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首页 > 热门关键词 > MOS驱动
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UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥3.72
  • 10+

    ¥3.03
  • 30+

    ¥2.74
  • 100+

    ¥2.37
  • 500+

    ¥2.1
  • 有货
    • 5+

      ¥1.05831 ¥1.1759
    • 50+

      ¥0.8496 ¥0.944
    • 150+

      ¥0.76023 ¥0.8447
    • 500+

      ¥0.64863 ¥0.7207
    • 2500+

      ¥0.59895 ¥0.6655
    • 4000+

      ¥0.56916 ¥0.6324
  • 有货
  • 2A 双通道 超高速功率开关驱动器
    • 5+

      ¥1.127
    • 50+

      ¥0.9842
    • 150+

      ¥0.923
    • 500+

      ¥0.8466
    • 2500+

      ¥0.8126
    • 4000+

      ¥0.7922
  • 有货
  • 应用于交换式电源,开关变换器,通用栅驱动器
    • 5+

      ¥1.14896 ¥1.4362
    • 50+

      ¥0.90216 ¥1.1277
    • 150+

      ¥0.7964 ¥0.9955
    • 500+

      ¥0.66448 ¥0.8306
    • 3000+

      ¥0.60568 ¥0.7571
    • 6000+

      ¥0.57048 ¥0.7131
  • 有货
    • 5+

      ¥1.206956 ¥1.5881
    • 50+

      ¥0.95418 ¥1.2555
    • 150+

      ¥0.845804 ¥1.1129
    • 500+

      ¥0.7106 ¥0.935
    • 3000+

      ¥0.650408 ¥0.8558
    • 6000+

      ¥0.614308 ¥0.8083
  • 有货
  • 单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.296845 ¥1.5257
    • 50+

      ¥1.138235 ¥1.3391
    • 150+

      ¥1.070235 ¥1.2591
    • 500+

      ¥0.985405 ¥1.1593
    • 2500+

      ¥0.947665 ¥1.1149
    • 4000+

      ¥0.925055 ¥1.0883
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
    • 5+

      ¥1.328 ¥1.66
    • 50+

      ¥1.16 ¥1.45
    • 150+

      ¥1.088 ¥1.36
    • 500+

      ¥1 ¥1.25
    • 3000+

      ¥0.96 ¥1.2
    • 6000+

      ¥0.936 ¥1.17
  • 有货
  • EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.364
    • 50+

      ¥1.0701
    • 150+

      ¥0.9441
    • 500+

      ¥0.7869
    • 2500+

      ¥0.6468
  • 有货
  • 集成自举二极管,电机驱动,专业高速吹风筒驱动
    • 1+

      ¥1.411 ¥1.66
    • 10+

      ¥1.2325 ¥1.45
    • 30+

      ¥1.156 ¥1.36
    • 100+

      ¥1.0625 ¥1.25
    • 500+

      ¥1.02 ¥1.2
    • 1000+

      ¥0.9945 ¥1.17
  • 有货
  • 栅极驱动IC 负载类型:MOSFET ,工作范围:4.5V~25V,输出峰值电流:2A,最大输入负压可达 -5V,宽温度范围:-40℃~ 125℃,锁存保护:可承受 0.5A 反向电流,传播延时:40ns
    • 1+

      ¥1.456 ¥1.82
    • 10+

      ¥1.272 ¥1.59
    • 30+

      ¥1.192 ¥1.49
    • 100+

      ¥1.096 ¥1.37
    • 500+

      ¥1.048 ¥1.31
    • 1000+

      ¥1.024 ¥1.28
  • 有货
  • SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.488 ¥1.86
    • 10+

      ¥1.304 ¥1.63
    • 30+

      ¥1.224 ¥1.53
    • 100+

      ¥1.12 ¥1.4
    • 500+

      ¥1.072 ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.6218
    • 50+

      ¥1.2713
    • 150+

      ¥1.121
    • 500+

      ¥0.9336
    • 2500+

      ¥0.8501
    • 5000+

      ¥0.8
  • 有货
  • EG2011是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
    • 5+

      ¥1.7325
    • 50+

      ¥1.3696
    • 150+

      ¥1.2141
    • 500+

      ¥1.02
    • 2500+

      ¥0.9336
  • 有货
  • U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片,具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出电流能力最大可达4A,其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.71
  • 有货
  • JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 5+

      ¥1.8442
    • 50+

      ¥1.441
    • 150+

      ¥1.2682
    • 500+

      ¥1.0526
  • 有货
  • SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 低成本栅极驱动设备,可有效替代NPN和PNP分立解决方案。具有5A峰值源极和灌电流对称驱动能力。能够处理输入处的负电压(-4V)。快速传播延迟(典型值11ns)
    • 5+

      ¥1.9634
    • 50+

      ¥1.5098
    • 150+

      ¥1.3154
    • 500+

      ¥1.0729
    • 3000+

      ¥0.9649
    • 6000+

      ¥0.9
  • 有货
  • 单向桥高低侧同向,高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 1+

      ¥2.0145 ¥2.37
    • 10+

      ¥1.7255 ¥2.03
    • 30+

      ¥1.6065 ¥1.89
    • 100+

      ¥1.4535 ¥1.71
    • 500+

      ¥1.3855 ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.343 ¥1.58
  • 有货
    • 5+

      ¥2.06361 ¥2.2929
    • 50+

      ¥1.65672 ¥1.8408
    • 150+

      ¥1.48239 ¥1.6471
    • 500+

      ¥1.26477 ¥1.4053
    • 2500+

      ¥1.16793 ¥1.2977
    • 4000+

      ¥1.10979 ¥1.2331
  • 有货
  • EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • 该系列是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,提供了HX4426/4427/4428的更高输出电流版本,并改进了特性。这些系列引脚兼容,HX4423/4424/4425驱动器专为更苛刻的电气环境设计,能在额定功率和电压范围内的任何条件下提供可靠服务,能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰,无论极性如何。与其他CMOS或双极驱动器相比,HX4423/4424/4425驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低,并提供稳定的电压波动
    • 1+

      ¥2.331 ¥2.59
    • 10+

      ¥1.827 ¥2.03
    • 30+

      ¥1.611 ¥1.79
    • 100+

      ¥1.35 ¥1.5
    • 500+

      ¥1.233 ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.161 ¥1.29
  • 有货
  • 双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 含自举二极管 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4.0A 峰值拉电流:4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.38
    • 50+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥2.06
    • 500+

      ¥1.96
  • 有货
  • 1A低侧栅极驱动器,具有可配置非对称漏/源
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8944 ¥4.32
    • 10+

      ¥2.2002 ¥3.86
    • 30+

      ¥1.7108 ¥3.64
    • 100+

      ¥1.6027 ¥3.41
    • 500+

      ¥1.5369 ¥3.27
    • 1000+

      ¥1.504 ¥3.2
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.66
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • HX33152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥2.988 ¥3.32
    • 10+

      ¥2.394 ¥2.66
    • 30+

      ¥2.106 ¥2.34
    • 100+

      ¥1.809 ¥2.01
    • 500+

      ¥1.638 ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.548 ¥1.72
  • 有货
    • 1+

      ¥3.51 ¥3.9
    • 10+

      ¥2.889 ¥3.21
    • 30+

      ¥2.574 ¥2.86
    • 100+

      ¥2.259 ¥2.51
    • 500+

      ¥2.079 ¥2.31
    • 1000+

      ¥1.98 ¥2.2
  • 有货
  • 高压600V, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥3.72
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.68
    • 500+

      ¥2.56
    • 1500+

      ¥2.5
  • 有货
  • 高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
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