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封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：ADP3654ARDZ-R7 编号：C143882

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

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型号：IXDN609SIA 编号：C3036216

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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型号：TF2113-3BS 编号：C2683772

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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型号：TC4420EOA 编号：C68314

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥22.26
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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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￥29.82
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￥23.41
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￥19.5

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型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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￥32.63
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￥29.4
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型号：LKS570 编号：C22447892

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3596 / 个

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型号：NSG531 编号：C46473174

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

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￥0.762185 ￥0.8023
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￥0.59413 ￥0.6254
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￥0.510055 ￥0.5369
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￥0.446975 ￥0.4705
3000+
￥0.39653 ￥0.4174
6000+
￥0.371355 ￥0.3909

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。