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封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

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型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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￥24.4
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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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￥30.82
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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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￥35.24
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型号：IRS2003STR(UMW) 编号：C20623209

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.0711
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￥0.8755
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2500+
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型号：EG3033 编号：C2987454

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG3033 是一款高性价比三相PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 6V~36V ，静态功耗小于1mA。该芯片集成5V 输出LDO，可为外部MCU等器件供电。

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￥1.0805
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型号：U3115S-JSM 编号：C44606292

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

U3115S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 U3115S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.1258
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2500+
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型号：NCP51100ASNT1G-JSM 编号：C7498961

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

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￥1.13776 ￥1.4222
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￥0.89096 ￥1.1137
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￥0.7852 ￥0.9815
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￥0.65328 ￥0.8166
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￥0.59448 ￥0.7431
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￥0.55928 ￥0.6991

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型号：TPK20V4IS5 编号：C51939653

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.18864 ￥1.564
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￥0.939664 ￥1.2364
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￥0.83296 ￥1.096
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￥0.699884 ￥0.9209
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￥0.640604 ￥0.8429
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￥0.605036 ￥0.7961

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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥1.1991
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￥0.9436
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￥0.8341
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￥0.6974
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￥0.6366
6000+
￥0.6

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型号：FAN3111CSX-TP 编号：C51939555

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.206956 ￥1.5881
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￥0.95418 ￥1.2555
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￥0.845804 ￥1.1129
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￥0.7106 ￥0.935
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￥0.650408 ￥0.8558
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￥0.614308 ￥0.8083

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型号：EG2203 编号：C48580028

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。

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￥2.1656
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￥1.712
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￥1.5176
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2500+
￥1.167

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型号：IRS4427S-MNS 编号：C47967300

封装：SOIC-8

品牌：minos(迈诺斯)

双通道2A 超高速功率开关驱动器，工作范围：4.5V~25V最大输入电压可达5V，在1nF 负载时，开关时间< 25ns

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￥2.1656
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￥1.1022

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型号：IRS4427-MNS 编号：C47967299

封装：PDIP-8

品牌：minos(迈诺斯)

双通道2A 超高速功率开关驱动器，工作范围：4.5V~25V最大输入电压可达5V，在1nF 负载时，开关时间< 25ns

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￥2.1656
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￥1.1022

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

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5+
￥2.2347
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￥1.7448
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￥1.5349
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￥1.2729

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型号：HX4424-S 编号：C19186050

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该系列是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，提供了HX4426/4427/4428的更高输出电流版本，并改进了特性。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专为更苛刻的电气环境设计，能在额定功率和电压范围内的任何条件下提供可靠服务，能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰，无论极性如何。与其他CMOS或双极驱动器相比，HX4423/4424/4425驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并提供稳定的电压波动