5109BMAX/NOPB 编号：C116862

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥2.01434
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￥1.94488

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型号：PM8851D 编号：C2971234

封装：SOT-23-6

品牌：ST(意法半导体)

1A低侧栅极驱动器，具有可配置非对称漏/源

数据手册

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￥2.8944 ￥4.32
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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

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￥2.91
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型号：HX33152-S 编号：C41399166

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX33152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥2.988 ￥3.32
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型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

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型号：NSG21531D 编号：C53436477

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥3.51 ￥3.9
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型号：JSM2110STR 编号：C19077359

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.592 ￥4.49
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型号：TF2110M-TEH 编号：C2847595

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

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型号：TF2136M-TLH 编号：C2683765

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

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型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

数据手册

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型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

数据手册

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￥4.53
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型号：NSG21834 编号：C53436452

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.013 ￥5.57
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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥5.1255 ￥6.03
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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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￥5.18
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型号：IRS2110STRPBF-JSM 编号：C5804622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.384 ￥6.73
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型号：FAN3111CSX 编号：C719780

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V

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￥5.66
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￥2.72

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型号：COS4421SR 编号：C5175410

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO及过温保护功能

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￥5.76
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￥5.22
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￥4.16

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型号：IR4427PBF-JSM 编号：C20616629

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 IR4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IR4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥5.8425 ￥6.15
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￥4.8165 ￥5.07
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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.705 ￥3.9
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￥3.42 ￥3.6
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￥3.2965 ￥3.47

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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥5.99
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￥5.42
30+
￥5.11
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￥4.57
500+
￥4.41

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型号：IX4428NTR 编号：C171846

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

数据手册

1+
￥6.35
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￥5.27
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￥4.68
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￥4.01
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￥3.42

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型号：NSG2136 编号：C53436457

封装：SOP-28

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥6.516 ￥7.24
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￥5.355 ￥5.95
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￥4.194 ￥4.66
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￥3.672 ￥4.08

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型号：TC4427COA713 编号：C144205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥7.28
10+
￥6.15
30+
￥5.59
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￥5.03
500+
￥4.69
1000+
￥4.52

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型号：FAN7385MX 编号：C556415

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7385 是单片 IC，设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路能使高端栅极驱动器的工作偏置电压达到 V

数据手册

1+
￥7.52
10+
￥6.77
30+
￥6.3
100+
￥5.82
500+
￥5.6
1000+
￥5.5

有货

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型号：FAN7384MX 编号：C890851

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥7.91
10+
￥7.12
30+
￥6.63
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￥6.13
500+
￥5.9
1000+
￥5.8

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

1+
￥9.34
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￥7.66
30+
￥6.74
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￥5.7
500+
￥5.24
1000+
￥5.03

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥9.64
10+
￥8
30+
￥7.09
100+
￥5.51
500+
￥5.05
1000+
￥4.85

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

9A高速MOSFET驱动器

1+
￥11.06
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￥9.41
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￥8.37
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￥7.31
500+
￥6.83

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