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单通道栅极驱动器 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
  • 5+

    ¥1.71216 ¥2.1402
  • 50+

    ¥1.36944 ¥1.7118
  • 150+

    ¥1.22256 ¥1.5282
  • 500+

    ¥1.03936 ¥1.2992
  • 3000+

    ¥0.95776 ¥1.1972
  • 6000+

    ¥0.90872 ¥1.1359
  • 有货
  • BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平,支持3.3V 应用;输出级可以提供较高的峰值电流驱动,采用绿色环保的SOP8 封装。
    • 5+

      ¥0.4598
    • 50+

      ¥0.3998
    • 150+

      ¥0.3698
    • 500+

      ¥0.3473
    • 2500+

      ¥0.3293
    • 4000+

      ¥0.3203
  • 有货
  • LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入,以及两个带有内部死区时间的输出通道,以避免交叉导通。
    • 单价:

      ¥0.523 / 个
  • 有货
    • 5+

      ¥0.82494 ¥0.9166
    • 50+

      ¥0.666 ¥0.74
    • 150+

      ¥0.58644 ¥0.6516
    • 500+

      ¥0.52686 ¥0.5854
    • 2500+

      ¥0.47916 ¥0.5324
    • 4000+

      ¥0.45531 ¥0.5059
  • 有货
    • 5+

      ¥0.905236 ¥1.1911
    • 50+

      ¥0.715616 ¥0.9416
    • 150+

      ¥0.634372 ¥0.8347
    • 500+

      ¥0.532988 ¥0.7013
    • 3000+

      ¥0.487844 ¥0.6419
    • 6000+

      ¥0.460712 ¥0.6062
  • 有货
  • 一款高压半桥栅极驱动芯片,设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,直通防止和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT,浮地通道工作电压最高可达300V。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9329
    • 50+

      ¥0.7313
    • 150+

      ¥0.6449
    • 500+

      ¥0.5107
    • 2500+

      ¥0.4627
  • 有货
  • 应用于交换式电源,开关变换器,通用栅驱动器。
    • 5+

      ¥0.96792 ¥1.2099
    • 50+

      ¥0.83352 ¥1.0419
    • 150+

      ¥0.77592 ¥0.9699
    • 500+

      ¥0.704 ¥0.88
    • 3000+

      ¥0.6912 ¥0.864
    • 6000+

      ¥0.672 ¥0.84
  • 有货
  • UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件,能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。此外,在其额定功率和电压范围内的所有条件下,它都具有高度的抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.9376
    • 150+

      ¥0.8779
    • 500+

      ¥0.8035
    • 2500+

      ¥0.7703
    • 5000+

      ¥0.7504
  • 有货
  • 应用于交换式电源,开关变换器,通用栅驱动器
    • 5+

      ¥1.14896 ¥1.4362
    • 50+

      ¥0.90216 ¥1.1277
    • 150+

      ¥0.7964 ¥0.9955
    • 500+

      ¥0.66448 ¥0.8306
    • 3000+

      ¥0.60568 ¥0.7571
    • 6000+

      ¥0.57048 ¥0.7131
  • 有货
  • IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.1834
    • 50+

      ¥1.0321
    • 150+

      ¥0.9672
    • 500+

      ¥0.8863
    • 2500+

      ¥0.8503
    • 5000+

      ¥0.8287
  • 有货
    • 5+

      ¥1.18864 ¥1.564
    • 50+

      ¥0.939664 ¥1.2364
    • 150+

      ¥0.83296 ¥1.096
    • 500+

      ¥0.699884 ¥0.9209
    • 3000+

      ¥0.640604 ¥0.8429
    • 6000+

      ¥0.605036 ¥0.7961
  • 有货
    • 5+

      ¥1.19061 ¥1.3229
    • 50+

      ¥0.9558 ¥1.062
    • 150+

      ¥0.85527 ¥0.9503
    • 500+

      ¥0.72972 ¥0.8108
    • 2500+

      ¥0.67383 ¥0.7487
    • 4000+

      ¥0.64026 ¥0.7114
  • 有货
    • 5+

      ¥1.206956 ¥1.5881
    • 50+

      ¥0.95418 ¥1.2555
    • 150+

      ¥0.845804 ¥1.1129
    • 500+

      ¥0.7106 ¥0.935
    • 3000+

      ¥0.650408 ¥0.8558
    • 6000+

      ¥0.614308 ¥0.8083
  • 有货
  • 应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。
    • 5+

      ¥1.24049 ¥1.4594
    • 50+

      ¥1.088765 ¥1.2809
    • 150+

      ¥1.02374 ¥1.2044
    • 500+

      ¥0.94265 ¥1.109
    • 3000+

      ¥0.906525 ¥1.0665
    • 6000+

      ¥0.88485 ¥1.041
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
    • 5+

      ¥1.328 ¥1.66
    • 50+

      ¥1.16 ¥1.45
    • 150+

      ¥1.088 ¥1.36
    • 500+

      ¥1 ¥1.25
    • 3000+

      ¥0.96 ¥1.2
    • 6000+

      ¥0.936 ¥1.17
  • 有货
  • EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.364
    • 50+

      ¥1.0701
    • 150+

      ¥0.9441
    • 500+

      ¥0.7869
    • 2500+

      ¥0.6468
  • 有货
    • 5+

      ¥1.408128 ¥1.8528
    • 50+

      ¥1.113172 ¥1.4647
    • 150+

      ¥0.986784 ¥1.2984
    • 500+

      ¥0.829084 ¥1.0909
    • 3000+

      ¥0.75886 ¥0.9985
    • 6000+

      ¥0.71668 ¥0.943
  • 有货
  • 栅极驱动IC 负载类型:MOSFET ,工作范围:4.5V~25V,输出峰值电流:2A,最大输入负压可达 -5V,宽温度范围:-40℃~ 125℃,锁存保护:可承受 0.5A 反向电流,传播延时:40ns
    • 1+

      ¥1.584 ¥1.98
    • 10+

      ¥1.384 ¥1.73
    • 30+

      ¥1.296 ¥1.62
    • 100+

      ¥1.192 ¥1.49
    • 500+

      ¥1.144 ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.112 ¥1.39
  • 有货
  • 双通道,超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.68282 ¥1.8698
    • 50+

      ¥1.30815 ¥1.4535
    • 150+

      ¥1.14759 ¥1.2751
    • 500+

      ¥0.90783 ¥1.0087
    • 2500+

      ¥0.81864 ¥0.9096
    • 4000+

      ¥0.76509 ¥0.8501
  • 有货
  • EG27519单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V,外围器件少。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7003
    • 50+

      ¥1.3375
    • 150+

      ¥1.1819
    • 500+

      ¥0.9879
  • 有货
  • 一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路,专用于双管正激电源、无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽4V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + /-0.8/1.2A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8603
    • 50+

      ¥1.4684
    • 150+

      ¥1.3004
    • 500+

      ¥1.0909
    • 2500+

      ¥0.933
  • 有货
  • JSM27519 器件是一款用于低电压功率 MOSFET 和 IGBT 的同相栅极驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。JSM27519 的逻辑输入电平与低至 3 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥1.888 ¥2.36
    • 50+

      ¥1.48 ¥1.85
    • 150+

      ¥1.312 ¥1.64
    • 500+

      ¥1.096 ¥1.37
    • 3000+

      ¥1 ¥1.25
    • 6000+

      ¥0.936 ¥1.17
  • 有货
  • 低成本栅极驱动设备,可有效替代NPN和PNP分立解决方案。具有5A峰值源极和灌电流对称驱动能力。能够处理输入处的负电压(-4V)。快速传播延迟(典型值11ns)
    • 5+

      ¥1.9634
    • 50+

      ¥1.5098
    • 150+

      ¥1.3154
    • 500+

      ¥1.0729
    • 3000+

      ¥0.9649
    • 6000+

      ¥0.9
  • 有货
    • 5+

      ¥2.06361 ¥2.2929
    • 50+

      ¥1.65672 ¥1.8408
    • 150+

      ¥1.48239 ¥1.6471
    • 500+

      ¥1.26477 ¥1.4053
    • 2500+

      ¥1.16793 ¥1.2977
    • 4000+

      ¥1.10979 ¥1.2331
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • 三相高速功率MOSFET驱动器
    • 1+

      ¥2.184 ¥2.73
    • 10+

      ¥1.936 ¥2.42
    • 30+

      ¥1.816 ¥2.27
    • 100+

      ¥1.688 ¥2.11
    • 500+

      ¥1.616 ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.584 ¥1.98
  • 有货
  • EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。
    • 1+

      ¥2.32
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.92
    • 100+

      ¥1.77
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥2.3545 ¥2.77
    • 10+

      ¥2.125 ¥2.5
    • 30+

      ¥2.006 ¥2.36
    • 100+

      ¥1.887 ¥2.22
    • 500+

      ¥1.649 ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.6065 ¥1.89
  • 有货
  • 是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力,可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力,提高了系统的鲁棒性,尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配,适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成,允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛,支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8,符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。
    • 5+

      ¥2.62
    • 50+

      ¥2.02
    • 150+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.44
  • 有货
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